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Wasserkühlung

Wasserkühlung

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MTx500 MFx500 MT500, Thyristor/Diodenmodule, Wasserkühlung

500A,600V bis 1800V,406F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
MTx500 MFx500 MT500
Appurtenance:

Produktbroschüre:HERUNTERLADEN

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Einführung

Kurze Einführung

Thyristor/ Diodenmodul , MTx 500 MFx 500 MT 500500Ein ,Wasserkühlung von TECHSEM produziert.

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

1800V

MT3 Verbraucher

MT3 Verbraucher

MT3B1B2B3

MT3Beibe

MT3B1B2B3

MT3B1B2B3

MT3B1B2B3

MT520-32F3G

MFx500-06-406F3

MFx500-08-406F3

MFx500-10-406F3

MFx500-12-406F3

MFx500-14-406F3

MFx500-16-406F3

MFx500-18-406F3

MTx steht für jede Art von MTC, MTA , MTK

MFx steht für jede Art von MFC, Außenminister, MFK

Funktionen

  • Isolierte Montagesockel 3000V~
  • Druckkontakttechnologie mit
  • Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
  • Platz- und Gewichtseinsparung

Typische Anwendungen

  • AC/DC-Motorantriebe
  • Verschiedene Gleichrichter
  • Gleichstromversorgung für PWM-Inverter

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, THS=55

125

500

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

785

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

35

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t=10ms halber Sinus,

125

14.5

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

1051

103Ein 2s

VTO

Schwellenspannung

125

0.80

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.64

VTM

Spitzeneinschaltspannung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die folgenden Fahrzeuge:

25

1.90

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

V

IH

Haltestrom

10

200

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.085

C/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.040

C/W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Drehmoment der Endverbindung ((M12)

12

14

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

C

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

C

Wt

Gewicht

1580

g

Gliederung

406F3

Gliederung

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