GD50PIX170C6SA, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

100

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

384

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

50

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

100

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1600

V

IO

Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg

50

A

IFSM

Spetsström framåt V R =0V,T p =10ms,T j =45o C

850

A

I2t

I2t-värde,V R =0V,T p =10m s,T j =45o C

3610

A2s

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

100

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

384

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

50

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

100

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal spänningsföreningstemperatur (inverterare, broms) Maximala kopplings temperatur (rektifierare)

175

150

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=50A,V Generella =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=50A,V Generella =15V, T j =125o C

2.25

IC=50A,V Generella =15V, T j =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=2.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portresis - Självklart.

9.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

6.02

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.15

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=50A, R G=9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

163

n

t r

Uppgångstid

44

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

290

n

t f

Hösttid

347

n

Epå

Tänd Växling Förlust

12.7

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

7.28

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=50A, R G=9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C

186

n

t r

Uppgångstid

51

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

361

n

t f

Hösttid

535

n

Epå

Tänd Växling Förlust

17.9

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

11.1

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=50A, R G=9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C

192

n

t r

Uppgångstid

52

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

374

n

t f

Hösttid

566

n

Epå

Tänd Växling Förlust

20.0

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

12.0

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =50A,V Generella =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =50A,V Generella =0V,T j =125o C

1.95

IF =50A,V Generella =0V,T j =150o C

1.90

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j =25o C

11.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

48

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

6.08

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j =125o C

20.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

52

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

11.4

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j =150o C

23.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

54

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

13.1

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =50A, V Generella =0V, T j =150o C

1.14

V

IR

Omvänd ström

T j =150o C,V R =1600V

3.0

mA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=50A,V Generella =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=50A,V Generella =15V, T j =125o C

2.25

IC=50A,V Generella =15V, T j =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=2.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

9.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

6.02

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.15

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=50A, R G=9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

163

n

t r

Uppgångstid

44

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

290

n

t f

Hösttid

347

n

Epå

Tänd Växling Förlust

12.7

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

7.28

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=50A, R G=9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C

186

n

t r

Uppgångstid

51

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

361

n

t f

Hösttid

535

n

Epå

Tänd Växling Förlust

17.9

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

11.1

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=50A, R G=9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C

192

n

t r

Uppgångstid

52

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

374

n

t f

Hösttid

566

n

Epå

Tänd Växling Förlust

20.0

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

12.0

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =50A,V Generella =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =50A,V Generella =0V,T j =125o C

1.95

IF =50A,V Generella =0V,T j =150o C

1.90

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j =25o C

11.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

48

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

6.08

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j =125o C

20.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

52

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

11.4

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j =150o C

23.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

54

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

13.1

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

60

nH

R CC+EE R AA ’+CC ’

Modulledningsresistans nce, Terminal till Chip

4.00 2.00

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT -inverter ) Förbindelse-till-kassa (per DIOD-inverterare) r) Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier) Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT -broms )

Förening-till-kassa (per Diode-br ake)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

K/W

R thCH

Fall -till -Värmesänkande (perIGBT -inverter )Kasse-till-kylblock (per Diode-i nverter) Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier) Fall -till -Värmesänkande (perIGBT -broms )

Kassa-till-kylblock (per Dio de-brake) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

K/W

M

Monteringsmoment Skruv: M5

3.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g