Brève présentation
Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 2400A.
Caractéristiques
-
Faible VCE(sat) Tranchée L'IGBT technologie
- capacité de court-circuit de 10 μs
-
VCE (sat) avec positifs température coefficient
- Cas à faible inductance
- Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Typique Applications
- Convertisseurs haute puissance
- Pilotes de moteur
- Variateurs de courant alternatif
- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C=25℃ à moins autrement noté
Le symbole |
DESCRIPTION |
Les données de référence doivent être fournies par le fabricant. |
Unités |
V Le CES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1200 |
V |
V GES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
±20 |
V |
IC |
Courant Collecteur @ T C=25℃
@ T C= 100℃
|
3800
2400
|
A |
ICm |
Courant collecteur pulsé t p =1ms |
4800 |
A |
IF |
Diode à dérive continue le loyer |
2400 |
A |
IFM |
Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms |
4800 |
A |
PD |
Puissance maximale Dissipation @ T j =175℃ |
12.9 |
kW |
T jmax |
Température maximale de jonction |
175 |
℃ |
T le jouet |
Température de fonctionnement des jonctions |
-40 à +150 |
℃ |
T GST |
Température de stockage Autonomie |
-40 à +125 |
℃ |
V ISO |
Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 mIN |
3400 |
V |
Montage Couple |
Vis de terminal de signal:M4 |
1.8 à 2.1 |
|
Vis de terminal d'alimentation:M8 |
8.0 à 10 |
N.m. |
Vis de montage:M6 |
4.25 à 5.75 |
|
Poids |
POIDS DE Module |
2300 |
g |
Électrique Caractéristiques de L'IGBT T C=25℃ à moins autrement noté
Caractéristiques hors
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V (BR )Le CES |
Collecteur-Émetteur
Tension de rupture
|
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
ILe CES |
Le collecteur Découpé -Éteint
Actuel
|
V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
le nombre de |
IGES |
Fuite de l'émetteur de la porte Actuel |
V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
Caractéristiques à l'état passant
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V Généralement générés (th) |
Seuil d'émetteur de porte Tension |
IC=96le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25℃ |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
V CE (sat)
|
Collecteur à émetteur
Voltage de saturation
|
IC=2400A,V Généralement générés = 15 V, T j =25℃ |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
IC=2400A,V Généralement générés = 15 V, T j =125℃ |
|
2.00 |
|
Caractéristiques de commutation
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C=2400A, R Gon = 1.2Ω,
R Goff =0.3Ω,
V Généralement générés =±15V,T j =25℃
|
|
600 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
215 |
|
n.S. |
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
810 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
145 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Commutation
Perte de
|
|
/ |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt
Perte de
|
|
/ |
|
je suis désolé. |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C=2400A, R Gon = 1.2Ω,
R Goff =0.3Ω,
V Généralement générés =±15V,T j = 125℃
|
|
695 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
235 |
|
n.S. |
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
970 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
182 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Commutation
Perte de
|
|
488 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt
Perte de
|
|
382 |
|
je suis désolé. |
C- Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V CE = 25V, f=1 MHz,
V Généralement générés =0V
|
|
173 |
|
nF |
Coes |
Capacité de sortie |
|
9.05 |
|
nF |
Crés |
Transfert inverse
Capacité
|
|
7.85 |
|
nF |
|
ISC
|
Données SC
|
t P≤ 10 μs,V Généralement générés =15 V,
T j =125℃,V CC =900V, V MEC ≤1200V
|
|
9600
|
|
A
|
QG |
Charge de la porte |
V CC =600V,I C=2400A, V Généralement générés =-15 ﹍+15V |
|
23.0 |
|
le taux de décharge |
R Le gint |
Résistance à la porte interne ance |
|
|
0.42 |
|
oh |
LCE |
Inductivité de déplacement |
|
|
10 |
|
nH |
|
R CC+EE
|
Conducteur de module
La résistance,
Terminal au chip
|
|
|
0.12
|
|
mΩ
|
Électrique Caractéristiques de Diode T C=25℃ à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V F |
Diode vers l'avant
Tension
|
IF =2400A
V Généralement générés =0V
|
T j =25℃ |
|
1.65 |
2.05 |
V |
T j =125℃ |
|
1.65 |
|
Qr |
Récupéré
Charge
|
IF =2400A,
V R =600V,
R Gon =0.3Ω,
V Généralement générés =-15V
|
T j =25℃ |
|
240 |
|
le taux de décharge |
T j =125℃ |
|
460 |
|
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
T j =25℃ |
|
1650 |
|
A |
T j =125℃ |
|
2150 |
|
Eréc |
Récupération Énergie |
T j =25℃ |
|
/ |
|
je suis désolé. |
T j =125℃ |
|
208 |
|
Caractéristique thermique ics
Le symbole |
Paramètre |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
R θ JC |
Les points de jonction (par IGB) T) |
|
11.6 |
K/kW |
R θ JC |
Les points de contact entre les deux cas (par D) iode) |
|
19.7 |
K/kW |
R θ CS |
Boîtier à dissipateur (application de graisse conductrice faite) |
4 |
|
K/kW |
EN
