GD200HFQ120C2SD,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

324

200

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

400

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

1181

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

200

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

400

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=200A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=200A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=200A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=8.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

3.8

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

21.6

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.59

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

1.68

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=200A, R G= 4,7Ω, LS =45nH , V GE =±15V,T vj =25o C

100

nS

t r

Aufstiegszeit

72

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

303

nS

t f

Herbstzeit

71

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

26.0

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

6.11

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=200A, R G= 4,7Ω, LS =45nH , V GE =±15V,T vj =125o C

99

nS

t r

Aufstiegszeit

76

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

325

nS

t f

Herbstzeit

130

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

33.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

8.58

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=200A, R G= 4,7Ω, LS =45nH , V GE =±15V,T vj =150o C

98

nS

t r

Aufstiegszeit

80

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

345

nS

t f

Herbstzeit

121

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

36.2

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

9.05

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

750

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

F r

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs, V GE = 15 V, LS =45nH ,T vj =25o C

19.4

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

96

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

5.66

mJ

F r

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs, V GE = 15 V, LS =45nH ,T vj =125o C

29.5

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

106

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.56

mJ

F r

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs, V GE = 15 V, LS =45nH ,T vj =150o C

32.2

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

107

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.24

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction – nach – Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.127 0.163

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.036 0.046 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g