GD150HFX170C1S, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C =95 o C

229

150

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

300

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

815

Le

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1700

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

150

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

300

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.

4000

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =150A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.85

2.30

V. Le groupe

Je C =150A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C

2.25

Je C =150A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

2.35

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =6.0 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 25 o C

5.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

5.0

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

18.1

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.44

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V

1.41

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =150A, R G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, L S =70 nH , T j = 25 o C

303

n.S.

t r

Il est temps de monter.

75

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

417

n.S.

t f

Temps d'automne

352

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

42.3

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

25.3

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =150A, R G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, L S =70 nH ,T j = 125 o C

323

n.S.

t r

Il est temps de monter.

88

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

479

n.S.

t f

Temps d'automne

509

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

58.9

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

34.9

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =150A, R G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, L S =70 nH ,T j = 150 o C

327

n.S.

t r

Il est temps de monter.

90

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

498

n.S.

t f

Temps d'automne

608

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

65.6

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

40.2

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T j = 150 o C,V CC =1000V, V. Le groupe MEC ≤ 1700V

600

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =150A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.80

2.25

V. Le groupe

Je F =150A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C

1.90

Je F =150A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.95

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V Généralement générés =-15V L S =70 nH , T j = 25 o C

26.2

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

131

A

E réc

Récupération Énergie

21.6

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V Généralement générés =-15V L S =70nH, T j = 125 o C

48.0

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

140

A

E réc

Récupération Énergie

40.1

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V Généralement générés =-15V L S =70nH, T j = 150 o C

52.3

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

142

A

E réc

Récupération Énergie

42.5

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

30

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.65

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.184 0.368

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.150 0.300 0.050

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Poids de Module

150

g