Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD800HFA120C2S_B20,Modul IGBT,STARPOWER

1200V 600A,Kemasan:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFA120C2S_B20
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
  • Skema Sirkuit Setara
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 800A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

Tegangan Gate-Emitter Transient

±20 ±30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C = 95 o C

1280

800

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1600

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 o C

3191

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

Saya F

Arus Maju Kontinu Dioda ent

800

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1600

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +175

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

IGBT Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C = 800A,V GE = 15V, T vj =25 o C

1.30

1.75

V

Saya C = 800A,V GE = 15V, T vj =125 o C

1.45

Saya C = 800A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

1.50

Saya C = 800A,V GE = 15V, T vj = 175 o C

1.55

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 32,0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.1

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0.38

ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

156

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

1.10

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-8…+15V

10.3

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A, R G = 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =25 o C

338

n

t r

Waktu naik

174

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1020

n

t f

Waktu musim gugur

100

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

65.2

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

88.8

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A, R G = 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =125 o C

398

n

t r

Waktu naik

203

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1140

n

t f

Waktu musim gugur

183

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

96.6

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

109

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A, R G = 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj = 150 o C

413

n

t r

Waktu naik

213

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1140

n

t f

Waktu musim gugur

195

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

105

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

113

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A, R G = 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj = 175 o C

419

n

t r

Waktu naik

223

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1142

n

t f

Waktu musim gugur

205

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

110

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

115

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤8μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3300

A

Saya SC

Data SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

T vj = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Dioda Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F = 800A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Saya F = 800A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.85

Saya F = 800A,V GE =0V,T vj = 150 o C

1.85

Saya F = 800A,V GE =0V,T vj = 175 o C

1.85

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, T vj =25 o C

28.6

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

311

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

13.9

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, T vj =125 o C

56.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

378

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

23.7

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, T vj = 150 o C

66.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

395

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

26.7

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, T vj = 175 o C

72.1

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

403

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

28.6

mJ

Modul Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.42

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.047 0.083

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.031 0.055 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

320

g

Rangka kerja

Skema Sirkuit Setara

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000