GD900SGX120C2SA_B20,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

1410

900

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1800

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T = 175 o C

5000

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C = 900A,V GE = 15V, T j =25 o C

1.80

2.25

V

Saya C = 900A,V GE = 15V, T j =125 o C

2.10

Saya C = 900A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.15

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =22.5 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

Arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.6

ω

Q G

Biaya gerbang

V GE =- 15V...+15V

7.40

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A,

R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω, V GE = ± 15V,T j =25 o C

257

n

t r

Waktu naik

96

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

628

n

t f

Waktu musim gugur

103

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

43

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

82

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A,

R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

V GE = ± 15V,T j = 125o C

268

n

t r

Waktu naik

107

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

659

n

t f

Waktu musim gugur

144

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

59

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

118

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A,

R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

V GE = ± 15V,T j = 150o C

278

n

t r

Waktu naik

118

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

680

n

t f

Waktu musim gugur

155

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

64

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

134

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 800V,

V CEM ≤ 1200V

3600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F = 900A,V GE =0V,T j =25 o C

1.71

2.16

V

Saya F = 900A,V GE =0V,T j = 125o C

1.74

Saya F = 900A,V GE =0V,T j = 150o C

1.75

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

76

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

513

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

38.0

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

143

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

684

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

71.3

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

171

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

713

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

80.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.18

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.030

0.052

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.016

0.027

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g