GD50PIX170C6SA,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

100

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

384

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

50

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

100

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1600

V

Я O

Средний выходной ток 5 0Гц/60Гц, синусоида

50

A

Я ФСМ

Пиковый прямой ток V Пруток =0V,T p =10мс,Т j =45o C

850

A

Я 2t

Я 2t-значение,V Пруток =0V,T p =10м s,T j =45o C

3610

A2с

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

100

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

384

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

50

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

100

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура соединения (инвертор, тормоз) Максимальная температура соединения (прямой ток)

175

150

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=50A,V GE =15В, T j =25o C

1.85

2.20

V

Я C=50A,V GE =15В, T j =125o C

2.25

Я C=50A,V GE =15В, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=2.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний резис ворот танцевать

9.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

6.02

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.15

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

0.47

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=50A, Пруток Г = 9,6Ω,V GE =±15В, T j =25o C

163

nS

t пруток

Время нарастания

44

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

290

nS

t f

Время спада

347

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

12.7

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

7.28

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=50A, Пруток Г = 9,6Ω,V GE =±15В, T j =125o C

186

nS

t пруток

Время нарастания

51

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

361

nS

t f

Время спада

535

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

17.9

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

11.1

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=50A, Пруток Г = 9,6Ω,V GE =±15В, T j =150o C

192

nS

t пруток

Время нарастания

52

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

374

nS

t f

Время спада

566

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

20.0

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

12.0

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T j =150o C,V CC =1000V, V СМК ≤1700V

200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =50A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Я F =50A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

Я F =50A,V GE =0V,T j =150o C

1.90

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В T j =25o C

11.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

48

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

6.08

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В T j =125o C

20.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

52

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

11.4

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В T j =150o C

23.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

54

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

13.1

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =50A, V GE =0V, T j =150o C

1.14

V

Я Пруток

Обратный ток

T j =150o C,V Пруток =1600В

3.0

mA

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=50A,V GE =15В, T j =25o C

1.85

2.20

V

Я C=50A,V GE =15В, T j =125o C

2.25

Я C=50A,V GE =15В, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=2.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

9.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

6.02

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.15

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

0.47

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=50A, Пруток Г = 9,6Ω,V GE =±15В, T j =25o C

163

nS

t пруток

Время нарастания

44

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

290

nS

t f

Время спада

347

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

12.7

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

7.28

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=50A, Пруток Г = 9,6Ω,V GE =±15В, T j =125o C

186

nS

t пруток

Время нарастания

51

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

361

nS

t f

Время спада

535

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

17.9

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

11.1

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=50A, Пруток Г = 9,6Ω,V GE =±15В, T j =150o C

192

nS

t пруток

Время нарастания

52

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

374

nS

t f

Время спада

566

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

20.0

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

12.0

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T j =150o C,V CC =1000V, V СМК ≤1700V

200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =50A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Я F =50A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

Я F =50A,V GE =0V,T j =150o C

1.90

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В T j =25o C

11.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

48

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

6.08

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В T j =125o C

20.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

52

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

11.4

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В T j =150o C

23.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

54

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

13.1

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2— 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2— 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2— 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

60

nH

Пруток CC+EE Пруток AA ’+CC ’

Модуль свинцового сопротивления nce, Терминал к чипу

4.00 2.00

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT —инвертор ) Соединение-Корпус (на каждый ДИОД-инвертор р) Термическое сопротивление переход-корпус (на диод-прямой переводчик) Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT —тормоз )

Соединение с корпусом (на диод-брат) (смеется)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

K/W

Пруток thCH

Корпус —до —Радиатор (наIGBT —инвертор )Корпус-к радиатору (на диод-обратный преобразователь) Корпус-к-радиатору (на каждый диод- прямой) Корпус —до —Радиатор (наIGBT —тормоз )

Корпус-к-радиатору (на каждый дио д-тормоз) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

K/W

М

Крутящий момент установки, Винт:M5

3.0

6.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

300

г