GD400HTX120P6HL,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag CN

Implementerad samlare Cu rent

400

A

Jag C

Samlarström @ T F =100o C

250

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

800

A

P D

Maximal effektförlust ation @ T F =75o C T j =175o C

862

W

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd spänning generella

1200

V

Jag FN

Implementerad samlare Cu rent

400

A

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

250

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

800

A

Jag 2t

Jag 2t-värde, t p =10ms @ T j =125o C @ T j =150o C

17860

15664

A 2s

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig

För 10s inom en period av 30s, förekomst maximalt 3000 gånger under livslängd jag

-40 till +150 +150 till +175

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C =250A,V Generella =15V, T j =25o C

1.45

1.80

V

Jag C =250A,V Generella =15V, T j =125o C

1.65

Jag C =250A,V Generella =15V, T j =150o C

1.70

Jag C =380A,V Generella =15V, T j =25o C

1.70

Jag C =380A,V Generella =15V, T j =150o C

2.15

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =9.75mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

2.4

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

33.6

nF

C övriga

Utgångskapacitet

1.43

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.82

nF

Q G

Portavgift

V CE =600V,I C =250A, V Generella =-8...+15V

1.98

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =250A, R G = 2,2Ω, L S =24nH ,V Generella =-8V/+15V,

T j =25o C

231

n

t r

Uppgångstid

50

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

545

n

t f

Hösttid

172

n

E på

Tänd Växling Förlust

19.6

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

23.2

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =250A, R G = 2,2Ω, L S =24nH ,V Generella =-8V/+15V,

T j =125o C

241

n

t r

Uppgångstid

57

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

619

n

t f

Hösttid

247

n

E på

Tänd Växling Förlust

26.6

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

28.7

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =250A, R G = 2,2Ω, L S =24nH ,V Generella =-8V/+15V,

T j =150o C

245

n

t r

Uppgångstid

57

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

641

n

t f

Hösttid

269

n

E på

Tänd Växling Förlust

30.1

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

30.9

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤6μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F =250A,V Generella =0V,T j =25o C

1.50

1.90

V

Jag F =250A,V Generella =0V,T j =125o C

1.45

Jag F =250A,V Generella =0V,T j =150o C

1.40

Jag F =380A,V Generella =0V,T j =25o C

1.65

Jag F =380A,V Generella =0V,T j =150o C

1.60

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =250A,

-di/dt=4860A/μs,V Generella =-8V L S =24nH ,T j =25o C

9.10

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

160

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

4.39

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =250A,

-di/dt=4300A/μs,V Generella =-8V L S =24nH ,T j =125o C

21.4

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

192

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

8.43

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =250A,

-di/dt=4120A/μs,V Generella =-8V L S =24nH ,T j =150o C

25.7

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

203

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

9.97

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L CE

Strömavtryck

8

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dm 3/min ,T F =75o C

64

mbar

p

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

2.5

bar

R thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D jod)

0.098 0.128

0.116 0.150

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vikt av Modul

750

g