IGBT-modul GD820HTX75P6HLB Starpower

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

750

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag CN

Implementerad samlare Cu rent

820

A

Jag C

Samlarström @ T F =75o C

450

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

1640

A

P D

Maximal effektförlust ation @ T F =75o C T j =175o C

751

W

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

750

V

Jag FN

Implementerad samlare Cu rent

820

A

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

450

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1640

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig

I 10 sekunder inom en tidsperiod av 30 sekunder, förekomst maximalt 3000 gånger under livstiden

-40 till +150 +150 till +175

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =25o C

1.25

1.50

V

Jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =150o C

1.35

Jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =175o C

1.40

Jag C =820A,V Generella =15V, T j =25o C

1.55

Jag C =820A,V Generella =15V, T j =175o C

1.90

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =9.60mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.0

5.7

7.0

V

Jag C =9.60mA ,V CE =V Generella , T j =175o C

3.5

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

0.7

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V CE =50V,f=100kHz, V Generella =0V

42.1

nF

C övriga

Utgångskapacitet

1.80

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

1.18

nF

Q G

Portavgift

V CE =400V,I C =450A, V Generella =-8...+15V

3.01

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 450 A, R G =2.4Ω, L S =24nH ,V Generella =-8V/+15V,

T j =25o C

126

n

t r

Uppgångstid

62

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

639

n

t f

Hösttid

149

n

E på

Tänd Växling Förlust

17.3

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

25.4

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 450 A, R G =2.4Ω, L S =24nH ,V Generella =-8V/+15V,

T j =150o C

136

n

t r

Uppgångstid

68

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

715

n

t f

Hösttid

221

n

E på

Tänd Växling Förlust

22.5

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

31.0

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 450 A, R G =2.4Ω, L S =24nH ,V Generella =-8V/+15V,

T j =175o C

138

n

t r

Uppgångstid

68

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

739

n

t f

Hösttid

227

n

E på

Tänd Växling Förlust

24.8

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

32.6

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤6μs, V Generella =15V,

5100

A

T j =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

t P ≤3μs, V Generella =15V,

T j =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =25o C

1.40

1.65

V

Jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =150o C

1.35

Jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =175o C

1.30

Jag F =820A,V Generella =0V,T j =25o C

1.70

Jag F =820A,V Generella =0V,T j =175o C

1.65

Q r

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=7070A/μs,V Generella = 8 V, L S =24nH ,T j =25o C

16.0

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

254

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

5.03

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6150A/μs,V Generella = 8 V, L S =24nH ,T j =150o C

36.0

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

320

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

9.49

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6010A/μs,V Generella = 8 V, L S =24nH ,T j =175o C

40.5

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

338

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

10.5

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L CE

Strömavtryck

8

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dm 3/min ,T F =75o C

64

mbar

p

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

T basplatta <40o C

T basplatta 40o C

(relativ tryck)

2.5 2.0

bar

R thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D jod) △V/ △t=10.0 dm 3/min ,T F =75o C

0.116 0.175

0.133 0.200

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vikt av Modul

750

g