GD400CUX120C2S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

636

400

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

800

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

2083

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

400

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

800

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=400A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC=400A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.00

IC=400A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.05

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=14.4mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

37.3

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

1.04

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

2.80

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=400A, R G=2.0Ω, L D=50nH ,V GE =±15V, T vj =25o C

223

n

t r

Waktu naik

49

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

334

n

t f

Waktu musim gugur

190

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

17.9

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

28.7

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=400A, R G=2.0Ω, L D=50nH ,V GE =±15V, T vj =125o C

230

n

t r

Waktu naik

54

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

385

n

t f

Waktu musim gugur

300

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

29.4

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

41.2

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=400A, R G=2.0Ω, L D=50nH ,V GE =±15V, T vj =150o C

228

n

t r

Waktu naik

57

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

393

n

t f

Waktu musim gugur

315

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

32.3

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

42.9

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =400A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =400A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =400A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=8030A/μs, L D=50nH, V GE = 15V, T vj =25o C

33.6

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

374

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

13.6

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=7030A/μs, L D=50nH, V GE = 15V, T vj =125o C

67.5

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

446

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

28.2

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6880A/μs, L D=50nH, V GE = 15V, T vj =150o C

75.5

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

452

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

31.4

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.072 0.113

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.023 0.036 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g