GD600HFX120C2SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C = 100о C

925

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1200

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

3000

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

В

Я К

Диод непрерывно передний арендная плата

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1200

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, Т j =25 о C

1.65

2.00

В

Я C =600А,В GE =15В, Т j =125 о C

1.95

Я C =600А,В GE =15В, Т j =150 о C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

60.8

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.84

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

4.64

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G = 1,2Ω,L С =20nH, V GE =±15В,Т j =25 о C

308

nS

т r

Время нарастания

42

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

431

nS

т к

Время спада

268

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

15.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

51.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G = 1,2Ω, Л С =20 nH ,

В GE =±15В,Т j =125 о C

311

nS

т r

Время нарастания

49

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

467

nS

т к

Время спада

351

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

31.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

69.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G = 1,2Ω, Л С =20 nH ,

В GE =±15В,Т j =150 о C

313

nS

т r

Время нарастания

51

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

475

nS

т к

Время спада

365

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

34.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

71.1

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед

Напряжение

Я К =600А,В GE =0V,T j =25 о C

1.85

2.30

В

Я К =600А,В GE =0V,T j = 125о C

1.90

Я К =600А,В GE =0V,T j = 150о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К =600А,

-di/dt=13040A/μs,V GE =- 15V, Т j =25 о C

38.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

524

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

34.9

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К =600А,

-di/dt=11220A/μs,V G Е =- 15V, Т j = 125о C

82.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

565

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

54.4

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К =600А,

-di/dt=11040A/μs,V G Е =- 15V, Т j = 150о C

94.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

589

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

55.8

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.35

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.050

0.080

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.033

0.052

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g