Présentation succincte
Module IGBT ,produit par Le système de régulation .1200V 275A. Je suis désolé.
Caractéristiques
-
Faible VCE(sat) Technologie IGBT à tranchées
-
VCE (sat) avec positifs température coefficient
-
Température maximale de la jonction 175 ℃
- Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
-
Il est isolé. utilisant un plateau en cuivre Si3 N4 Technologie AMB
Applications Typiques
Énergie solaire
3-niveaux- application
- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté
T1-T4 IGBT
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V Le CES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1200 |
V |
V GES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
±20 |
V |
ICN |
Collecteur C mis en œuvre courant |
275 |
A |
IC |
Courant collecteur @ T C=100o C |
110 |
A |
ICm |
Courant collecteur pulsé t p =1ms |
450 |
A |
Diode D1/D4
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V RRM |
Tension inverse de crête répétitive âge |
1200 |
V |
IFN |
Courant direct mis en œuvre ent |
275 |
A |
IF |
Diode courant continu avant Cu rente |
300 |
A |
IFM |
Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms |
450 |
A |
Diode D2/D3
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V RRM |
Tension inverse de crête répétitive âge |
1200 |
V |
IFN |
Courant direct mis en œuvre ent |
275 |
A |
IF |
Diode courant continu avant Cu rente |
225 |
A |
IFM |
Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms |
450 |
A |
Diode D5/D6
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V RRM |
Tension inverse de crête répétitive âge |
1200 |
V |
IFN |
Courant direct mis en œuvre ent |
275 |
A |
IF |
Diode courant continu avant Cu rente |
300 |
A |
IFM |
Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms |
450 |
A |
Module
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
T jmax |
Température maximale de jonction |
175 |
o C |
T le jouet |
Température de fonctionnement des jonctions |
-40 à +150 |
o C |
T GST |
Plage de température de stockage |
-40 à +125 |
o C |
V ISO |
Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute |
3200 |
V |
T1-T4 L'IGBT Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V CE (sat)
|
Collecteur à émetteur Voltage de saturation
|
IC=225A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C |
|
2.00 |
2.45 |
V
|
IC=225A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C |
|
2.70 |
|
IC=225A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C |
|
2.90 |
|
V Généralement générés (th) |
Seuil d'émetteur de porte Tension |
IC=9.00le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ILe CES |
Le collecteur Découpé -Éteint Actuel |
V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
le nombre de |
IGES |
Fuite de l'émetteur de la porte Actuel |
V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Le gint |
Résistance interne de la porte |
|
|
1.7 |
|
oh |
C- Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V |
|
38.1 |
|
nF |
Crés |
Transfert inverse Capacité |
|
0.66 |
|
nF |
QG |
Charge de la porte |
V Généralement générés =-15…+15V |
|
2.52 |
|
le taux de décharge |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C=225A, R G=2Ω,V Généralement générés =-8/+15V, LS =36nH ,T j =25o C
|
|
154 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
45 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
340 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
76 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
13.4 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
8.08 |
|
je suis désolé. |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C=225A, R G=2Ω,V Généralement générés =-8/+15V, LS =36nH ,T j =125o C
|
|
160 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
49 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
388 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
112 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
17.6 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
11.2 |
|
je suis désolé. |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C=225A, R G=2Ω,V Généralement générés =-8/+15V, LS =36nH ,T j =150o C
|
|
163 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
51 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
397 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
114 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
18.7 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
12.0 |
|
je suis désolé. |
D1/D4 Diode Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V F
|
Diode vers l'avant Tension |
IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =25o C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =125o C |
|
1.60 |
|
IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =150o C |
|
1.60 |
|
Qr |
Récupéré Charge |
V R =600V,I F =225A,
-di/dt=5350A/μs,V Généralement générés = 8V LS =36nH ,T j =25o C
|
|
20.1 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
250 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
6.84 |
|
je suis désolé. |
Qr |
Récupéré Charge |
V R =600V,I F =225A,
-di/dt=5080A/μs,V Généralement générés = 8V LS =36nH ,T j =125o C
|
|
32.5 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
277 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
11.5 |
|
je suis désolé. |
Qr |
Récupéré Charge |
V R =600V,I F =225A,
-di/dt=4930A/μs,V Généralement générés = 8V LS =36nH ,T j =150o C
|
|
39.0 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
288 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
14.0 |
|
je suis désolé. |
D2/D3 Diode Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V F
|
Diode vers l'avant Tension |
IF =225A,V Généralement générés =0V,T j =25o C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
IF =225A,V Généralement générés =0V,T j =125o C |
|
1.60 |
|
IF =225A,V Généralement générés =0V,T j =150o C |
|
1.60 |
|
D5/D6 Diode Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V F
|
Diode vers l'avant Tension |
IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =25o C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =125o C |
|
1.60 |
|
IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =150o C |
|
1.60 |
|
Qr |
Récupéré Charge |
V R =600V,I F =225A,
-di/dt=5050A/μs,V Généralement générés = 8V LS =30nH ,T j =25o C
|
|
18.6 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
189 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
5.62 |
|
je suis désolé. |
Qr |
Récupéré Charge |
V R =600V,I F =225A,
-di/dt=4720A/μs,V Généralement générés = 8V LS =30nH ,T j =125o C
|
|
34.1 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
250 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
11.4 |
|
je suis désolé. |
Qr |
Récupéré Charge |
V R =600V,I F =225A,
-di/dt=4720A/μs,V Généralement générés = 8V LS =30nH ,T j =150o C
|
|
38.9 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
265 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
13.2 |
|
je suis désolé. |
NTC Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
R 25 |
Résistance nominale |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Déviation de R 100 |
T C=100o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Dissipation de puissance |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Valeur B |
R 2= R 25exp [B 25/501/T 2-je suis désolé. |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Valeur B |
R 2= R 25exp [B 25/801/T 2-je suis désolé. |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Valeur B |
R 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé. |
|
3433 |
|
K |
Module Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
LCE |
Inductivité de déplacement |
|
15 |
|
nH |
|
R le CJJ
|
Jonction-à-casquette (par T1 -T4 IGBT) Jonction-à-casquette (par D1/D4 D iode) Jonction-à-casquette (par D2/D3 D iode) Jonction-à-casquette (par D5/D6 D iode) |
|
|
0.070 0.122 0.156 0.122 |
Pour les produits de base
|
|
R thCH
|
Casquette-à-dissipateur (par T 1-T4 IGBT) Casquette-à-dissipateur (par D1/D4 Diode) Casquette-à-dissipateur (par D2/D3 Diode) Casquette-à-dissipateur (par D5/D6 Diode) |
|
0.043 0.053 0.069 0.053 |
|
Pour les produits de base
|
M |
Le couple de montage Pour les appareils de type à moteur |
3.0 |
|
5.0 |
N.m. |
G |
Poids de Module |
|
250 |
|
g |
EN
