Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD900SGX120C2SA_B20,Modul IGBT,STARPOWER

1200V 900A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900SGX120C2SA_B20
  • Pendahuluan
  • Rangka kerja
Pendahuluan

Pengenalan singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 900A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Khas Aplikasi

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C

@ T C = 100o C

1410

900

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1800

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T =175o C

5000

S

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

B F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

900

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1800

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

B C = 900A,V GE = 15V, T j =25o C

1.80

2.25

V

B C = 900A,V GE = 15V, T j =125o C

2.10

B C = 900A,V GE = 15V, T j =150o C

2.15

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =22.5mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.6

ω

Q G

Biaya gerbang

V GE =- 15V...+15V

7.40

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A,

Batang Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω, V GE = ± 15V,T j =25o C

257

n

t batang

Waktu naik

96

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

628

n

t f

Waktu musim gugur

103

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

43

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

82

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A,

Batang Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

V GE = ± 15V,T j = 125o C

268

n

t batang

Waktu naik

107

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

659

n

t f

Waktu musim gugur

144

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

59

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

118

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A,

Batang Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

V GE = ± 15V,T j = 150o C

278

n

t batang

Waktu naik

118

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

680

n

t f

Waktu musim gugur

155

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

64

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

134

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V,

V CEM ≤ 1200V

3600

A

Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju

Tegangan

B F = 900A,V GE =0V,T j =25o C

1.71

2.16

V

B F = 900A,V GE =0V,T j = 125o C

1.74

B F = 900A,V GE =0V,T j = 150o C

1.75

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

76

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

513

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

38.0

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

143

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

684

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

71.3

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

171

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

713

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

80.8

mJ

Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

Batang CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.18

Batang thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.030

0.052

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.016

0.027

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap memberikan konsultasi untuk Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000