MZ100,Snabb återställningsdiodmodul,TECHSEM

VRRM

Typ & Kontur

600V

MZ100-06-210F2NA

MZ100-06-210F2NK

800V

MZ100-08-210F2NA

MZ100-08-210F2NK

1000V

MZ100-10-210F2NA

MZ100-10-210F2NK

1200V

MZ100-12-210F2NA

MZ100-12-210F2NK

1400V

MZ100-14-210F2NA

MZ100-14-210F2NK

1600V

MZ100-16-210F2NA

MZ100-16-210F2NK

1800V

MZ100-18-210F2NA

MZ100-18-210F2NK

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

IF(AV)

Medel framåtriktad ström

180° halv sinusvåg 50Hz

Ensidigt kylbar, TC= 100 ℃

140

100

A

IF (RMS)

RMS framåtriktad ström

157

A

IRRM

Återkommande toppström

vid VRRM

140

30

mA

IFSM

Överspännings framåtström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

140

3.5

kA

I2t

I2t för smältkoordination

61

A ²s* 10 ³

VFO

Tröskelspänning

140

1.05

V

rF

Framåtlutande resistans

1.80

mΩ

VFM

Topp framåtriktad spänning

IFM=300A

25

1.90

V

trr

Återställningstiden

IFM=200A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V

140

4

μs

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.200

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.080

℃ /W

FM

Terminalanslutningstorque (M6)

6.0

N·m

Monteringsmoment (M6)

6.0

N·m

Tvj

Sammanslagningstemperatur

-40

140

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

185

g

Översikt

210F2