GD275MJS120L6S, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je Nom de la CN

Collecteur C mis en œuvre courant

275

A

Je C

Courant collecteur @ T C = 100 o C

110

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

450

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V. Le groupe

Je FN

Courant direct mis en œuvre ent

275

A

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

300

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

450

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V. Le groupe

Je FN

Courant direct mis en œuvre ent

275

A

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

225

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

450

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V. Le groupe

Je FN

Courant direct mis en œuvre ent

275

A

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

300

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

450

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

3200

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =225A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

2.00

2.45

V. Le groupe

Je C =225A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C

2.70

Je C =225A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

2.90

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =9,00 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 25 o C

1.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

1.7

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE =25V,f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

38.1

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.66

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V

2.52

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =225A, R G =2Ω,V Généralement générés =-8/+15V, L S =36 nH ,T j = 25 o C

154

n.S.

t r

Il est temps de monter.

45

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

340

n.S.

t f

Temps d'automne

76

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

13.4

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

8.08

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =225A, R G =2Ω,V Généralement générés =-8/+15V, L S =36 nH ,T j = 125 o C

160

n.S.

t r

Il est temps de monter.

49

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

388

n.S.

t f

Temps d'automne

112

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

17.6

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

11.2

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =225A, R G =2Ω,V Généralement générés =-8/+15V, L S =36 nH ,T j = 150 o C

163

n.S.

t r

Il est temps de monter.

51

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

397

n.S.

t f

Temps d'automne

114

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

18.7

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

12.0

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.60

2.05

V. Le groupe

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C

1.60

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.60

Q: Le numéro r

Récupéré Charge

V. Le groupe R =600V,I F =225A,

-di/dt=5350A/μs,V Généralement générés = 8V L S =36 nH ,T j = 25 o C

20.1

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

250

A

E réc

Récupération Énergie

6.84

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Récupéré Charge

V. Le groupe R =600V,I F =225A,

-di/dt=5080A/μs,V Généralement générés = 8V L S =36 nH ,T j = 125 o C

32.5

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

277

A

E réc

Récupération Énergie

11.5

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Récupéré Charge

V. Le groupe R =600V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V Généralement générés = 8V L S =36 nH ,T j = 150 o C

39.0

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

288

A

E réc

Récupération Énergie

14.0

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =225A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.60

2.05

V. Le groupe

Je F =225A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C

1.60

Je F =225A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.60

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.60

2.05

V. Le groupe

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C

1.60

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.60

Q: Le numéro r

Récupéré Charge

V. Le groupe R =600V,I F =225A,

-di/dt=5050A/μs,V Généralement générés = 8V L S =30 nH ,T j = 25 o C

18.6

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

189

A

E réc

Récupération Énergie

5.62

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Récupéré Charge

V. Le groupe R =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V Généralement générés = 8V L S =30 nH ,T j = 125 o C

34.1

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

250

A

E réc

Récupération Énergie

11.4

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Récupéré Charge

V. Le groupe R =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V Généralement générés = 8V L S =30 nH ,T j = 150 o C

38.9

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

265

A

E réc

Récupération Énergie

13.2

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Dissipation de puissance

20.0

mW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

15

nH

R le CJJ

Jonction-à-casquette (par T1 -T4 IGBT) Jonction-à-casquette (par D1/D4 D iode) Jonction-à-casquette (par D2/D3 D iode) Jonction-à-casquette (par D5/D6 D iode)

0.070 0.122 0.156 0.122

Pour les produits de base

R thCH

Casquette-à-dissipateur (par T 1-T4 IGBT) Casquette-à-dissipateur (par D1/D4 Diode) Casquette-à-dissipateur (par D2/D3 Diode) Casquette-à-dissipateur (par D5/D6 Diode)

0.043 0.053 0.069 0.053

Pour les produits de base

M

Le couple de montage Pour les appareils de type à moteur

3.0

5.0

N.m.

G

Poids de Module

250

g