GD225HFX170C6S, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C

@ T C= 100o C

396

225

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p = 1 ms

450

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

1530

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1700

V

IF

Diode à dérive continue le loyer

225

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

450

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

IC=225A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=225A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.25

IC=225A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.35

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=9.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

5.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

2.8

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz,

V Généralement générés =0V

27.1

nF

Crés

Transfert inverse

Capacité

0.66

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =- 15...+15V

2.12

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=225A, R Gon = 3,3Ω, R Goff =6.2Ω, V Généralement générés = ± 15 V,

T j =25o C

187

n.S.

t r

Il est temps de monter.

76

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

587

n.S.

t f

Temps d'automne

350

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

56.1

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

52.3

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=225A, R Gon = 3,3Ω, R Goff =6.2Ω, V Généralement générés = ± 15 V,

T j = 125o C

200

n.S.

t r

Il est temps de monter.

85

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

693

n.S.

t f

Temps d'automne

662

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

75.9

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

80.9

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=225A, R Gon = 3,3Ω, R Goff =6.2Ω, V Généralement générés = ± 15 V,

T j = 150o C

208

n.S.

t r

Il est temps de monter.

90

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

704

n.S.

t f

Temps d'automne

744

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

82.8

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

87.7

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC = un débit de tension de 1000 V, V MEC ≤ 1700V

900

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant

Tension

IF =225A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =225A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.90

IF =225A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.95

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =25o C

63.0

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

352

A

Eréc

Récupération Énergie

37.4

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =125o C

107

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

394

A

Eréc

Récupération Énergie

71.0

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =150o C

121

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

385

A

Eréc

Récupération Énergie

82.8

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

δR/R

Déviation de R 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/501/T 2-

je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/801/T 2-

je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/1001/T 2-

je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

1.10

mΩ

R le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.098

0.158

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.029

0.047

0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g