GD400HTX120P4S , Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E Nom de la CN

Collecteur Cu implémenté rente

400

A

E C

Courant collecteur @ T F =25o C @ T F =75o C

400

300

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

800

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

1500

L

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

E FN

Avant Cu implémenté rente

400

A

E F

Diode courant continu avant Cu rente

300

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

800

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.50

1.95

V

E C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.60

E C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

1.65

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =16.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.3

5.8

6.3

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance interne de la porte

0.5

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

41.4

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

1.16

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =15V

3.11

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =500V,I C = 300A, Barre G =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

171

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

54

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

433

n.S.

t f

Temps d'automne

41

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

18.2

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

13.4

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =500V,I C = 300A, Barre G =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =125o C

193

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

54

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

546

n.S.

t f

Temps d'automne

93

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

25.7

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

26.8

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =500V,I C = 300A, Barre G =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =150o C

203

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

64

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

628

n.S.

t f

Temps d'automne

93

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

27.8

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

30.9

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V

1600

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.55

1.80

V

E F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.50

E F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.45

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =500V,I F = 300A,

-di/dt=3150A/μs,V Généralement générés =-15V T j =25o C

25.7

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

229

A

E réc

Récupération Énergie

6.7

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =500V,I F = 300A,

-di/dt=3150A/μs,V Généralement générés =-15V T j =125o C

49.0

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

380

A

E réc

Récupération Énergie

17.1

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =500V,I F = 300A,

-di/dt=3150A/μs,V Généralement générés =-15V T j =150o C

57.0

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

380

A

E réc

Récupération Énergie

20.0

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de Barre 100

T C =100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

△p

Chute de pression de refroidissement Cir cuit

△V/ △t=10.0 dm 3/min ;T F =25o C ;Réfrigération Fluide=50% Eau/50% Éthylène Glycol

100

mbar

p

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

2.5

barre

L CE

Inductivité de déplacement

14

nH

Barre CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.80

mΩ

Barre thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT ) Jonction au fluide de refroidissement (par Di (voir aussi

0.100 0.125

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

1250

g