YMIBH250-33, Модуль IGBT, Полумостовой IGBT, CRRC

Символ

Параметры

Условия испытаний

Значение

Единица

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

В

VGES

Напряжение затвор-эмиттер

TC= 25 °C

± 20

В

Ic

Ток коллектор-эмиттер

TC = 100 °C

250

A

IC(PK)

Пиковый коллекторный ток

tP=1ms

500

A

Pmax

Максимальная мощность рассеяния транзистора

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

кВт

I2t

Диод I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

Visol

Напряжение изоляции - на модуль

(Общие терминалы к базовой пластине), RMS AC,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

6

кВ

QPD

Частичное разряд - на модуль

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

пК

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

ICES

Ток отсечения коллектора

VGE = 0V, VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Ток утечки затвора

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Напряжение порога затвора

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

В

VCE (sat)(*1)

Насыщение коллектор-эмиттер напряжение

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

В

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

В

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

В

IF

Диодный прямой ток

Постоянный ток

250

A

IFRM

Пиковое течение диоды вперед

tP = 1ms

500

A

VF(*1)

Прямое напряжение диода

Если = 250A, ВГЭ = 0

2.10

2.40

В

Если = 250 А, ВГЭ = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

В

Если = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

В

Isc

Короткое замыкание

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

ICES

Ток отсечения коллектора

VGE = 0V, VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Ток утечки затвора

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Напряжение порога затвора

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

В

VCE (sat)(*1)

Насыщение коллектор-эмиттер

напряжение

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

В

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

В

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

В

IF

Диодный прямой ток

Постоянный ток

250

A

IFRM

Пиковое течение диоды вперед

tP = 1ms

500

A

VF(*1)

Прямое напряжение диода

Если = 250A, ВГЭ = 0

2.10

2.40

В

Если = 250 А, ВГЭ = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

В

Если = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

В

Isc

Короткое замыкание

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

т d(off)

Время задержки выключения

Я C =250A,

В СЕ = 1800V, В GE = ± 15V, R G(OFF) = 9.0Ω , C GE = 56nF,

Л С = 150nH,

Т vj = 25 °C

1480

nS

Т vj = 125 °C

1550

Т vj = 150 °C

1570

т к

Время спада

Т vj = 25 °C

1280

nS

Т vj = 125 °C

1920

Т vj = 150 °C

2120

Е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря энергии при выключении

Т vj = 25 °C

300

mJ

Т vj = 125 °C

380

Т vj = 150 °C

400

т d(on)

Время задержки включения

Я C =250A,

В СЕ = 1800V, В GE = ± 15V, R G(ON) = 6.0Ω , C GE = 56nF,

Л С = 150nH,

Т vj = 25 °C

640

nS

Т vj = 125 °C

650

Т vj = 150 °C

650

т r

Время нарастания

Т vj = 25 °C

220

nS

Т vj = 125 °C

235

Т vj = 150 °C

238

Е НА

Энергия включения потеря

Т vj = 25 °C

395

mJ

Т vj = 125 °C

510

Т vj = 150 °C

565

Q рР

Диод обратный

заряд восстановления

Я К =250A,

В СЕ = 1800V,

- d я К /dt = 1200A/us, (Т vj = 125 °C).

Т vj = 25 °C

190

μC

Т vj = 125 °C

295

Т vj = 150 °C

335

Я рР

Диод обратный

ток восстановления

Т vj = 25 °C

185

A

Т vj = 125 °C

210

Т vj = 150 °C

216

Е rec

Диод обратный

энергия восстановления

Т vj = 25 °C

223

mJ

Т vj = 125 °C

360

Т vj = 150 °C

410