GD400HTX120P4S , Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je Nom de la CN

Collecteur Cu implémenté rente

400

A

Je C

Courant collecteur @ T F = 25 o C @ T F =75 o C

400

300

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

800

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

1500

Le

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V. Le groupe

Je FN

Avant Cu implémenté rente

400

A

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

300

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

800

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.50

1.95

V. Le groupe

Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C

1.60

Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

1.65

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =16.0 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 25 o C

5.3

5.8

6.3

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 25 o C

1.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

0.5

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

41.4

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

1.16

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =15V

3.11

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =500V,I C = 300A, R G =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 25 o C

171

n.S.

t r

Il est temps de monter.

54

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

433

n.S.

t f

Temps d'automne

41

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

18.2

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

13.4

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =500V,I C = 300A, R G =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125 o C

193

n.S.

t r

Il est temps de monter.

54

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

546

n.S.

t f

Temps d'automne

93

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

25.7

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

26.8

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =500V,I C = 300A, R G =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150 o C

203

n.S.

t r

Il est temps de monter.

64

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

628

n.S.

t f

Temps d'automne

93

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

27.8

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

30.9

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T j = 150 o C,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

1600

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.55

1.80

V. Le groupe

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C

1.50

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.45

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =500V,I F = 300A,

-di/dt=3150A/μs,V Généralement générés =-15V T j = 25 o C

25.7

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

229

A

E réc

Récupération Énergie

6.7

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =500V,I F = 300A,

-di/dt=3150A/μs,V Généralement générés =-15V T j = 125 o C

49.0

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

380

A

E réc

Récupération Énergie

17.1

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =500V,I F = 300A,

-di/dt=3150A/μs,V Généralement générés =-15V T j = 150 o C

57.0

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

380

A

E réc

Récupération Énergie

20.0

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

△ p

Chute de pression de refroidissement Cir cuit

△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ;T F = 25 o C ;Réfrigération Fluide=50% Eau/50% Éthylène Glycol

100

mbar

p

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

2.5

bar

L CE

Inductivité de déplacement

14

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.80

mΩ

R thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT ) Jonction au fluide de refroidissement (par Di (voir aussi

0.100 0.125

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

1250

g