IDG75X12T2, IGBT diskrit, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

150

75

A

ICm

Berdenyut Kolektor Saat ini t p terbatas oleh T vjmax

225

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

852

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

75

A

IFm

Berdenyut Kolektor Saat ini t p terbatas oleh T vjmax

225

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +175

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-55 hingga +150

o C

T S

Suhu Penyolderan,1.6mm d ari casing untuk 10-an

260

o C

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=75A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC=75A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.10

IC=75A,V GE = 15V, T vj =175o C

2.20

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=3.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.0

5.8

6.5

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

250

μA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

100

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

2.0

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

6.58

nF

Coes

Kapasitansi Output

0.40

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.19

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

0.49

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=75A, R G= 4,7Ω,

V GE = ± 15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

41

n

t r

Waktu naik

135

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

87

n

t f

Waktu musim gugur

255

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

12.5

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

3.6

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=75A, R G= 4,7Ω,

V GE = ± 15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

46

n

t r

Waktu naik

140

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

164

n

t f

Waktu musim gugur

354

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

17.6

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

6.3

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=75A, R G= 4,7Ω,

V GE = ± 15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

46

n

t r

Waktu naik

140

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

167

n

t f

Waktu musim gugur

372

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

18.7

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

6.7

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

300

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.75

2.20

V

IF =75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.75

IF =75A,V GE =0V,T vj =175o C

1.75

trr

Dioda Mundur Waktu Pemulihan

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

267

n

T r

Muatan yang Dipulihkan

4.2

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

22

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

1.1

mJ

trr

Dioda Mundur Waktu Pemulihan

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

432

n

T r

Muatan yang Dipulihkan

9.80

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

33

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

2.7

mJ

trr

Dioda Mundur Waktu Pemulihan

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

466

n

T r

Muatan yang Dipulihkan

11.2

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

35

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

3.1

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.176 0.371

K/W

R thJA

Junction-to-Ambient

40

K/W