Module IGBT 1200V

GD300HFX120C6SA, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT, 1200V 300A, Emballage : C6.1

Brand:

Le système de régulation

Spu:

GD300HFX120C6SA

Introduction
Le schéma
Schéma de circuit équivalent

Introduction

Introduction succincte

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 300A. Je suis désolé.

Caractéristiques

Faible V CE (sat) IGBT Tranchée T technologie

court-circuit de 10μs capacité

V CE (assis ) avec positifs température coefficient

Maximum température de jonction 175o C

Cas à faible inductance

Récupération inverse rapide et douce fWD antiparallèle

Base isolée en cuivre utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

Invertisseurs pour moteur

Amplificateur servo AC et DC conduire amplif ieur

Alimentation sans interruption

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V
V GES	Voltage de l'émetteur de la porte	±20	V
E C	Courant collecteur @ T C =25o C @ T C =100o C	496 300	A
E Cm	Courant collecteur pulsé t p =1ms	600	A
P D	Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C	1685	L

Diode

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V RRM	Tension inverse de crête répétitive âge	1200	V
E F	Diode courant continu avant Cu rente	300	A
E FM	Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms	600	A

Module

Le symbole	Description	Valeur	Unité
T jmax	Température maximale de jonction	175	o C
T le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	o C
T GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	o C
V ISO	Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute	2500	V

L'IGBT Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
V CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	E C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C		1.70	2.15	V
		E C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C		1.95
		E C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C		2.00
V Généralement générés (th)	Seuil d'émetteur de porte Tension	E C =12.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C	5.6	6.2	6.8	V
E Le CES	Le collecteur Découpé -Éteint Actuel	V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C			1.0	le nombre de
E GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C			400	nA
Barre Le gint	Résistance à la porte interne ance			2.5		oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V		31.1		nF
C rés	Transfert inverse Capacité	V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V		0.87		nF
Q: Le numéro G	Charge de la porte	V Généralement générés =-15 ... + 15V		2.33		le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V CC =600V,I C = 300A, Barre G =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C		313		n.S.
t barre	Il est temps de monter.			57		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			464		n.S.
t f	Temps d'automne			206		n.S.
E sur	On le met en marche Le changement Perte de			9.97		je suis désolé.
E éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			28.6		je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V CC =600V,I C = 300A, Barre G =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =125o C		336		n.S.
t barre	Il est temps de monter.			66		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			528		n.S.
t f	Temps d'automne			299		n.S.
E sur	On le met en marche Le changement Perte de			21.1		je suis désolé.
E éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			36.6		je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V CC =600V,I C = 300A, Barre G =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =150o C		345		n.S.
t barre	Il est temps de monter.			68		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			539		n.S.
t f	Temps d'automne			309		n.S.
E sur	On le met en marche Le changement Perte de			25.6		je suis désolé.
E éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			37.8		je suis désolé.
E SC	Données SC	t P ≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V, T j =150o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V		1200		A

Diode Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V F	Diode vers l'avant Tension	E F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =25o C		1.85	2.30	V
		E F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =125o C		1.90
		E F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =150o C		1.95
Q: Le numéro barre	Charge récupérée	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=6950A/μs,V Généralement générés =-15V, T j =25o C		10.8		le taux de décharge
E RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			272		A
E réc	Récupération Énergie			9.53		je suis désolé.
Q: Le numéro barre	Charge récupérée	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=6090A/μs,V Généralement générés =-15V, T j =125o C		24.2		le taux de décharge
E RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			276		A
E réc	Récupération Énergie			18.4		je suis désolé.
Q: Le numéro barre	Charge récupérée	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=5440A/μs,V Généralement générés =-15V, T j =150o C		33.6		le taux de décharge
E RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			278		A
E réc	Récupération Énergie			20.6		je suis désolé.

NTC Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
Barre 25	Résistance nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Déviation de Barre 100	T C =100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Puissance Dissipation				20.0	mW
B 25/50	Valeur B	Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.		3375		K
B 25/80	Valeur B	Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.		3411		K
B 25/100	Valeur B	Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.		3433		K

Module Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
L CE	Inductivité de déplacement		20		nH
Barre CC+EE	Module de résistance au plomb, Terminal au chip		1.10		mΩ
Barre le CJJ	Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT ) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)			0.089 0.150	Pour les produits de base
Barre thCH	Étude de cas -à -Disjoncteur (parIGBT ) Pour les appareils de type "A" Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)		0.029 0.048 0.009		Pour les produits de base
M	Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.m.
G	Poids de Module		350		g

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SiC

Module IGBT

Wafer IGBT/FRD

Composant IGBT

Convertisseur Analogique-Numérique Haute Précision

Convertisseur Numérique-Analogique Haute Performance

Amplificateurs d'Instrumentation

LDO Haute Précision

Références De Tension

Module Diode

Diode de redressement de type capsule

Module Thyristor/Diode

MOSFET

Relais Photo MOS

Relais électromagnétique

Relais temporisé

Contrôleur intégré

Contrôleur d'alimentation

Module IGCT

vAA (Pile à combustible à hydrogène)

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Produit associé

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Y89KFG,Thyristor à déconnexion rapide non symétrique

MTC110,Module de redressement thyristor de soudage,Refroidissement par air

MD200, Modules de diodes (Type non isolé) ,TECHSEM

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