GD150HFX170C1S, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C@ T C=95o C

229

150

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

300

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

815

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1700

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

150

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

300

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=150A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.85

2.30

V

IC=150A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.25

IC=150A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.35

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=6.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

5.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

5.0

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

18.1

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.44

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

1.41

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=150A, R G= 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =70nH ,T j =25o C

303

n.S.

t r

Il est temps de monter.

75

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

417

n.S.

t f

Temps d'automne

352

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

42.3

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

25.3

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=150A, R G= 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =70nH ,T j =125o C

323

n.S.

t r

Il est temps de monter.

88

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

479

n.S.

t f

Temps d'automne

509

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

58.9

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

34.9

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=150A, R G= 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =70nH ,T j =150o C

327

n.S.

t r

Il est temps de monter.

90

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

498

n.S.

t f

Temps d'automne

608

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

65.6

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

40.2

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =1000V, V MEC ≤ 1700V

600

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =150A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.90

IF =150A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V Généralement générés =-15V LS =70nH ,T j =25o C

26.2

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

131

A

Eréc

Récupération Énergie

21.6

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V Généralement générés =-15V LS =70nH, T j =125o C

48.0

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

140

A

Eréc

Récupération Énergie

40.1

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V Généralement générés =-15V LS =70nH, T j =150o C

52.3

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

142

A

Eréc

Récupération Énergie

42.5

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

30

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.65

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Boîtier (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.184 0.368

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.150 0.300 0.050

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Poids de Module

150

g