Kurze Einführung
Thyristor/Diode-Modul, MTx 400 MFx 400 MT 400，400A ,Wasserkühlung ，von TECHSEM produziert.
VRRM,VDRM |
Typ & Umriss |
|
2600 V
2800 V
3000 V
3200 V
3400V
3600 V
3600 V
|
MT4Einheitliche Anlage
MT4Einheitliche Anlage
MT4Einheitliche Anlage
MT4Einheitliche Anlage
MT4Einheitliche Anlage
MT3F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6
MT4203 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
|
MFx400-26-406F3
MFx400-28-406F3
MFx400-30-406F3
MFx400-32-406F3
MFx400-34-406F3
MFx400-36-406F3
|
|
MTx steht für jede Art von MTC, MTA, MTK
MFx steht für jede Art von MFC, MFA, MFK
|
Merkmale
- Isolierte Montagesockel 3000V~
- Druckkontakttechnologie mit
- Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
- Platz- und Gewichtseinsparung
Typische Anwendungen
- AC/DC-Motorantriebe
- Verschiedene Gleichrichter
- Gleichstromversorgung für PWM-Inverter
|
Symbol
|
Eigenschaften
|
Prüfbedingungen
|
Tj( ℃ ) |
Wert |
Einheit
|
Min |
TYP |
Max |
IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180° halbe Sinuswelle 50Hz
Einseitig gekühlt, THS=55 ℃
|
125
|
|
|
400 |
A |
IT(RMS) |
RMS Durchlassstrom |
|
|
628 |
A |
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM bei VRRM |
125 |
|
|
50 |
mA |
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
VR=60%VRRM, t=10ms halber Sinus, |
125 |
|
|
10.5 |
kA |
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
125 |
|
|
551 |
103A 2s |
VTO |
Schwellenspannung |
|
125
|
|
|
0.85 |
V |
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
|
|
0.90 |
mΩ |
VTM |
Spitzeneinschaltspannung |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
25 |
|
|
2.85 |
V |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
Gate-Source 1.5A
tr ≤0.5μs Wiederholend
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA=12V, IA=1A
|
25
|
30 |
|
200 |
mA |
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Haltestrom |
10 |
|
200 |
mA |
IL |
Haltestrom |
|
|
1000 |
mA |
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.100 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.040 |
℃ /W |
VISO |
Isolationsspannung |
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max) |
|
4000 |
|
|
V |
|
FM
|
Drehmoment der Endverbindung ((M12) |
|
|
12 |
|
14 |
N·m |
Montagedrehmoment (M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
N·m |
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
1580 |
|
g |
Gliederung |
406F3 |
EN
