GD600HFX120C2SA,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C

@ T C= 100o C

925

600

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1200

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

3000

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

IF

Diode kontinuierlich vorwärts rent

600

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1200

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 mINUTE

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC= 600 A, V GE =15V, T j =25o C

1.65

2.00

V

IC= 600 A, V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC= 600 A, V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

60.8

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

1.84

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

4.64

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω,L S =20nH, V GE =±15V,T j =25o C

308

nS

t r

Aufstiegszeit

42

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

431

nS

t f

Herbstzeit

268

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

15.7

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

51.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =20nH ,

V GE =±15V,T j =125o C

311

nS

t r

Aufstiegszeit

49

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

467

nS

t f

Herbstzeit

351

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

31.1

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

69.4

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =20nH ,

V GE =±15V,T j =150o C

313

nS

t r

Aufstiegszeit

51

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

475

nS

t f

Herbstzeit

365

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

34.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

71.1

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2400

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF = 600 A, V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF = 600 A, V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF = 600 A, V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=13040A/μs,V GE =- 15 V, T j =25o C

38.1

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

524

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

34.9

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=11220A/μs,V GE=- 15 V, T j = 125o C

82.8

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

565

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

54.4

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=11040A/μs,V GE=- 15 V, T j = 150o C

94.7

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

589

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

55.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.050

0.080

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.033

0.052

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g