Module IGBT 1200V

GD275MJS120L6S, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT, 1200V 275A, Conditionnement : L6

Brand:

Le système de régulation

Spu:

GD275MJS120L6S

Introduction
Le schéma
Schéma de circuit équivalent

Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 275A. Je suis désolé.

Caractéristiques

Faible VCE(sat) Technologie IGBT à tranchées
VCE (sat) avec positifs température coefficient
Température maximale de la jonction 175 ℃
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Il est isolé. utilisant un plateau en cuivre Si3 N4 Technologie AMB

Applications Typiques

Énergie solaire

application à 3 niveaux

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation T F = 25 o C à moins autrement noté

T1-T4 IGBT

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je Nom de la CN	Collecteur C mis en œuvre courant	275	Une
Je C	Courant collecteur @ T C = 100 o C	110	Une
Je Cm	Courant collecteur pulsé t p =1ms	450	Une

Diode D1/D4

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive âge	1200	V. Le groupe
Je FN	Courant direct mis en œuvre ent	275	Une
Je F	Diode courant continu avant Cu rente	300	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms	450	Une

Diode D2/D3

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive âge	1200	V. Le groupe
Je FN	Courant direct mis en œuvre ent	275	Une
Je F	Diode courant continu avant Cu rente	225	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms	450	Une

Diode D5/D6

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive âge	1200	V. Le groupe
Je FN	Courant direct mis en œuvre ent	275	Une
Je F	Diode courant continu avant Cu rente	300	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms	450	Une

Module

Le symbole	Description	Valeur	Unité
T jmax	Température maximale de jonction	175	o C
T le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	o C
T GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	o C
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute	3200	V. Le groupe

T1-T4 L'IGBT Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =225A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C		2.00	2.45	V. Le groupe
		Je C =225A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C		2.70
		Je C =225A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C		2.90
V. Le groupe Généralement générés (le )	Seuil d'émetteur de porte Tension	Je C =9,00 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 25 o C			1.0	le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Le gint	Résistance interne de la porte			1.7		oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE =25V,f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		38.1		nF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.66		nF
Q: Le numéro G	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V		2.52		le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =225A, R G =2Ω,V Généralement générés =-8/+15V, L S =36 nH ,T j = 25 o C		154		n.S.
t r	Il est temps de monter.			45		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			340		n.S.
t f	Temps d'automne			76		n.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			13.4		je suis désolé.
E. Je suis désolé. éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			8.08		je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =225A, R G =2Ω,V Généralement générés =-8/+15V, L S =36 nH ,T j = 125 o C		160		n.S.
t r	Il est temps de monter.			49		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			388		n.S.
t f	Temps d'automne			112		n.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			17.6		je suis désolé.
E. Je suis désolé. éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			11.2		je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =225A, R G =2Ω,V Généralement générés =-8/+15V, L S =36 nH ,T j = 150 o C		163		n.S.
t r	Il est temps de monter.			51		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			397		n.S.
t f	Temps d'automne			114		n.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			18.7		je suis désolé.
E. Je suis désolé. éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			12.0		je suis désolé.

D1/D4 Diode Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.60	2.05	V. Le groupe
		Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C		1.60
		Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C		1.60
Q: Le numéro r	Récupéré Charge	V. Le groupe R =600V,I F =225A, -di/dt=5350A/μs,V Généralement générés = 8V L S =36 nH ,T j = 25 o C		20.1		le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			250		Une
E. Je suis désolé. réc	Récupération Énergie			6.84		je suis désolé.
Q: Le numéro r	Récupéré Charge	V. Le groupe R =600V,I F =225A, -di/dt=5080A/μs,V Généralement générés = 8V L S =36 nH ,T j = 125 o C		32.5		le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			277		Une
E. Je suis désolé. réc	Récupération Énergie			11.5		je suis désolé.
Q: Le numéro r	Récupéré Charge	V. Le groupe R =600V,I F =225A, -di/dt=4930A/μs,V Généralement générés = 8V L S =36 nH ,T j = 150 o C		39.0		le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			288		Une
E. Je suis désolé. réc	Récupération Énergie			14.0		je suis désolé.

D2/D3 Diode Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F =225A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.60	2.05	V. Le groupe
		Je F =225A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C		1.60
		Je F =225A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C		1.60

D5/D6 Diode Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.60	2.05	V. Le groupe
		Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C		1.60
		Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C		1.60
Q: Le numéro r	Récupéré Charge	V. Le groupe R =600V,I F =225A, -di/dt=5050A/μs,V Généralement générés = 8V L S =30 nH ,T j = 25 o C		18.6		le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			189		Une
E. Je suis désolé. réc	Récupération Énergie			5.62		je suis désolé.
Q: Le numéro r	Récupéré Charge	V. Le groupe R =600V,I F =225A, -di/dt=4720A/μs,V Généralement générés = 8V L S =30 nH ,T j = 125 o C		34.1		le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			250		Une
E. Je suis désolé. réc	Récupération Énergie			11.4		je suis désolé.
Q: Le numéro r	Récupéré Charge	V. Le groupe R =600V,I F =225A, -di/dt=4720A/μs,V Généralement générés = 8V L S =30 nH ,T j = 150 o C		38.9		le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			265		Une
E. Je suis désolé. réc	Récupération Énergie			13.2		je suis désolé.

NTC Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
R 25	Résistance nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Déviation de R 100	T C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Dissipation de puissance				20.0	mW
B 25 à 50%	Valeur B	R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2- je suis désolé.		3375		K
B 25/80	Valeur B	R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2- je suis désolé.		3411		K
B 25/100	Valeur B	R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2- je suis désolé.		3433		K

Module Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
L CE	Inductivité de déplacement		15		nH
R le CJJ	Jonction-à-casquette (par T1 -T4 IGBT) Jonction-à-casquette (par D1/D4 D iode) Jonction-à-casquette (par D2/D3 D iode) Jonction-à-casquette (par D5/D6 D iode)			0.070 0.122 0.156 0.122	Pour les produits de base
R thCH	Casquette-à-dissipateur (par T 1-T4 IGBT) Casquette-à-dissipateur (par D1/D4 Diode) Casquette-à-dissipateur (par D2/D3 Diode) Casquette-à-dissipateur (par D5/D6 Diode)		0.043 0.053 0.069 0.053		Pour les produits de base
M	Le couple de montage Pour les appareils de type à moteur	3.0		5.0	N.m.
G	Poids de Module		250		g