GD600HFX120C2SA,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

925

600

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1200

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

3000

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

I K

Diode kontinuierlich vorwärts rent

600

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1200

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 600 A, V GE =15V, T j =25 o C

1.65

2.00

V

I C = 600 A, V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C = 600 A, V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

60.8

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.84

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

4.64

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω,L S =20nH, V GE =±15V,T j =25 o C

308

nS

t r

Aufstiegszeit

42

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

431

nS

t k

Herbstzeit

268

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

15.7

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

51.3

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S =20 nH ,

V GE =±15V,T j =125 o C

311

nS

t r

Aufstiegszeit

49

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

467

nS

t k

Herbstzeit

351

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

31.1

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

69.4

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S =20 nH ,

V GE =±15V,T j =150 o C

313

nS

t r

Aufstiegszeit

51

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

475

nS

t k

Herbstzeit

365

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

34.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

71.1

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2400

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts

Spannung

I K = 600 A, V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

I K = 600 A, V GE =0V,T j = 125o C

1.90

I K = 600 A, V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I K = 600A,

-di/dt=13040A/μs,V GE =- 15 V, T j =25 o C

38.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

524

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

34.9

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I K = 600A,

-di/dt=11220A/μs,V G E =- 15 V, T j = 125o C

82.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

565

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

54.4

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I K = 600A,

-di/dt=11040A/μs,V G E =- 15 V, T j = 150o C

94.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

589

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

55.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.050

0.080

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.033

0.052

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g