GD275MJS120L6S, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E Nom de la CN

Collecteur C mis en œuvre courant

275

A

E C

Courant collecteur @ T C =100o C

110

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

450

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

E FN

Courant direct mis en œuvre ent

275

A

E F

Diode courant continu avant Cu rente

300

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

450

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

E FN

Courant direct mis en œuvre ent

275

A

E F

Diode courant continu avant Cu rente

225

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

450

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

E FN

Courant direct mis en œuvre ent

275

A

E F

Diode courant continu avant Cu rente

300

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

450

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

3200

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C =225A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

2.00

2.45

V

E C =225A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.70

E C =225A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.90

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =9.00le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance interne de la porte

1.7

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

38.1

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.66

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =-15…+15V

2.52

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =225A, Barre G =2Ω,V Généralement générés =-8/+15V, L S =36nH ,T j =25o C

154

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

45

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

340

n.S.

t f

Temps d'automne

76

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

13.4

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

8.08

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =225A, Barre G =2Ω,V Généralement générés =-8/+15V, L S =36nH ,T j =125o C

160

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

49

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

388

n.S.

t f

Temps d'automne

112

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

17.6

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

11.2

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =225A, Barre G =2Ω,V Généralement générés =-8/+15V, L S =36nH ,T j =150o C

163

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

51

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

397

n.S.

t f

Temps d'automne

114

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

18.7

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

12.0

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

E F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.60

E F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.60

Q: Le numéro barre

Récupéré Charge

V Barre =600V,I F =225A,

-di/dt=5350A/μs,V Généralement générés = 8V L S =36nH ,T j =25o C

20.1

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

250

A

E réc

Récupération Énergie

6.84

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Récupéré Charge

V Barre =600V,I F =225A,

-di/dt=5080A/μs,V Généralement générés = 8V L S =36nH ,T j =125o C

32.5

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

277

A

E réc

Récupération Énergie

11.5

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Récupéré Charge

V Barre =600V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V Généralement générés = 8V L S =36nH ,T j =150o C

39.0

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

288

A

E réc

Récupération Énergie

14.0

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =225A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

E F =225A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.60

E F =225A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.60

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

E F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.60

E F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.60

Q: Le numéro barre

Récupéré Charge

V Barre =600V,I F =225A,

-di/dt=5050A/μs,V Généralement générés = 8V L S =30nH ,T j =25o C

18.6

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

189

A

E réc

Récupération Énergie

5.62

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Récupéré Charge

V Barre =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V Généralement générés = 8V L S =30nH ,T j =125o C

34.1

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

250

A

E réc

Récupération Énergie

11.4

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Récupéré Charge

V Barre =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V Généralement générés = 8V L S =30nH ,T j =150o C

38.9

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

265

A

E réc

Récupération Énergie

13.2

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de Barre 100

T C =100o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Dissipation de puissance

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

15

nH

Barre le CJJ

Jonction-à-casquette (par T1 -T4 IGBT) Jonction-à-casquette (par D1/D4 D iode) Jonction-à-casquette (par D2/D3 D iode) Jonction-à-casquette (par D5/D6 D iode)

0.070 0.122 0.156 0.122

Pour les produits de base

Barre thCH

Casquette-à-dissipateur (par T 1-T4 IGBT) Casquette-à-dissipateur (par D1/D4 Diode) Casquette-à-dissipateur (par D2/D3 Diode) Casquette-à-dissipateur (par D5/D6 Diode)

0.043 0.053 0.069 0.053

Pour les produits de base

M

Le couple de montage Pour les appareils de type à moteur

3.0

5.0

N.m.

G

Poids de Module

250

g