1200V 600A
Pengenalan singkat
Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 600A.
Fitur
Khas Aplikasi
Absolute Maksimum Peringkat T C=25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
DESKRIPSI |
Nilai |
UNIT |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
1200 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
IC |
Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C |
1000 600 |
A |
ICm |
Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms |
1200 |
A |
PD |
Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C |
3409 |
S |
Dioda
Simbol |
DESKRIPSI |
Nilai |
UNIT |
V RRM |
Tegangan Balik Puncak Berulang |
1200 |
V |
IF |
Diode terus menerus ke depan Cur =0V, |
600 |
A |
IFm |
Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms |
1200 |
A |
Modul
Simbol |
DESKRIPSI |
Nilai |
UNIT |
T jmax |
Suhu Junction Maksimum |
175 |
o C |
T jopp |
Suhu Junction Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Suhu Penyimpanan Jangkauan |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT |
4000 |
V |
IGBT Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
UNIT |
|
V CE(sat) |
Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh |
IC=600A,V GE = 15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.05 |
V |
IC=600A,V GE = 15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
|||
IC=600A,V GE = 15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
|||
V GE (th) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
IC= 15.0mA,V CE =V GE , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
ICES |
Kolektor Memotong -MATI Saat ini |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistensi Gerbang Dalam keturunan |
|
|
1.3 |
|
ω |
Cies |
Kapasitas input |
V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
|
62.1 |
|
nF |
Cres |
Transfer Balik Kapasitansi |
|
1.74 |
|
nF |
|
T G |
Biaya gerbang |
V GE =- 15…+15V |
|
4.62 |
|
μC |
t d (aktif ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C=600A, R G=1.5Ω, V GE = ± 15V, T j =25o C |
|
257 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
96 |
|
n |
|
t d (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
628 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
103 |
|
n |
|
Eaktif |
Nyalakan Pengalihan Kerugian |
|
37.5 |
|
mJ |
|
EmATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
51.5 |
|
mJ |
|
t d (aktif ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C=600A, R G=1.5Ω, V GE = ± 15V, T j =125o C |
|
268 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
107 |
|
n |
|
t d (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
659 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
144 |
|
n |
|
Eaktif |
Nyalakan Pengalihan Kerugian |
|
53.5 |
|
mJ |
|
EmATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
77.3 |
|
mJ |
|
t d (aktif ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C=600A, R G=1.5Ω, V GE = ± 15V, T j =150o C |
|
278 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
118 |
|
n |
|
t d (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
680 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
155 |
|
n |
|
Eaktif |
Nyalakan Pengalihan Kerugian |
|
58.9 |
|
mJ |
|
EmATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
82.4 |
|
mJ |
|
|
ISC |
Data SC |
t P≤ 10μs,V GE = 15V, T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V |
|
2400 |
|
A |
Dioda Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
UNIT |
|
V F |
Dioda Maju Tegangan |
IF =600A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.65 |
2.10 |
V |
IF =600A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.65 |
|
|||
IF =600A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.65 |
|
|||
T r |
Muatan yang Dipulihkan |
V CC =600V,I F =600A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, T j =25o C |
|
61.4 |
|
μC |
IRM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
280 |
|
A |
|
ErEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
20.9 |
|
mJ |
|
T r |
Muatan yang Dipulihkan |
V CC =600V,I F =600A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, T j = 125o C |
|
114 |
|
μC |
IRM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
415 |
|
A |
|
ErEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
43.1 |
|
mJ |
|
T r |
Muatan yang Dipulihkan |
V CC =600V,I F =600A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, T j = 150o C |
|
128 |
|
μC |
IRM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
443 |
|
A |
|
ErEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
50.0 |
|
mJ |
Modul Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
UNIT |
LCE |
Induktansi Sisa |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Modul Lead Resista nce, terminal ke chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
R thJC |
Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris) |
|
|
0.044 0.077 |
K/W |
|
R thCH |
Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (p (diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul) |
|
0.031 0.055 0.010 |
|
K/W |
M |
Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
Berat dari Modul |
|
300 |
|
g |

Tim penjualan profesional kami siap menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.