GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

Övergående spänning för utgivare

±20 ±30

V

IC

Samlarström @ T C=25o C@ T C=95o C

1280

800

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

1600

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

3191

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diode Kontinuerlig Framåtström ent

800

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1600

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +175

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=800A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.30

1.75

V

IC=800A,V Generella =15V, T vj =125o C

1.45

IC=800A,V Generella =15V, T vj =150o C

1.50

IC=800A,V Generella =15V, T vj =175o C

1.55

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=32.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.5

6.1

7.0

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

0.38

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

156

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

1.10

nF

QG

Portavgift

V Generella =-8...+15V

10.3

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=800A, R G=1.2Ω,

V Generella =-8V/+15V, T vj =25o C

338

n

t r

Uppgångstid

174

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1020

n

t f

Hösttid

100

n

Epå

Tänd Växling Förlust

65.2

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

88.8

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=800A, R G=1.2Ω,

V Generella =-8V/+15V, T vj =125o C

398

n

t r

Uppgångstid

203

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1140

n

t f

Hösttid

183

n

Epå

Tänd Växling Förlust

96.6

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

109

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=800A, R G=1.2Ω,

V Generella =-8V/+15V, T vj =150o C

413

n

t r

Uppgångstid

213

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1140

n

t f

Hösttid

195

n

Epå

Tänd Växling Förlust

105

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

113

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=800A, R G=1.2Ω,

V Generella =-8V/+15V, T vj =175o C

419

n

t r

Uppgångstid

223

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1142

n

t f

Hösttid

205

n

Epå

Tänd Växling Förlust

110

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

115

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤8μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3300

A

ISC

SK-uppgifter

t P≤6μs, V Generella =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3000

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =800A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =800A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.85

IF =800A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.85

IF =800A,V Generella =0V,T vj =175o C

1.85

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=5510A/μs,V Generella = 8 V, T vj =25o C

28.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

311

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

13.9

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=4990A/μs,V Generella = 8 V, T vj =125o C

56.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

378

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

23.7

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=4860A/μs,V Generella = 8 V, T vj =150o C

66.3

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

395

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

26.7

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=4790A/μs,V Generella = 8 V, T vj =175o C

72.1

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

403

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

28.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.42

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.047 0.083

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.031 0.055 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

320

g