GD200HFX120C2SA_B36,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C=100o C

340

200

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

400

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

1190

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

200

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

400

A

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC=200A,V Generella =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=200A,V Generella =15V, T j =125o C

1.95

IC=200A,V Generella =15V, T j =150o C

2.00

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=8.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

3.75

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

20.7

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

0.58

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

1.55

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G=1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

150

n

t r

Uppgångstid

32

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

330

n

t f

Hösttid

93

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

9.7

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

11.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G=1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C

161

n

t r

Uppgångstid

37

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

412

n

t f

Hösttid

165

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

20.2

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

17.0

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G=1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C

161

n

t r

Uppgångstid

43

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

433

n

t f

Hösttid

185

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

22.4

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

19.1

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

IF =200A,V Generella =0V,T j =25o C

2.40

2.90

V

IF =200A,V Generella =0V,T j =125o C

1.95

IF =200A,V Generella =0V,T j =150o C

1.80

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

20.3

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

160

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

8.0

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V Generella =- 15V T j =125o C

38.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

201

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

14.2

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V Generella =- 15V T j =150o C

44.2

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

212

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

15.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.126

0.211

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Kapsling-till-kylfläns (pe r diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.032

0.053

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g