Краткое введение
Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER . 1700V 50А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
-
Максимальная температура соединения 175 ℃
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типичные применения
- Инвертор для привода мотора
- Усилитель сервоуправления AC и DC
- Источник бесперебойного питания
Абсолютное Максимальный Рейтинги T F =25o C если только иначе отмечено
IGBT-инвертор
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1700 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
О C |
Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =100o C |
100
50
|
А |
О CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
100 |
А |
P D |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C |
384 |
Ш |
DIODE-инвертор
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1700 |
V |
О F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
50 |
А |
О ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
100 |
А |
Диод-прямой ток
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1600 |
V |
О O |
Средний выходной ток 5 0Гц/60Гц, синусоида |
50 |
А |
О ФСМ |
Пиковый прямой ток V Пруток =0V,T p =10мс,Т j =45o C |
850 |
А |
О 2t |
О 2t-значение,V Пруток =0V,T p =10м s,T j =45o C |
3610 |
А 2s |
IGBT-тормоз
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1700 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
О C |
Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =100o C |
100
50
|
А |
О CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
100 |
А |
P D |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C |
384 |
Ш |
Диод -тормоз
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1700 |
V |
О F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
50 |
А |
О ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
100 |
А |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
T jmax |
Максимальная температура соединения (инвертор, тормоз) Максимальная температура соединения (прямой ток) |
175
150
|
o C |
T - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
o C |
T СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
o C |
V ISO |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
4000 |
V |
IGBT -инвертор Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение
|
О C =50A,V GE =15В, T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
О C =50A,V GE =15В, T j =125o C |
|
2.25 |
|
О C =50A,V GE =15В, T j =150o C |
|
2.35 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
О C =2.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
О CES |
Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий |
V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
О ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Внутренний резис ворот танцевать |
|
|
9.5 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В |
|
6.02 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.15 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
V GE =-15 ...+15В |
|
0.47 |
|
μC |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC =900V,I C =50A, Пруток G = 9,6Ω,V GE =±15В, T j =25o C
|
|
163 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
44 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
290 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
347 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
12.7 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
7.28 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC =900V,I C =50A, Пруток G = 9,6Ω,V GE =±15В, T j =125o C
|
|
186 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
51 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
361 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
535 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
17.9 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
11.1 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC =900V,I C =50A, Пруток G = 9,6Ω,V GE =±15В, T j =150o C
|
|
192 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
52 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
374 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
566 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
20.0 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
12.0 |
|
mJ |
|
О SC
|
Данные SC
|
t P ≤10μs, V GE =15В,
T j =150o C,V CC =1000V, V СМК ≤1700V
|
|
200
|
|
А
|
Диод -инвертор Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V F
|
Диод вперед Напряжение |
О F =50A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
О F =50A,V GE =0V,T j =125o C |
|
1.95 |
|
О F =50A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.90 |
|
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =900V,I F =50A,
-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В T j =25o C
|
|
11.8 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
48 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
6.08 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =900V,I F =50A,
-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В T j =125o C
|
|
20.7 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
52 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
11.4 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =900V,I F =50A,
-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В T j =150o C
|
|
23.7 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
54 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
13.1 |
|
mJ |
Диод -выпрямитель Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
V F |
Диод вперед Напряжение |
О F =50A, V GE =0V, T j =150o C |
|
1.14 |
|
V |
О Пруток |
Обратный ток |
T j =150o C,V Пруток =1600В |
|
|
3.0 |
mA |
IGBT -тормоз Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение
|
О C =50A,V GE =15В, T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
О C =50A,V GE =15В, T j =125o C |
|
2.25 |
|
О C =50A,V GE =15В, T j =150o C |
|
2.35 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
О C =2.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
О CES |
Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий |
V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
О ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
9.5 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В |
|
6.02 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.15 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
V GE =-15 ...+15В |
|
0.47 |
|
μC |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC =900V,I C =50A, Пруток G = 9,6Ω,V GE =±15В, T j =25o C
|
|
163 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
44 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
290 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
347 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
12.7 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
7.28 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC =900V,I C =50A, Пруток G = 9,6Ω,V GE =±15В, T j =125o C
|
|
186 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
51 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
361 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
535 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
17.9 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
11.1 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC =900V,I C =50A, Пруток G = 9,6Ω,V GE =±15В, T j =150o C
|
|
192 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
52 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
374 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
566 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
20.0 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
12.0 |
|
mJ |
|
О SC
|
Данные SC
|
t P ≤10μs, V GE =15В,
T j =150o C,V CC =1000V, V СМК ≤1700V
|
|
200
|
|
А
|
Диод -тормоз Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V F
|
Диод вперед Напряжение |
О F =50A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
О F =50A,V GE =0V,T j =125o C |
|
1.95 |
|
О F =50A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.90 |
|
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =900V,I F =50A,
-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В T j =25o C
|
|
11.8 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
48 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
6.08 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =900V,I F =50A,
-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В T j =125o C
|
|
20.7 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
52 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
11.4 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =900V,I F =50A,
-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В T j =150o C
|
|
23.7 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
54 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
13.1 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Пруток 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
∆R/R |
Отклонение из Пруток 100 |
T C =100 o C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
60 |
|
nH |
Пруток CC+EE Пруток AA ’+CC ’ |
Модуль свинцового сопротивления nce, Терминал к чипу |
|
4.00 2.00 |
|
мОм |
|
Пруток thJC
|
Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT -инвертор ) Соединение-Корпус (на каждый ДИОД-инвертор р) Термическое сопротивление переход-корпус (на диод-прямой переводчик) Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT -тормоз )
Соединение с корпусом (на диод-брат) (смеется)
|
|
|
0.390 0.554 0.565 0.390 0.554 |
K/W
|
|
Пруток thCH
|
Кейс -к -Радиатор (наIGBT -инвертор )Корпус-к радиатору (на диод-обратный преобразователь) Корпус-к-радиатору (на каждый диод- прямой) Кейс -к -Радиатор (наIGBT -тормоз )
Корпус-к-радиатору (на каждый дио д-тормоз) Корпус к радиатору (на Модуль)
|
|
0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009 |
|
K/W
|
М |
Крутящий момент установки, Винт:M5 |
3.0 |
|
6.0 |
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
300 |
|
g |
EN
