GD400HFQ120C2SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C =100 о C

769

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

800

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =1 75о C

2272

В

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

2500

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.85

2.30

В

Я C =400A,V GE =15В, Т vj =125 о C

2.25

Я C =400A,V GE =15В, Т vj =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =16.00 mA ,В СЕ = В GE ,Т vj =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

43.2

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.18

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

3.36

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R G =2Ω, Л С =45 nH ,

В GE =±15В, Т vj =25 о C

288

nS

т r

Время нарастания

72

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

314

nS

т к

Время спада

55

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

43.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

12.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R G =2Ω, Л С =45 nH ,

В GE =±15В, Т vj =125 о C

291

nS

т r

Время нарастания

76

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

351

nS

т к

Время спада

88

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

57.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

17.1

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R G =2Ω, Л С =45 nH ,

В GE =±15В, Т vj =150 о C

293

nS

т r

Время нарастания

78

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

365

nS

т к

Время спада

92

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

62.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

18.6

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

1500

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В К

Диод вперед

Напряжение

Я К =400A,V GE =0V,T vj =2 5о C

1.85

2.30

В

Я К =400A,V GE =0V,T vj =125 о C

1.90

Я К =400A,V GE =0V,T vj =150 о C

1.95

Q r

Восстановлено

Заряд

В R = 600 В,I К =400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE =- 15V, Л С =45 nH ,Т vj =25 о C

38.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

252

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

11.2

mJ

Q r

Восстановлено

Заряд

В R = 600 В,I К =400A,

-ди /dt =3860A/μs, В GE =- 15V, Л С =45 nH ,Т vj =125 о C

61.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

255

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

18.7

mJ

Q r

Восстановлено

Заряд

В R = 600 В,I К =400A,

-ди /dt =3720A/μs, В GE =- 15V, Л С =45 nH ,Т vj =150 о C

75.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

257

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

20.5

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.066

0.115

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.031

0.055

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g