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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

Page d'accueil/Produits/Module IGBT/Module IGBT 1200V

GD600SGU120C2SD, Module IGBT, STARPOWER

1200V 720A Emballage:C2.1

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD600SGU120C2SD
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Présentation succincte

Module IGBT ,produit par Le système de régulation .1200V 600A. Je suis désolé.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de la jonction 175
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

  • Invertisseurs pour moteur
  • Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C@ T C=70o C

857

600

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1200

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T vj =150o C

4310

L

Diode

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

600

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1200

A

Module

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

150

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +125

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V

L'IGBT Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=600A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

3.00

3.45

V

IC=600A,V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

3.80

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=12le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

4.8

5.8

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

5.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.31

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

43.6

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

2.72

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15V…+15V

8.32

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=600A, R G=1,5Ω, V Généralement générés = ± 15 V, LS =50nH ,T vj =25o C

317

n.S.

t r

Il est temps de monter.

76

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

548

n.S.

t f

Temps d'automne

55

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

20.2

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

34.2

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=600A, R G=1,5Ω, V Généralement générés = ± 15 V, LS =50nH ,T vj =125o C

325

n.S.

t r

Il est temps de monter.

79

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

595

n.S.

t f

Temps d'automne

59

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

27.2

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

38.4

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =125o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

3000

A

Diode Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =600A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =600A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.90

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=7745A/μs,V Généralement générés =-15V, LS =50nH ,T vj =25o C

58.0

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

489

A

Eréc

Récupération Énergie

28.1

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=7355A/μs,V Généralement générés =-15V, LS =50nH ,T vj =25o C

100

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

563

A

Eréc

Récupération Énergie

48.2

je suis désolé.

Module Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.35

R le CJJ

Réservoir -à -Boîtier (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.029 0.069

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.014 0.034 0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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