Alla kategorier
Begär ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Startsida/Produkter/IGBT-modul/IGBT-modul 1200V

GD600HFY120C6S,IGBT Modul,STARPOWER

IGBT-modul, 1200V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFY120C6S
  • Introduktion
  • Översikt
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul , tillverkad av STARPOWER. 1200V 600A.

Funktioner

  • Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Maximal sammanslagningstemperatur 175oC
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typisk Tillämpningar

  • Hybrid och el ve hicle
  • Inverterare för motor d riksväg
  • Oavbruten kraft r strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T C=25o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1090

600

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

1200

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

3947

W

Diod

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

IF

Diod kontinuerlig framåtström hyra

600

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1200

A

Modul

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

IGBT Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =125o C

1.90

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =150o C

1.95

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=24.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.2

5.8

6.4

V

ICES

Samlar Avbrott Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.7

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

62.1

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

1.74

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

4.62

μC

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

136

n

t r

Uppgångstid

77

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

494

n

t f

Hösttid

72

n

E

Tänd Växling

Förlust

53.1

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

48.4

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C

179

n

t r

Uppgångstid

77

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

628

n

t f

Hösttid

113

n

E

Tänd Växling

Förlust

70.6

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

74.2

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C

179

n

t r

Uppgångstid

85

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

670

n

t f

Hösttid

124

n

E

Tänd Växling

Förlust

76.5

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

81.9

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Diod Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt

Spänning

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =125o C

2.05

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =150o C

2.10

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V Generella =- 15 V, T j =25o C

58.9

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

276

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

20.9

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V Generella =- 15 V, T j =125o C

109

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

399

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

41.8

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V Generella =- 15 V, T j =150o C

124

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

428

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

48.5

mJ

NTC Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

δR/R

Avvikelse av R 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2

1/(298.15K))]

3433

K

Modul Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.038

0.066

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.028

0.049

0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g

Översikt

image(c537ef1333).png

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Relaterad produkt

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Begär ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000