Semua Kategori
Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama/Produk/Modul IGBT/Modul IGBT 1200V

GD600HFY120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFY120C2S
  • Pengantar
  • Rangka kerja
Pengantar

Pengenalan singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 600A.

Fitur

  • V rendah CE (sat ) Lubang IGBT teknologi
  • 10 μs kapasitas sirkuit pendek keadilan
  • V CE (sat ) dengan positif suhu koefisien
  • Maksimum suhu persimpangan 175o C
  • Induktansi rendah kasus
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut fWD anti paralel
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi HPS DBC

Khas Aplikasi

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C=100o C

1000

600

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1200

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

3409

S

Dioda

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

600

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1200

A

Modul

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu Penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

4000

V

IGBT Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=600A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.05

V

IC=600A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC=600A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC= 15.0mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.3

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

62.1

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

1.74

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

4.62

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G=1.5Ω,

V GE = ± 15V, T j =25o C

257

n

t r

Waktu naik

96

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

628

n

t f

Waktu musim gugur

103

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

37.5

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

51.5

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G=1.5Ω,

V GE = ± 15V, T j =125o C

268

n

t r

Waktu naik

107

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

659

n

t f

Waktu musim gugur

144

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

53.5

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

77.3

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G=1.5Ω,

V GE = ± 15V, T j =150o C

278

n

t r

Waktu naik

118

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

680

n

t f

Waktu musim gugur

155

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

58.9

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

82.4

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Dioda Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =600A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF =600A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, T j =25o C

61.4

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

280

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

20.9

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, T j = 125o C

114

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

415

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

43.1

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, T j = 150o C

128

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

443

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

50.0

mJ

Modul Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Modul Lead Resista nce, terminal ke chip

0.35

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.044

0.077

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.031

0.055

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

image(c3756b8d25).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000