GD400HTX120P6HL,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

ICN

Implementerad samlare Cu rent

400

A

IC

Samlarström @ T F =100o C

250

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

800

A

PD

Maximal effektförlust ation @ T F =75o C T j =175o C

862

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd spänning generella

1200

V

IFN

Implementerad samlare Cu rent

400

A

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

250

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

800

A

I2t

I2t-värde, t p =10ms @ T j =125o C @ T j =150o C

17860

15664

A2s

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig

För 10s inom en period av 30s, förekomst maximalt 3000 gånger under livslängd jag

-40 till +150 +150 till +175

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mINUT

3000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=250A,V Generella =15V, T j =25o C

1.45

1.80

V

IC=250A,V Generella =15V, T j =125o C

1.65

IC=250A,V Generella =15V, T j =150o C

1.70

IC=380A,V Generella =15V, T j =25o C

1.70

IC=380A,V Generella =15V, T j =150o C

2.15

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=9.75mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

2.4

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

33.6

nF

Cövriga

Utgångskapacitet

1.43

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.82

nF

QG

Portavgift

V CE =600V,I C =250A, V Generella =-8...+15V

1.98

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=250A, R G= 2,2Ω, LS =24nH ,V Generella =-8V/+15V,

T j =25o C

231

n

t r

Uppgångstid

50

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

545

n

t f

Hösttid

172

n

Epå

Tänd Växling Förlust

19.6

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

23.2

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=250A, R G= 2,2Ω, LS =24nH ,V Generella =-8V/+15V,

T j =125o C

241

n

t r

Uppgångstid

57

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

619

n

t f

Hösttid

247

n

Epå

Tänd Växling Förlust

26.6

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

28.7

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=250A, R G= 2,2Ω, LS =24nH ,V Generella =-8V/+15V,

T j =150o C

245

n

t r

Uppgångstid

57

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

641

n

t f

Hösttid

269

n

Epå

Tänd Växling Förlust

30.1

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

30.9

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤6μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =250A,V Generella =0V,T j =25o C

1.50

1.90

V

IF =250A,V Generella =0V,T j =125o C

1.45

IF =250A,V Generella =0V,T j =150o C

1.40

IF =380A,V Generella =0V,T j =25o C

1.65

IF =380A,V Generella =0V,T j =150o C

1.60

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =250A,

-di/dt=4860A/μs,V Generella =-8V LS =24nH ,T j =25o C

9.10

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

160

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

4.39

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =250A,

-di/dt=4300A/μs,V Generella =-8V LS =24nH ,T j =125o C

21.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

192

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

8.43

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =250A,

-di/dt=4120A/μs,V Generella =-8V LS =24nH ,T j =150o C

25.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

203

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

9.97

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

8

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dm 3/mINUT ,T F =75o C

64

mbar

p

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

2.5

bar

R thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D jod)

0.098 0.128

0.116 0.150

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vikt av Modul

750

g