IDG75X12T2, IGBT diskrit, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C

150

75

A

B CM

Berdenyut Kolektor Saat ini t p terbatas oleh T vjmax

225

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

852

S

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

B F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

75

A

B Fm

Berdenyut Kolektor Saat ini t p terbatas oleh T vjmax

225

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +175

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-55 hingga +150

o C

T S

Suhu Penyolderan,1.6mm d ari casing untuk 10-an

260

o C

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

B C =75A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

B C =75A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.10

B C =75A,V GE = 15V, T vj =175o C

2.20

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =3.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.0

5.8

6.5

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

250

μA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

100

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam

2.0

ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

6.58

nF

C oes

Kapasitansi Output

0.40

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.19

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

0.49

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =75A, Batang G = 4,7Ω,

V GE = ± 15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

41

n

t batang

Waktu naik

135

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

87

n

t f

Waktu musim gugur

255

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

12.5

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

3.6

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =75A, Batang G = 4,7Ω,

V GE = ± 15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

46

n

t batang

Waktu naik

140

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

164

n

t f

Waktu musim gugur

354

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

17.6

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

6.3

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =75A, Batang G = 4,7Ω,

V GE = ± 15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

46

n

t batang

Waktu naik

140

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

167

n

t f

Waktu musim gugur

372

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

18.7

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

6.7

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

300

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju Tegangan

B F =75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.75

2.20

V

B F =75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.75

B F =75A,V GE =0V,T vj =175o C

1.75

trr

Dioda Mundur Waktu Pemulihan

V Batang =600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

267

n

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

4.2

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

22

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

1.1

mJ

trr

Dioda Mundur Waktu Pemulihan

V Batang =600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

432

n

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

9.80

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

33

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

2.7

mJ

trr

Dioda Mundur Waktu Pemulihan

V Batang =600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

466

n

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

11.2

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

35

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

3.1

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

Batang thJC

Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.176 0.371

K/W

Batang thJA

Junction-to-Ambient

40

K/W