GD900HFA120C6S, IGBT Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=90o C

900

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1800

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

3409

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Diode kontinuierlich vorwärts rent

900

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1800

A

IFSM

Überspannungs-Vorwärtsstrom t p = 10 ms @ T j =25o C @ T j =150o C

4100

3000

A

I2t

I2t-Wert,t p =10ms @ T j =25o C

@ T j =150o C

84000

45000

A2s

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC=900A,V GE =15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC=900A,V GE =15V, T j =125o C

1.60

IC=900A,V GE =15V, T j =175o C

1.65

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

0.36

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

13.6

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =25o C

330

nS

t r

Aufstiegszeit

140

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

842

nS

t f

Herbstzeit

84

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

144

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

87.8

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =125o C

373

nS

t r

Aufstiegszeit

155

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

915

nS

t f

Herbstzeit

135

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

186

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

104

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =175o C

390

nS

t r

Aufstiegszeit

172

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

950

nS

t f

Herbstzeit

162

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

209

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

114

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤8μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3200

A

t P≤6μs,V GE =15V,

T j =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3000

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF =900A,V GE =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

IF =900A,V GE =0V,T j =125o C

1.65

IF =900A,V GE =0V,T j =175o C

1.55

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T j =25o C

91.0

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

441

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.3

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T j =125o C

141

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

493

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

42.5

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T j =175o C

174

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

536

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

52.4

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2–

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2–

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2–

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.80

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.044

0.076

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.028

0.049

0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

350

g