GD900SGF120A3SN,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =100 o C

1466

900

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1800

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 o C

5.34

kW

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

900

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1800

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C = 900A,V GE = 15V, T vj =25 o C

2.00

2.45

V

Saya C = 900A,V GE = 15V, T vj =125 o C

2.50

Saya C = 900A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

2.65

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 32,0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.44

ω

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, T vj =25 o C

520

n

t r

Waktu naik

127

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

493

n

t f

Waktu musim gugur

72

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

76.0

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

85.0

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, T vj =125 o C

580

n

t r

Waktu naik

168

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

644

n

t f

Waktu musim gugur

89

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

127

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

98.5

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, T vj = 150 o C

629

n

t r

Waktu naik

176

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

676

n

t f

Waktu musim gugur

96

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

134

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

99.0

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F = 900A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.95

2.40

V

Saya F = 900A,V GE =0V,T vj =125 o C

2.00

Saya F = 900A,V GE =0V,T vj = 150 o C

2.05

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj =25 o C

80

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

486

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

35.0

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj =125 o C

153

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

510

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

64.0

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj = 150 o C

158

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

513

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

74.0

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

12

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.19

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

28.1 44.1

K/kW

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

9.82 15.4 6.0

K/kW

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Torsi koneksi terminal, Sekrup M8 Torsi pemasangan, Sekrup M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Berat dari Modul

1050

g