GD400SGU120C2S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

VCES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

VGES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

ICM

Pulsad samlarström tp=1ms

800

A

PD

Maximal strömförlust @ T = 150oC

2659

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

VRRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

IF

Diod kontinuerlig framström

400

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström tp=1ms

800

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

Tjmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

oC

- Vad är det?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

oC

TSTG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

oC

VISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

Jag C = 400 A,V Generella =15V, T j =25o C

2.90

3.35

V

Jag C = 400 A,V Generella =15V, T j =125o C

3.60

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C = 16 mA, V CE =V Generella , T j =25o C

4.5

5.5

6.5

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.6

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

26.0

nF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.70

nF

Q G

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

4.2

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,

V Generella =± 15 V, T j =25o C

76

n

t r

Uppgångstid

57

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

529

n

t f

Hösttid

73

n

E på

Tänd Växling

Förlust

5.2

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

23.2

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,

V Generella =± 15 V, T j = 125o C

81

n

t r

Uppgångstid

62

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

567

n

t f

Hösttid

81

n

E på

Tänd Växling

Förlust

9.9

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

31.7

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =125o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

2800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt

Spänning

Jag F = 400 A,V Generella =0V,T j =25o C

1.96

2.31

V

Jag F = 400 A,V Generella =0V,T j = 125o C

1.98

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=6000A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

24.9

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

317

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

16.0

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=6000A/μs,V Generella =- 15V T j = 125o C

35.5

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

391

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

21.4

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L CE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modulledningsresistans nce, terminal till chip

0.18

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.047

0.100

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Kapsling-till-kylfläns (pe r diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.015

0.031

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g