1700V 50A
Kort introduktion
IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1700V 50A.
Funktioner
Typiska Tillämpningar
Absolut Maximal Betyg T F =25 o C om inte i annat fall noterat
IGBT-omvandlare
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1700 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =25 o C @ T C =100 o C |
100 50 |
A |
Jag CM |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
100 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 o C |
384 |
W |
Diod-omvandlare
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1700 |
V |
Jag F |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent |
50 |
A |
Jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
100 |
A |
Diode-rektifierare
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1600 |
V |
Jag O |
Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg |
50 |
A |
Jag FSM |
Spetsström framåt V R =0V,T p =10ms,T j =45 o C |
850 |
A |
Jag 2t |
Jag 2t-värde,V R =0V,T p =10m s,T j =45 o C |
3610 |
A 2s |
IGBT-broms
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1700 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =25 o C @ T C =100 o C |
100 50 |
A |
Jag CM |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
100 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 o C |
384 |
W |
Diod -broms
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1700 |
V |
Jag F |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent |
50 |
A |
Jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
100 |
A |
Modul
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
T jmax |
Maximal spänningsföreningstemperatur (inverterare, broms) Maximala kopplings temperatur (rektifierare) |
175 150 |
o C |
T - Vad? |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +150 |
o C |
T STG |
Lagrings temperaturintervall |
-40 till +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min |
4000 |
V |
IGBT -inverter Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
V CE (sat) |
Samlare till emitterare Mätningsspänning |
Jag C =50A,V Generella =15V, T j =25 o C |
|
1.85 |
2.20 |
V |
Jag C =50A,V Generella =15V, T j =125 o C |
|
2.25 |
|
|||
Jag C =50A,V Generella =15V, T j = 150 o C |
|
2.35 |
|
|||
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =2.0 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 o C |
|
|
5.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portresis - Självklart. |
|
|
9.5 |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V |
|
6.02 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.15 |
|
nF |
|
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15 ...+15V |
|
0.47 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC = 900 V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 o C |
|
163 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
44 |
|
n |
|
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
290 |
|
n |
|
t f |
Hösttid |
|
347 |
|
n |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
12.7 |
|
mJ |
|
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
7.28 |
|
mJ |
|
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC = 900 V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125 o C |
|
186 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
51 |
|
n |
|
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
361 |
|
n |
|
t f |
Hösttid |
|
535 |
|
n |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
17.9 |
|
mJ |
|
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
11.1 |
|
mJ |
|
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC = 900 V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150 o C |
|
192 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
52 |
|
n |
|
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
374 |
|
n |
|
t f |
Hösttid |
|
566 |
|
n |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
20.0 |
|
mJ |
|
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
12.0 |
|
mJ |
|
Jag SC |
SK-uppgifter |
t P ≤10μs, V Generella =15V, T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V |
|
200 |
|
A |
Diod -inverter Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
V F |
Diod framåt Spänning |
Jag F =50A,V Generella =0V,T j =25 o C |
|
1.80 |
2.25 |
V |
Jag F =50A,V Generella =0V,T j =125 o C |
|
1.95 |
|
|||
Jag F =50A,V Generella =0V,T j = 150 o C |
|
1.90 |
|
|||
Q r |
Återkrävt avgift |
V R = 900 V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j =25 o C |
|
11.8 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd Återställningsström |
|
48 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
6.08 |
|
mJ |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R = 900 V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j =125 o C |
|
20.7 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd Återställningsström |
|
52 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
11.4 |
|
mJ |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R = 900 V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j = 150 o C |
|
23.7 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd Återställningsström |
|
54 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
13.1 |
|
mJ |
Diod -rektifierare Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
V F |
Diod framåt Spänning |
Jag F =50A, V Generella =0V, T j = 150 o C |
|
1.14 |
|
V |
Jag R |
Omvänd ström |
T j = 150 o C,V R =1600V |
|
|
3.0 |
mA |
IGBT -broms Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
V CE (sat) |
Samlare till emitterare Mätningsspänning |
Jag C =50A,V Generella =15V, T j =25 o C |
|
1.85 |
2.20 |
V |
Jag C =50A,V Generella =15V, T j =125 o C |
|
2.25 |
|
|||
Jag C =50A,V Generella =15V, T j = 150 o C |
|
2.35 |
|
|||
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =2.0 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 o C |
|
|
5.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd |
|
|
9.5 |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V |
|
6.02 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.15 |
|
nF |
|
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15 ...+15V |
|
0.47 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC = 900 V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 o C |
|
163 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
44 |
|
n |
|
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
290 |
|
n |
|
t f |
Hösttid |
|
347 |
|
n |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
12.7 |
|
mJ |
|
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
7.28 |
|
mJ |
|
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC = 900 V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125 o C |
|
186 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
51 |
|
n |
|
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
361 |
|
n |
|
t f |
Hösttid |
|
535 |
|
n |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
17.9 |
|
mJ |
|
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
11.1 |
|
mJ |
|
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC = 900 V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150 o C |
|
192 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
52 |
|
n |
|
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
374 |
|
n |
|
t f |
Hösttid |
|
566 |
|
n |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
20.0 |
|
mJ |
|
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
12.0 |
|
mJ |
|
Jag SC |
SK-uppgifter |
t P ≤10μs, V Generella =15V, T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V |
|
200 |
|
A |
Diod -broms Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
V F |
Diod framåt Spänning |
Jag F =50A,V Generella =0V,T j =25 o C |
|
1.80 |
2.25 |
V |
Jag F =50A,V Generella =0V,T j =125 o C |
|
1.95 |
|
|||
Jag F =50A,V Generella =0V,T j = 150 o C |
|
1.90 |
|
|||
Q r |
Återkrävt avgift |
V R = 900 V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j =25 o C |
|
11.8 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd Återställningsström |
|
48 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
6.08 |
|
mJ |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R = 900 V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j =125 o C |
|
20.7 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd Återställningsström |
|
52 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
11.4 |
|
mJ |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R = 900 V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j = 150 o C |
|
23.7 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd Återställningsström |
|
54 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
13.1 |
|
mJ |
NTC Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
R 25 |
Nominellt motstånd |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Avvikelse av R 100 |
T C =100 o C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Ström Dissipation |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
L Ce |
Strömavtryck |
|
60 |
|
nH |
R CC+EE R AA + CC ’ |
Modulledningsresistans nce, Terminal till Chip |
|
4.00 2.00 |
|
mΩ |
R tJC |
Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT -inverter ) Förbindelse-till-kassa (per DIOD-inverterare) r) Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier) Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT -broms ) Förening-till-kassa (per Diode-br ake) |
|
|
0.390 0.554 0.565 0.390 0.554 |
K/W |
R thCH |
Housse -till -Värmesänkande (perIGBT -inverter )Kasse-till-kylblock (per Diode-i nverter) Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier) Housse -till -Värmesänkande (perIGBT -broms ) Kassa-till-kylblock (per Dio de-brake) Hylsa till värmesänk (per Modul) |
|
0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009 |
|
K/W |
M |
Monteringsmoment Skruv: M5 |
3.0 |
|
6.0 |
N.M |
G |
Vikt av Modul |
|
300 |
|
g |
Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.