1200V 600A,Kemasan:C2
Pengantar singkat
Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 800A.
Fitur
Aplikasi Tipikal
Absolute Maksimum Peringkat T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
1200 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter Tegangan Gate-Emitter Transient |
±20 ±30 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C = 95 o C |
1280 800 |
A |
Saya CM |
Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms |
1600 |
A |
P P |
Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 o C |
3191 |
W |
Dioda
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia |
1200 |
V |
Saya F |
Arus Maju Kontinu Dioda ent |
800 |
A |
Saya Fm |
Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms |
1600 |
A |
Modul
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
T vjmax |
Suhu Junction Maksimum |
175 |
o C |
T vjop |
Suhu Junction Operasi |
-40 hingga +175 |
o C |
T STG |
Rentang suhu penyimpanan |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit |
4000 |
V |
IGBT Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
V CE(sat) |
Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh |
Saya C = 800A,V GE = 15V, T vj =25 o C |
|
1.30 |
1.75 |
V |
Saya C = 800A,V GE = 15V, T vj =125 o C |
|
1.45 |
|
|||
Saya C = 800A,V GE = 15V, T vj = 150 o C |
|
1.50 |
|
|||
Saya C = 800A,V GE = 15V, T vj = 175 o C |
|
1.55 |
|
|||
V GE (th ) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
Saya C = 32,0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C |
5.5 |
6.1 |
7.0 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potong -MATI Arus |
V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Arus |
V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistensi Gerbang Dalam |
|
|
0.38 |
|
ω |
C ies |
Kapasitas input |
V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V |
|
156 |
|
nF |
C res |
Transfer Balik Kapasitansi |
|
1.10 |
|
nF |
|
Q G |
Biaya gerbang |
V GE =-8…+15V |
|
10.3 |
|
μC |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C = 800A, R G = 1,2Ω, V GE =-8V/+15V, T vj =25 o C |
|
338 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
174 |
|
n |
|
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
1020 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
100 |
|
n |
|
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
65.2 |
|
mJ |
|
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
88.8 |
|
mJ |
|
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C = 800A, R G = 1,2Ω, V GE =-8V/+15V, T vj =125 o C |
|
398 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
203 |
|
n |
|
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
1140 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
183 |
|
n |
|
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
96.6 |
|
mJ |
|
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
109 |
|
mJ |
|
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C = 800A, R G = 1,2Ω, V GE =-8V/+15V, T vj = 150 o C |
|
413 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
213 |
|
n |
|
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
1140 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
195 |
|
n |
|
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
105 |
|
mJ |
|
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
113 |
|
mJ |
|
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C = 800A, R G = 1,2Ω, V GE =-8V/+15V, T vj = 175 o C |
|
419 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
223 |
|
n |
|
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
1142 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
205 |
|
n |
|
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
110 |
|
mJ |
|
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
115 |
|
mJ |
|
|
|
|
|
|
||
Saya SC |
Data SC |
t P ≤8μs, V GE = 15V, T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V |
|
3300 |
|
A |
Saya SC |
Data SC |
t P ≤6μs, V GE = 15V, T vj = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V |
|
3000 |
|
A |
Dioda Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
V F |
Dioda Maju Tegangan |
Saya F = 800A,V GE =0V,T vj =2 5o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
Saya F = 800A,V GE =0V,T vj =125 o C |
|
1.85 |
|
|||
Saya F = 800A,V GE =0V,T vj = 150 o C |
|
1.85 |
|
|||
Saya F = 800A,V GE =0V,T vj = 175 o C |
|
1.85 |
|
|||
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =600V,I F = 800A, -di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, T vj =25 o C |
|
28.6 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
311 |
|
A |
|
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
13.9 |
|
mJ |
|
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =600V,I F = 800A, -di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, T vj =125 o C |
|
56.8 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
378 |
|
A |
|
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
23.7 |
|
mJ |
|
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =600V,I F = 800A, -di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, T vj = 150 o C |
|
66.3 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
395 |
|
A |
|
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
26.7 |
|
mJ |
|
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =600V,I F = 800A, -di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, T vj = 175 o C |
|
72.1 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
403 |
|
A |
|
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
28.6 |
|
mJ |
Modul Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
L CE |
Induktansi Sisa |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip |
|
0.42 |
|
mΩ |
R thJC |
Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium) |
|
|
0.047 0.083 |
K/W |
R thCH |
Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule) |
|
0.031 0.055 0.010 |
|
K/W |
M |
Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
Berat dari Modul |
|
320 |
|
g |
Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.