GD200CEX120C8SN,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

363

200

A

ICRM

Berulang Puncak Kolektor Saat ini tp terbatas oleh T vjop

400

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

1293

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Arus Maju Kontinu Dioda ent

200

A

IFRM

Berulang Puncak Maju Saat ini tp terbatas oleh T vjop

400

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=200A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC=200A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.00

IC=200A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.05

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=8.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.0

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.6

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.52

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

1.40

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=200A, R G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =25o C

140

n

t r

Waktu naik

31

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

239

n

t f

Waktu musim gugur

188

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

11.2

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

13.4

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=200A, R G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =125o C

146

n

t r

Waktu naik

36

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

284

n

t f

Waktu musim gugur

284

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

19.4

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

18.9

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=200A, R G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =150o C

148

n

t r

Waktu naik

37

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

294

n

t f

Waktu musim gugur

303

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

21.7

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

19.8

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V GE = 15V, T vj =25o C

20.0

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

220

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

7.5

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V GE = 15V, T vj =125o C

34.3

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

209

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

12.9

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V GE = 15V, T vj =150o C

38.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

204

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

14.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.116 0.185

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.150 0.239 0.046

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M

G

Berat dari Modul

200

g