GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT-modul, STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 800A.

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

Inverterare för motordrivning
Förstärkare för AC- och DC-servoanström
Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25 o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning Övergående spänning för utgivare	±20 ±30	V
Jag C	Samlarström @ T C =25 o C @ T C = 95 o C	1280 800	A
Jag CM	Pulsad samlarström t p =1 ms	1600	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T vj = 175 o C	3191	W

Diod

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt ålder	1200	V
Jag F	Diode Kontinuerlig Framåtström ent	800	A
Jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms	1600	A

Modul

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
T vjmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	o C
T vjop	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +175	o C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	o C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	Jag C =800A,V Generella =15V, T vj =25 o C		1.30	1.75	V
		Jag C =800A,V Generella =15V, T vj =125 o C		1.45
		Jag C =800A,V Generella =15V, T vj = 150 o C		1.50
		Jag C =800A,V Generella =15V, T vj = 175 o C		1.55
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	Jag C =32.0 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C	5.5	6.1	7.0	V
Jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C			1.0	mA
Jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Inre portmotstånd			0.38		ω
C ies	Inmatningskapacitet	V Ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V		156		nF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V Ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V		1.10		nF
Q G	Portavgift	V Generella =-8...+15V		10.3		μC
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω, V Generella =-8V/+15V, T vj =25 o C		338		n
t r	Uppgångstid			174		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1020		n
t f	Hösttid			100		n
E på	Tänd Växling Förlust			65.2		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			88.8		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω, V Generella =-8V/+15V, T vj =125 o C		398		n
t r	Uppgångstid			203		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1140		n
t f	Hösttid			183		n
E på	Tänd Växling Förlust			96.6		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			109		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω, V Generella =-8V/+15V, T vj = 150 o C		413		n
t r	Uppgångstid			213		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1140		n
t f	Hösttid			195		n
E på	Tänd Växling Förlust			105		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			113		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω, V Generella =-8V/+15V, T vj = 175 o C		419		n
t r	Uppgångstid			223		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1142		n
t f	Hösttid			205		n
E på	Tänd Växling Förlust			110		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			115		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust
Jag SC	SK-uppgifter	t P ≤8μs, V Generella =15V, T vj = 150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		3300		A
Jag SC	SK-uppgifter	t P ≤6μs, V Generella =15V, T vj = 175 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		3000		A

Diod Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V F	Diod framåt Spänning	Jag F =800A,V Generella =0V,T vj =2 5o C		1.85	2.30	V
		Jag F =800A,V Generella =0V,T vj =125 o C		1.85
		Jag F =800A,V Generella =0V,T vj = 150 o C		1.85
		Jag F =800A,V Generella =0V,T vj = 175 o C		1.85
Q r	Återkrävt avgift	V R =600V,I F =800A, -di/dt=5510A/μs,V Generella = 8 V, T vj =25 o C		28.6		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			311		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			13.9		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R =600V,I F =800A, -di/dt=4990A/μs,V Generella = 8 V, T vj =125 o C		56.8		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			378		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			23.7		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R =600V,I F =800A, -di/dt=4860A/μs,V Generella = 8 V, T vj = 150 o C		66.3		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			395		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			26.7		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R =600V,I F =800A, -di/dt=4790A/μs,V Generella = 8 V, T vj = 175 o C		72.1		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			403		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			28.6		mJ

Modul Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Enhet
L Ce	Strömavtryck		20		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd, terminal till chip		0.42		mΩ
R tJC	Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)			0.047 0.083	K/W
R thCH	Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)		0.031 0.055 0.010		K/W
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Vikt av Modul		320		g