H100KPU,Thyristor de contrôle de phase

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj(℃ )

Valeur

Unité

Min

Type

Max

Les États membres

Courant moyen en état passant

180。onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés

TC=70 。C

115

2000

A

Idrm Irrm

Courant de crête répétitif

à VDRM tp= 10ms à VRRM tp= 10ms

115

600

le nombre de

ITSM

Courant de surtension en état passant

10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM

115

35

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

6125

103A2s

VTO

Voltage de seuil

115

1.32

V. Le groupe

rT

Résistance de pente en état passant

0.52

mΩ

VTM

Tension de pointe en état passant

ITM= 1500A, F=90kN

25

2.00

V. Le groupe

dv/dt

Taux critique d'augmentation de la tension de seuil

VDM=0.67VDRM

115

2000

V/μs

di/dt

Taux critique d'augmentation du courant en état actif

VDM=67%VDRM,

Impulsion de porte tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

115

200

A/μs

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

115

5000

le taux de décharge

TIG

Courant de déclenchement de porte

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

le nombre de

Vgt

Tension de déclenchement de porte

0.8

3.0

V. Le groupe

Je suis

Courant de maintien

25

200

le nombre de

VGD

Tension de porte non déclenchée

VDM=67%VDRM

115

0.3

V. Le groupe

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

Refroidissement des deux côtés Force de serrage 90kN

0.0057

。C /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur

0.0015

FM

Force de montage

81

90

108

kN

Tvj

Température de jonction

-40

115

℃

TSTG

Température de stockage

-40

140

℃

Wt

Poids

2500

g

Le schéma

KT100dT