GD150HCX170C6SA, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

281

150

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

300

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

1136

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

150

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

300

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=150A,V GE =15В, T vj =25o C

1.85

2.20

V

Я C=150A,V GE =15В, T vj =125o C

2.25

Я C=150A,V GE =15В, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=6.00mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

4.3

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

18.1

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.44

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

1.41

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=150A, Пруток Г =0.51Ω,В GE =±15В, Лс =48nH ,T vj =25o C

206

nS

t пруток

Время нарастания

44

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

337

nS

t f

Время спада

331

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

39.5

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

21.7

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=150A, Пруток Г =0.51Ω,В GE =±15В, Лс =48nH ,T vj =125o C

232

nS

t пруток

Время нарастания

54

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

422

nS

t f

Время спада

514

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

55.3

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

32.7

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=150A, Пруток Г =0.51Ω,В GE =±15В, Лс =48nH ,T vj =150o C

239

nS

t пруток

Время нарастания

57

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

442

nS

t f

Время спада

559

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

60.8

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

34.9

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V СМК ≤1700V

600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

Я F =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.95

Я F =150A,V GE =0V,T vj =150o C

1.90

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =150A,

-di/dt=2464A/μs,В GE = 15 В Лс =48nH ,T vj =25o C

42.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

142

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

22.3

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =150A,

-di/dt=1956A/μs,В GE = 15 В Лс =48nH ,T vj =125o C

64.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

147

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

35.0

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =150A,

-di/dt=1795A/μs,В GE = 15 В Лс =48nH ,T vj =150o C

72.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

148

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

38.8

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.132 0.209

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.029 0.047 0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

350

г