GD400HTX120P6HT,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B CN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

400

A

B C

Arus Pengumpul @ T F =125o C

250

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

800

A

P D

Dissipasi Daya Maksimum ation @ T F =75o C T j =175o C

1075

S

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang gE

1200

V

B FN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

400

A

B F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

250

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

800

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi kontinu

Untuk 10s dalam periode 30s, kejadian maksimum 3000 kali selama masa hidup me

-40 hingga +150 +150 hingga +175

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

d Merayap

Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal

9.0 9.0

mm

d Jelas

Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal

4.5 4.5

mm

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

B C =250A,V GE = 15V, T j =25o C

1.45

1.80

V

B C =250A,V GE = 15V, T j =125o C

1.65

B C =250A,V GE = 15V, T j =150o C

1.70

B C =380A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

B C =380A,V GE = 15V, T j =150o C

2.15

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =9.75mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam

2.4

ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

33.6

nF

C oes

Kapasitansi Output

1.43

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.82

nF

Q G

Biaya gerbang

V CE =600V,I C =250A, V GE =-8…+15V

1.98

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 250A, Batang G = 2,2Ω, L S =24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =25o C

231

n

t batang

Waktu naik

50

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

545

n

t f

Waktu musim gugur

172

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

19.6

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

23.2

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 250A, Batang G = 2,2Ω, L S =24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =125o C

241

n

t batang

Waktu naik

57

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

619

n

t f

Waktu musim gugur

247

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

26.6

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

28.7

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 250A, Batang G = 2,2Ω, L S =24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =150o C

245

n

t batang

Waktu naik

57

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

641

n

t f

Waktu musim gugur

269

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

30.1

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

30.9

mJ

B SC

Data SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju Tegangan

B F =250A,V GE =0V,T j =25o C

1.50

1.90

V

B F =250A,V GE =0V,T j =125o C

1.45

B F =250A,V GE =0V,T j =150o C

1.40

B F =380A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

B F =380A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F = 250A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V L S =24nH ,T j =25o C

9.10

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

160

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

4.39

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F = 250A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =-8V L S =24nH ,T j =125o C

21.4

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

192

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

8.43

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F = 250A,

-di/dt=4120A/μs,V GE =-8V L S =24nH ,T j =150o C

25.7

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

203

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

9.97

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

Batang 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari Batang 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

8

nH

Batang CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dm 3/min ,T F =75o C

64

mbar

p

Tekanan Maksimum Dalam Sirkulasi Pendinginan menggemaskan

2.5

baton

Batang thJF

Perpaduan -terhadap -Pendinginan Cairan (perIGBT )Cairan penghubung ke pendinginan (per D) yodium) △V/ △t=10.0 dm 3/min ,T F =75o C

0.081 0.118

0.093 0.136

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Berat dari Modul

750

g