MZ100, Modul Dioda Pemulihan Cepat, TECHSEM

VRRM

Tipe & Garis Besar

600V

MZ100-06-210F2NA

MZ100-06-210F2NK

800V

MZ100-08-210F2NA

MZ100-08-210F2NK

1000V

MZ100-10-210F2NA

MZ100-10-210F2NK

1200V

MZ100-12-210F2NA

MZ100-12-210F2NK

1400V

MZ100-14-210F2NA

MZ100-14-210F2NK

1600V

MZ100-16-210F2NA

MZ100-16-210F2NK

1800V

MZ100-18-210F2NA

MZ100-18-210F2NK

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃ )

Nilai

Unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180° gelombang setengah sinus 50Hz

Dingin sisi tunggal, TC= 100 ℃

140

100

A

IF (RMS)

Arus maju RMS

157

A

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

140

30

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

140

3.5

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

61

A ²s* 10 ³

VFO

Tegangan Ambang

140

1.05

V

rF

Resistansi kemiringan maju

1.80

mΩ

VFM

Tegangan maju puncak

IFM=300A

25

1.90

V

trr

Waktu Pemulihan Kembali

IFM=200A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V

140

4

μs

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Dingin sisi tunggal per chip

0.200

℃ /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Dingin sisi tunggal per chip

0.080

℃ /W

Fm

Torsi koneksi terminal(M6)

6.0

Jumlah

Torsi pemasangan(M6)

6.0

Jumlah

TVj

Suhu persimpangan

-40

140

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

℃

Wt

Berat

185

g

Rangka kerja

210F2