GD400HTX120P4SD,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IFN

Implementerad Forward Cu rent

400

A

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

300

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

800

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=300A,V Generella =15V, T j =25o C

1.50

1.95

V

IC=300A,V Generella =15V, T j =125o C

1.60

IC=300A,V Generella =15V, T j =150o C

1.65

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=16.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.3

5.8

6.3

V

ICES

Samlar Avbrott – Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

0.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

41.4

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

1.16

nF

QG

Portavgift

V Generella =15V

3.11

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =500V,I C=300A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =25nH ,T j =25o C

223

n

t r

Uppgångstid

32

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

354

n

t f

Hösttid

228

n

Epå

Tänd Växling Förlust

6.24

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

20.1

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =500V,I C=300A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, Ls=25nH,T j =125o C

229

n

t r

Uppgångstid

36

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

411

n

t f

Hösttid

344

n

Epå

Tänd Växling Förlust

11.0

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

28.6

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =500V,I C=300A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, Ls=25nH,T j =150o C

231

n

t r

Uppgångstid

38

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

421

n

t f

Hösttid

352

n

Epå

Tänd Växling Förlust

12.2

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

29.7

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

1600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

IF =300A,V Generella =0V,T j =25o C

1.35

1.80

V

IF =300A,V Generella =0V,T j =125o C

1.35

IF =300A,V Generella =0V,T j =150o C

1.35

Qr

Återkrävt avgift

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=9700A/μs,V Generella =-15V Ls=25nH,T j =25o C

32.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

478

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

22.1

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=8510A/μs,V Generella =-15V Ls=25nH,T j =125o C

45.9

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

522

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

32.7

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=8250A/μs,V Generella =-15V Ls=25nH,T j =150o C

51.5

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

537

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

37.4

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

△p

Tryckfall Kyl Cir svamp

△V/ △t=10.0 dm 3/mIN ;T F =25o C;Kylning Vätska=50% Vatten/50% Etylenglykol

100

mbar

p

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

2.5

bar

LCE

Strömavtryck

14

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.80

mΩ

R thJF

Tvättpunkt – till – Kylning Vätska (perIGBT ) Junction-till-kylvätska (per Di (s.d.)

0.100 0.125

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

1340

g