GD400CLU120C2S, Modul IGBT, Chopper dalam satu paket, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C=60o C

505

400

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

800

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =150o C

2358

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

400

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

800

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

150

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Suhu Penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=400A,V GE = 15V, T j =25o C

2.90

3.35

V

IC=400A,V GE = 15V, T j =125o C

3.60

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.0

5.8

6.6

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

26.2

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

1.68

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

4.18

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=400A, R G=2.4Ω,

V GE = ± 15V, T j =25o C

337

n

t r

Waktu naik

88

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

460

n

t f

Waktu musim gugur

116

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

21.2

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

19.4

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=400A, R G=2.4Ω,

V GE = ± 15V, T j = 125o C

359

n

t r

Waktu naik

90

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

492

n

t f

Waktu musim gugur

128

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

29.4

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

26.0

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =400A,V GE =0V,T j =25o C

2.00

2.45

V

IF =400A,V GE =0V,T j = 125o C

2.10

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE = ± 15V, T j =25o C

27.0

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

280

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

16.6

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE = ± 15V, T j = 125o C

46.0

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

380

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

30.0

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.053

0.103

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.048

0.094

0.032

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g