GD450HFY120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C= 100o C

680

450

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

900

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T =175o C

2173

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

450

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

900

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu Penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=450A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.05

V

IC=450A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC=450A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=11.3mA ,V CE =V GE ,T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.7

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

46.6

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

1.31

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

3.50

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=450A, R G=1.5Ω,

V GE = ± 15V, T j =25o C

328

n

t r

Waktu naik

76

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

539

n

t f

Waktu musim gugur

108

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

19.5

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

46.6

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=450A, R G=1.5Ω,

V GE = ± 15V, T j =125o C

376

n

t r

Waktu naik

86

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

595

n

t f

Waktu musim gugur

214

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

36.3

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

53.5

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=450A, R G=1.5Ω,

V GE = ± 15V, T j =150o C

380

n

t r

Waktu naik

89

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

608

n

t f

Waktu musim gugur

232

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

41.7

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

55.5

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =450A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =450A,V GE =0V,T j =125o C

1.65

IF =450A,V GE =0V,T j =150o C

1.65

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15V, T j =25o C

29.4

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

275

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

13.2

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15V, T j =125o C

68.8

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

342

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

31.6

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15V, T j =150o C

79.6

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

354

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

35.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Modul Lead Resista nce, terminal ke chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.069

0.108

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.033

0.051

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g