GD400CLU120C2SD,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C@ T C=60o C

519

400

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

800

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =150o C

2450

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

400

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

800

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC= 400 A,V Generella =15V, T vj =25o C

2.90

3.35

V

IC= 400 A,V Generella =15V, T vj =125o C

3.60

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=16.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

4.5

5.5

6.5

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.6

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

26.0

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

1.70

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

4.2

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G= 2,2Ω, LS =30nH , V Generella =±15V,T vj =25o C

252

n

t r

Uppgångstid

63

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

427

n

t f

Hösttid

44

n

Epå

Tänd Växling Förlust

24.7

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

16.5

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G= 2,2Ω, LS =30nH , V Generella =±15V,T vj =125o C

258

n

t r

Uppgångstid

65

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

465

n

t f

Hösttid

57

n

Epå

Tänd Växling Förlust

35.2

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

22.6

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =125o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1600

A

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

30

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.051 0.114

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.019 0.042 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g