GD400HFX120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C =90 о C

595

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p = 1мс

800

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

1875

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

В

Я К

Диод непрерывно передний арендная плата

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

800

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE = 15V, Т j =25 о C

1.75

2.20

В

Я C =400A,V GE = 15V, Т j =125 о C

2.00

Я C =400A,V GE = 15V, Т j =150 о C

2.05

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 10,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 о C

5.2

6.0

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

37.3

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.04

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

2.80

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R G =2,0Ω,

В GE =±15В, Т j =25 о C

205

nS

т r

Время нарастания

77

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

597

nS

т к

Время спада

98

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

18.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

32.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R G =2,0Ω,

В GE =±15В, Т j = 125о C

214

nS

т r

Время нарастания

86

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

626

nS

т к

Время спада

137

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

28.4

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

48.9

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R G =2,0Ω,

В GE =±15В, Т j = 150о C

198

nS

т r

Время нарастания

94

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

646

nS

т к

Время спада

147

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

30.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

53.8

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤ 10 мкс,В GE = 15V,

Т j =150 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

1440

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед

Напряжение

Я К =400A,V GE =0V,T j =25 о C

1.75

2.15

В

Я К =400A,V GE =0V,T j = 125о C

1.65

Я К =400A,V GE =0V,T j = 150о C

1.65

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15В Т j =25 о C

40

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

299

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

20.0

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15В Т j = 125о C

70

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

399

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

38.4

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15В Т j = 150о C

80

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

419

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

43.9

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

15

nH

R CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.25

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.080

0.095

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.037

0.044

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g