GD400HFX120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C

@ T C=90o C

595

400

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p = 1мс

800

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

1875

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

V

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

800

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C=400A,V GE = 15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

Я C=400A,V GE = 15V, T j =125o C

2.00

Я C=400A,V GE = 15V, T j =150o C

2.05

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C= 10,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

37.3

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

1.04

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =- 15…+15В

2.80

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=400A, Пруток Г =2,0Ω,

V GE =±15В, T j =25o C

205

nS

t пруток

Время нарастания

77

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

597

nS

t f

Время спада

98

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

18.8

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

32.3

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=400A, Пруток Г =2,0Ω,

V GE =±15В, T j = 125o C

214

nS

t пруток

Время нарастания

86

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

626

nS

t f

Время спада

137

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

28.4

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

48.9

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=400A, Пруток Г =2,0Ω,

V GE =±15В, T j = 150o C

198

nS

t пруток

Время нарастания

94

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

646

nS

t f

Время спада

147

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

30.8

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

53.8

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤ 10 мкс,В GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В

1440

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A,V GE =0V,T j =25o C

1.75

2.15

V

Я F =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

Я F =400A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15В T j =25o C

40

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

299

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

20.0

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15В T j = 125o C

70

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

399

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

38.4

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15В T j = 150o C

80

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

419

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

43.9

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

15

nH

Пруток CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.25

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.080

0.095

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.037

0.044

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

300

г