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Module IGBT 1700V

Module IGBT 1700V

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GD225HFX170C6S, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT, 1700V 300A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans les deux cas.
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction succincte

Module IGBT , produit par StarPower. 1700 V 225 A. Je vous en prie.

Caractéristiques

Faible V CE (assis ) Tranchée L'IGBT tECHNOLOGIE

10 μs capab de court-circuit l'égalité

V CE (assis ) avec positifs température coefficient

Maximum température de jonction 175o C

Faible inductance étude de cas

Récupération inverse rapide et douce fWD antiparallèle

Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

Inverseur pour moteur d rive

Alternate et continu servo conduire amplificateur

Alimentation sans interruption barre fourniture

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C =25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C

@ T C = 100o C

396

225

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p = 1 ms

450

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

1530

L

Diode

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1700

V

E F

Diode à dérive continue le loyer

225

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

450

A

Module

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

L'IGBT Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

E C =225A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.85

2.20

V

E C =225A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.25

E C =225A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.35

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =9.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

5.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

2.8

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz,

V Généralement générés =0V

27.1

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

0.66

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =- 15...+15V

2.12

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C =225A, Barre Gon = 3,3Ω, Barre Goff =6.2Ω, V Généralement générés = ± 15 V,

T j =25o C

187

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

76

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

587

n.S.

t f

Temps d'automne

350

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

56.1

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

52.3

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C =225A, Barre Gon = 3,3Ω, Barre Goff =6.2Ω, V Généralement générés = ± 15 V,

T j = 125o C

200

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

85

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

693

n.S.

t f

Temps d'automne

662

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

75.9

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

80.9

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C =225A, Barre Gon = 3,3Ω, Barre Goff =6.2Ω, V Généralement générés = ± 15 V,

T j = 150o C

208

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

90

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

704

n.S.

t f

Temps d'automne

744

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

82.8

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

87.7

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC = un débit de tension de 1000 V, V MEC ≤ 1700V

900

A

Diode Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant

Tension

E F =225A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

E F =225A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.90

E F =225A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.95

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =25o C

63.0

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

352

A

E réc

Récupération Énergie

37.4

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =125o C

107

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

394

A

E réc

Récupération Énergie

71.0

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =150o C

121

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

385

A

E réc

Récupération Énergie

82.8

je suis désolé.

NTC Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

δR/R

Déviation de Barre 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2-

je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2-

je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2-

je suis désolé.

3433

K

Module Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

Barre CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

1.10

Barre le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.098

0.158

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.029

0.047

0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g

Le schéma

image(c537ef1333).png

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