GD150HCX170C6SA, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

281

150

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

300

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C

1136

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

150

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

300

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =150A,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.85

2.20

В

Я C =150A,V GE =15В, Т vj =125 о C

2.25

Я C =150A,V GE =15В, Т vj =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =6.00 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

4.3

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

18.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.44

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

1.41

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =150A, R G =0.51Ω,В GE =±15В, Лс =48 nH ,Т vj =25 о C

206

nS

т r

Время нарастания

44

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

337

nS

т к

Время спада

331

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

39.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

21.7

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =150A, R G =0.51Ω,В GE =±15В, Лс =48 nH ,Т vj =125 о C

232

nS

т r

Время нарастания

54

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

422

nS

т к

Время спада

514

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

55.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

32.7

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =150A, R G =0.51Ω,В GE =±15В, Лс =48 nH ,Т vj =150 о C

239

nS

т r

Время нарастания

57

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

442

nS

т к

Время спада

559

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

60.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

34.9

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C,V CC =1000V,

В СМК ≤1700V

600

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =150A,V GE =0V,T vj =2 5о C

1.80

2.25

В

Я К =150A,V GE =0V,T vj =125 о C

1.95

Я К =150A,V GE =0V,T vj =150 о C

1.90

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =150A,

-di/dt=2464A/μs,В GE = 15 В Лс =48 nH ,Т vj =25 о C

42.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

142

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

22.3

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =150A,

-di/dt=1956A/μs,В GE = 15 В Лс =48 nH ,Т vj =125 о C

64.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

147

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

35.0

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =150A,

-di/dt=1795A/μs,В GE = 15 В Лс =48 nH ,Т vj =150 о C

72.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

148

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

38.8

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.132 0.209

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.029 0.047 0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g