Module IGBT 1200V

GD300HFX120C6SA, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT, 1200V 300A, Emballage : C6.1

Brand:

Le système de régulation

Spu:

GD300HFX120C6SA

Introduction
Le schéma
Schéma de circuit équivalent

Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 300A. Je suis désolé.

Caractéristiques

Faible V CE (sat) IGBT Tranchée T technologie

court-circuit de 10μs capacité

V. Le groupe CE (assis ) avec positifs température coefficient

Le montant maximal température de jonction 175o C

Cas à faible inductance

Récupération inverse rapide et douce fWD antiparallèle

Base isolée en cuivre utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

Invertisseurs pour moteur

Amplificateur servo AC et DC conduire amplif ieur

Alimentation sans interruption

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation T F = 25 o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C	496 300	A
Je Cm	Courant collecteur pulsé t p =1ms	600	A
P D	Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C	1685	Le

Diode

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive âge	1200	V. Le groupe
Je F	Diode courant continu avant Cu rente	300	A
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms	600	A

Module

Le symbole	Description	Valeur	Unité
T jmax	Température maximale de jonction	175	o C
T le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	o C
T GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	o C
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute	2500	V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C		1.70	2.15	V. Le groupe
		Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C		1.95
		Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C		2.00
V. Le groupe Généralement générés (le )	Seuil d'émetteur de porte Tension	Je C =12,0 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 25 o C			1.0	le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Le gint	Résistance à la porte interne ance			2.5		oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		31.1		nF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.87		nF
Q: Le numéro G	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V		2.33		le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C = 300A, R G =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 25 o C		313		n.S.
t r	Il est temps de monter.			57		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			464		n.S.
t f	Temps d'automne			206		n.S.
E sur	On le met en marche Le changement Perte de			9.97		je suis désolé.
E éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			28.6		je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C = 300A, R G =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125 o C		336		n.S.
t r	Il est temps de monter.			66		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			528		n.S.
t f	Temps d'automne			299		n.S.
E sur	On le met en marche Le changement Perte de			21.1		je suis désolé.
E éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			36.6		je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C = 300A, R G =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150 o C		345		n.S.
t r	Il est temps de monter.			68		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			539		n.S.
t f	Temps d'automne			309		n.S.
E sur	On le met en marche Le changement Perte de			25.6		je suis désolé.
E éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			37.8		je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V		1200		A

Diode Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.85	2.30	V. Le groupe
		Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C		1.90
		Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C		1.95
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe CC =600V,I F = 300A, -di/dt=6950A/μs,V Généralement générés =-15V, T j = 25 o C		10.8		le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			272		A
E réc	Récupération Énergie			9.53		je suis désolé.
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe CC =600V,I F = 300A, -di/dt=6090A/μs,V Généralement générés =-15V, T j = 125 o C		24.2		le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			276		A
E réc	Récupération Énergie			18.4		je suis désolé.
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe CC =600V,I F = 300A, -di/dt=5440A/μs,V Généralement générés =-15V, T j = 150 o C		33.6		le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			278		A
E réc	Récupération Énergie			20.6		je suis désolé.

NTC Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
R 25	Résistance nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Déviation de R 100	T C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Puissance Dissipation				20.0	mW
B 25 à 50%	Valeur B	R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2- je suis désolé.		3375		K
B 25/80	Valeur B	R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2- je suis désolé.		3411		K
B 25/100	Valeur B	R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2- je suis désolé.		3433		K

Module Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
L CE	Inductivité de déplacement		20		nH
R CC+EE	Module de résistance au plomb, Terminal au chip		1.10		mΩ
R le CJJ	Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT ) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)			0.089 0.150	Pour les produits de base
R thCH	Étude de cas -à -Disjoncteur (parIGBT ) Pour les appareils de type "A" Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)		0.029 0.048 0.009		Pour les produits de base
M	Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.m.
G	Poids de Module		350		g

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