GD50PIX170C6SA,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

100

50

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

100

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

384

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

50

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

100

A

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1600

В

Я О

Средний выходной ток 5 0Гц/60Гц, синусоида

50

A

Я ФСМ

Пиковый прямой ток V R =0V,T p =10мс,Т j =45 о C

850

A

Я 2т

Я 2t-значение,V R =0V,T p =10м s,T j =45 о C

3610

A 2с

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

100

50

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

100

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

384

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

50

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

100

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура соединения (инвертор, тормоз) Максимальная температура соединения (прямой ток)

175

150

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =50A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.85

2.20

В

Я C =50A,V GE =15В, Т j =125 о C

2.25

Я C =50A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =2.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний резис ворот танцевать

9.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

6.02

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.15

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

0.47

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =50A, R G = 9,6Ω,V GE =±15В, Т j =25 о C

163

nS

т r

Время нарастания

44

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

290

nS

т к

Время спада

347

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

12.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

7.28

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =50A, R G = 9,6Ω,V GE =±15В, Т j =125 о C

186

nS

т r

Время нарастания

51

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

361

nS

т к

Время спада

535

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

17.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

11.1

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =50A, R G = 9,6Ω,V GE =±15В, Т j =150 о C

192

nS

т r

Время нарастания

52

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

374

nS

т к

Время спада

566

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

20.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

12.0

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =1000V, В СМК ≤1700V

200

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =50A,V GE =0V,T j =25 о C

1.80

2.25

В

Я К =50A,V GE =0V,T j =125 о C

1.95

Я К =50A,V GE =0V,T j =150 о C

1.90

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В Т j =25 о C

11.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

48

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

6.08

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В Т j =125 о C

20.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

52

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

11.4

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В Т j =150 о C

23.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

54

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

13.1

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =50A, В GE =0V, Т j =150 о C

1.14

В

Я R

Обратный ток

Т j =150 о C,V R =1600В

3.0

mA

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =50A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.85

2.20

В

Я C =50A,V GE =15В, Т j =125 о C

2.25

Я C =50A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =2.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

9.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

6.02

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.15

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

0.47

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =50A, R G = 9,6Ω,V GE =±15В, Т j =25 о C

163

nS

т r

Время нарастания

44

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

290

nS

т к

Время спада

347

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

12.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

7.28

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =50A, R G = 9,6Ω,V GE =±15В, Т j =125 о C

186

nS

т r

Время нарастания

51

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

361

nS

т к

Время спада

535

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

17.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

11.1

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =50A, R G = 9,6Ω,V GE =±15В, Т j =150 о C

192

nS

т r

Время нарастания

52

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

374

nS

т к

Время спада

566

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

20.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

12.0

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =1000V, В СМК ≤1700V

200

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =50A,V GE =0V,T j =25 о C

1.80

2.25

В

Я К =50A,V GE =0V,T j =125 о C

1.95

Я К =50A,V GE =0V,T j =150 о C

1.90

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В Т j =25 о C

11.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

48

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

6.08

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В Т j =125 о C

20.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

52

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

11.4

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В Т j =150 о C

23.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

54

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

13.1

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

60

nH

R CC+EE R AA + CC ’

Модуль свинцового сопротивления nce, Терминал к чипу

4.00 2.00

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT -инвертор ) Соединение-Корпус (на каждый ДИОД-инвертор р) Термическое сопротивление переход-корпус (на диод-прямой переводчик) Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT -тормоз )

Соединение с корпусом (на диод-брат) (смеется)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

K/W

R thCH

Кейс -до -Радиатор (наIGBT -инвертор )Корпус-к радиатору (на диод-обратный преобразователь) Корпус-к-радиатору (на каждый диод- прямой) Кейс -до -Радиатор (наIGBT -тормоз )

Корпус-к-радиатору (на каждый дио д-тормоз) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

K/W

М

Крутящий момент установки, Винт:M5

3.0

6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g