GD800HFA120C2S_B20,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

Tegangan Gate-Emitter Transient

±20 ±30

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C@ T C=95o C

1280

800

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1600

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

3191

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Arus Maju Kontinu Dioda ent

800

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1600

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +175

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC= 800A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.30

1.75

V

IC= 800A,V GE = 15V, T vj =125o C

1.45

IC= 800A,V GE = 15V, T vj =150o C

1.50

IC= 800A,V GE = 15V, T vj =175o C

1.55

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=32.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.1

7.0

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0.38

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

156

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

1.10

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-8…+15V

10.3

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 800A, R G= 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =25o C

338

n

t r

Waktu naik

174

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1020

n

t f

Waktu musim gugur

100

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

65.2

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

88.8

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 800A, R G= 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =125o C

398

n

t r

Waktu naik

203

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1140

n

t f

Waktu musim gugur

183

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

96.6

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

109

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 800A, R G= 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =150o C

413

n

t r

Waktu naik

213

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1140

n

t f

Waktu musim gugur

195

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

105

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

113

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 800A, R G= 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =175o C

419

n

t r

Waktu naik

223

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1142

n

t f

Waktu musim gugur

205

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

110

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

115

mJ

ISC

Data SC

t P≤8μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3300

A

ISC

Data SC

t P≤6μs, V GE = 15V,

T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF = 800A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 800A,V GE =0V,T vj =125o C

1.85

IF = 800A,V GE =0V,T vj =150o C

1.85

IF = 800A,V GE =0V,T vj =175o C

1.85

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, T vj =25o C

28.6

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

311

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

13.9

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, T vj =125o C

56.8

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

378

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

23.7

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, T vj =150o C

66.3

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

395

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

26.7

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, T vj =175o C

72.1

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

403

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

28.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.42

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.047 0.083

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.031 0.055 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

320

g