GD720HTA120P6HT,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je Nom de la CN

Collecteur Cu implémenté rente

720

A

Je C

Courant collecteur @ T F =65 o C

600

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1440

A

P D

Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =75 o C T vj = 175 o C

1204

Le

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pic répétitif généralement générés

1200

V. Le groupe

Je FN

Collecteur Cu implémenté rente

720

A

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

600

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1440

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement de la jonction continue

Pour 10s dans une période de 30s, occurrence maximum 3000 fois sur la durée de vie moi

-40 à +150 +150 à +175

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 25 o C

1.50

V. Le groupe

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 150 o C

1.80

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 175 o C

1.85

Je C =720A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 25 o C

1.60

Je C =720A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 175 o C

2.05

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C = 15,6 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T vj = 25 o C

6.0

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T vj = 25 o C

1.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

1.67

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE =25V,f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

48.7

nF

C oes

Capacité de sortie

1.55

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.26

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe CE =800V,I C = 600A, V Généralement générés =-8... +15V

3.52

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =800V,I C =600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, T vj = 25 o C

208

n.S.

t r

Il est temps de monter.

65

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

505

n.S.

t f

Temps d'automne

104

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

77.7

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

62.2

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =800V,I C =600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, T vj = 150 o C

225

n.S.

t r

Il est temps de monter.

75

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

567

n.S.

t f

Temps d'automne

191

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

110

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

83.4

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =800V,I C =600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, T vj = 175 o C

226

n.S.

t r

Il est temps de monter.

77

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

583

n.S.

t f

Temps d'automne

203

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

118

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

85.9

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤4μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T vj = 175 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V

2600

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =600A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C

1.95

V. Le groupe

Je F =600A,V Généralement générés =0V,T vj = 150 o C

1.95

Je F =600A,V Généralement générés =0V,T vj = 175 o C

1.90

Je F =720A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C

2.05

Je F =720A,V Généralement générés =0V,T vj = 175 o C

2.05

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =800V,I F =600A,

-di/dt=8281A/μs, L S =24n H, V. Le groupe Généralement générés =-8V, T vj = 25 o C

44.3

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

346

A

E réc

Récupération Énergie

16.2

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =800V,I F =600A,

-di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V. Le groupe Généralement générés =-8V, T vj = 150 o C

73.4

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

385

A

E réc

Récupération Énergie

27.8

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =800V,I F =600A,

-di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V. Le groupe Généralement générés =-8V, T vj = 175 o C

80.7

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

392

A

E réc

Récupération Énergie

30.7

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

8

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.75

mΩ

p

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

T plaque de base <40 o C

T plaque de base 40o C

(pression relative)

2.5 2.0

bar

R thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par Di (voir aussi △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.072 0.104

0.083 0.120

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Poids de Module

750

g