GD900SGX120C2SA_B20,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1410

900

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1800

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T =175o C

5000

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC= 900A,V GE = 15V, T j =25o C

1.80

2.25

V

IC= 900A,V GE = 15V, T j =125o C

2.10

IC= 900A,V GE = 15V, T j =150o C

2.15

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=22.5mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.6

ω

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15V...+15V

7.40

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=900A,

Batang Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω, V GE = ± 15V,T j =25o C

257

n

t batang

Waktu naik

96

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

628

n

t f

Waktu musim gugur

103

n

Eaktif

Nyalakan Beralih

Kerugian

43

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

82

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=900A,

Batang Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

V GE = ± 15V,T j = 125o C

268

n

t batang

Waktu naik

107

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

659

n

t f

Waktu musim gugur

144

n

Eaktif

Nyalakan Beralih

Kerugian

59

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

118

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=900A,

Batang Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

V GE = ± 15V,T j = 150o C

278

n

t batang

Waktu naik

118

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

680

n

t f

Waktu musim gugur

155

n

Eaktif

Nyalakan Beralih

Kerugian

64

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

134

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V,

V CEM ≤ 1200V

3600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF = 900A,V GE =0V,T j =25o C

1.71

2.16

V

IF = 900A,V GE =0V,T j = 125o C

1.74

IF = 900A,V GE =0V,T j = 150o C

1.75

T batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

76

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

513

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

38.0

mJ

T batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

143

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

684

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

71.3

mJ

T batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

171

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

713

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

80.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

Batang CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.18

mΩ

Batang thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.030

0.052

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.016

0.027

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g