Introduction brève
Module de thyratron de soudage ,M TC55 ，55A, Refroidissement par air ,produit par TECHSEM.
VDRM, VRRM |
Type & Contour |
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600V
800V
1000V
les autres
1400V
1600V
1800V
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MTC55-06-224H3/224H3B
MTC55-08-224H3/224H3B
MTC55-10-224H3/224H3B
MTC55-12-224H3/224H3B
MTC55-14-224H3/224H3B
MTC55-16-224H3/224H3B
MTC55-18-224H3/224H3B
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Caractéristiques ：
- Base de montage isolée 3000V~
-
Technologie de jonction soudée avec capacité de cyclage de puissance accrue
- Économie d'espace et de poids
Applications Typiques ：
- Moteurs à courant alternatif
- Divers redresseurs
- Alimentation CC pour onduleur PWM
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Le symbole
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Caractéristique
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Conditions d'essai
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Tj( ℃ ) |
Valeur |
Unité
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Min |
Type |
Max |
Les États membres |
Courant moyen en état passant |
180° demi-onde sinusoïdale de 50 Hz
Refroidi d'un seul côté, Tc =85 ℃
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125 |
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55 |
A |
RMS (en anglais seulement) |
Courant de l'état actif RMS |
125 |
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86 |
A |
Idrm Irrm |
Courant de crête répétitif |
à VDRM à VRRM |
125 |
|
|
15 |
le nombre de |
ITSM |
Courant de surtension en état passant |
onde sinusoïdale demi-cycle 10ms VR=60%VRRM |
125
|
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|
1.7 |
kA |
I2t |
I2t pour coordination de fusion |
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|
14.5 |
103A 2s |
VTO |
Voltage de seuil |
|
125
|
|
|
0.75 |
V. Le groupe |
rT |
Résistance de pente en état passant |
|
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4.05 |
mΩ |
VTM |
Tension de pointe en état passant |
ITM= 170A |
25 |
|
|
1.60 |
V. Le groupe |
dv/dt |
Taux critique d'augmentation de la tension de seuil |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Taux critique d'augmentation du courant en état actif |
Source de porte 1.5A
tr ≤0.5μs Répétitif
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125 |
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200 |
A/μs |
TIG |
Courant de déclenchement de porte |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
200 |
le nombre de |
Vgt |
Tension de déclenchement de porte |
0.6 |
|
2.5 |
V. Le groupe |
Je suis |
Courant de maintien |
10 |
|
250 |
le nombre de |
IL |
Courant de verrouillage |
|
|
1000 |
le nombre de |
VGD |
Tension de porte non déclenchée |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
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0.2 |
V. Le groupe |
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
Refroidi d'un seul côté, par puce |
|
|
|
0.47 |
℃ )/W |
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur |
Refroidi d'un seul côté, par puce |
|
|
|
0.15 |
℃ ) /W |
VISO |
Tension d'isolement |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V. Le groupe |
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FM
|
Couple de connexion thermique (M5) |
|
|
2.5 |
|
4.0 |
N m |
Couple de montage (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N m |
Tvj |
Température de jonction |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ ) |
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ ) |
Wt |
Poids |
|
|
|
100 |
|
g |
Le schéma |
224H3、224H3B |
EN
