Pengingat baik :F atau lebih banyak IGBT diskrit, silakan kirim email.
Fitur
- Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
- kemampuan hubung singkat 10μs
- Kerugian switching rendah
- Suhu junction maksimum 175oC
- VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
- Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
Tipikal Aplikasi
- Inverter untuk motor drive
-
AC dan DC servo mengemudikan penguat er
- Sumber daya tak terputus
Absolute Maksimum Peringkat T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
1200 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C |
150
75
|
A |
Saya CM |
Berdenyut Kolektor Arus t p terbatas oleh T vjmax |
225 |
A |
P P |
Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C |
852 |
W |
Dioda
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia |
1200 |
V |
Saya F |
Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental |
75 |
A |
Saya Fm |
Berdenyut Kolektor Arus t p terbatas oleh T vjmax |
225 |
A |
Diskrit
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
T vjop |
Suhu Junction Operasi |
-40 hingga +175 |
o C |
T STG |
Rentang suhu penyimpanan |
-55 hingga +150 |
o C |
T S |
Suhu Penyolderan,1.6mm d ari casing untuk 10-an |
260 |
o C |
IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh
|
Saya C =75A,V GE = 15V, T vj =25o C |
|
1.75 |
2.20 |
V
|
Saya C =75A,V GE = 15V, T vj =150o C |
|
2.10 |
|
Saya C =75A,V GE = 15V, T vj =175o C |
|
2.20 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
Saya C =3.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potong -MATI Arus |
V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
250 |
μA |
Saya GES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Arus |
V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
100 |
nA |
R Gint |
Resistensi Gerbang Dalam |
|
|
2.0 |
|
ω |
C ies |
Kapasitas input |
V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V
|
|
6.58 |
|
nF |
C oes |
Kapasitansi Output |
|
0.40 |
|
|
C res |
Transfer Balik Kapasitansi |
|
0.19 |
|
nF |
Q G |
Biaya gerbang |
V GE =-15…+15V |
|
0.49 |
|
μC |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =75A, R G = 4,7Ω,
V GE = ± 15V, Ls=40nH,
T vj =25o C
|
|
41 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
135 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
87 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
255 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
12.5 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
3.6 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =75A, R G = 4,7Ω,
V GE = ± 15V, Ls=40nH,
T vj =150o C
|
|
46 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
140 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
164 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
354 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
17.6 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
6.3 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =75A, R G = 4,7Ω,
V GE = ± 15V, Ls=40nH,
T vj =175o C
|
|
46 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
140 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
167 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
372 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
18.7 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
6.7 |
|
mJ |
Saya SC |
Data SC
|
t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,
T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
300
|
|
A
|
Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V F
|
Dioda Maju Tegangan |
Saya F =75A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.75 |
2.20 |
V
|
Saya F =75A,V GE =0V,T vj =150o C |
|
1.75 |
|
Saya F =75A,V GE =0V,T vj =175o C |
|
1.75 |
|
trr |
Dioda Mundur Waktu Pemulihan |
V R =600V,I F =75A,
-di/dt=370A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,
T vj =25o C
|
|
267 |
|
n |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
|
4.2 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
22 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
1.1 |
|
mJ |
trr |
Dioda Mundur Waktu Pemulihan |
V R =600V,I F =75A,
-di/dt=340A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,
T vj =150o C
|
|
432 |
|
n |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
|
9.80 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
33 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
2.7 |
|
mJ |
trr |
Dioda Mundur Waktu Pemulihan |
V R =600V,I F =75A,
-di/dt=320A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,
T vj =175o C
|
|
466 |
|
n |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
|
11.2 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
35 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
3.1 |
|
mJ |
Diskrit Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
R thJC |
Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan ke kasus (per D) yodium) |
|
|
0.176 0.371 |
K/W |
R thJA |
Junction-to-Ambient |
|
40 |
|
K/W |