GD400HFQ120C2SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

И C

Коллекторный ток @ T C=25o C

@ T C=100o C

769

400

А

И См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

800

А

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

2272

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

2500

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

И C=400A,V GE =15В, T vj =25o C

1.85

2.30

V

И C=400A,V GE =15В, T vj =125o C

2.25

И C=400A,V GE =15В, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

И C=16.00mA ,V СЕ =V GE ,T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

И CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T vj =25o C

1.0

mA

И ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

43.2

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

1.18

нФ

QG

Сбор за вход

V GE =- 15…+15В

3.36

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=400A, Пруток G=2Ω, LС =45nH ,

V GE =±15В, T vj =25o C

288

nS

t пруток

Время нарастания

72

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

314

nS

t f

Время спада

55

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

43.6

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

12.4

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=400A, Пруток G=2Ω, LС =45nH ,

V GE =±15В, T vj =125o C

291

nS

t пруток

Время нарастания

76

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

351

nS

t f

Время спада

88

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

57.6

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

17.1

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=400A, Пруток G=2Ω, LС =45nH ,

V GE =±15В, T vj =150o C

293

nS

t пруток

Время нарастания

78

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

365

nS

t f

Время спада

92

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

62.8

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

18.6

mJ

И SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

1500

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед

Напряжение

И F =400A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

И F =400A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

И F =400A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qпруток

Восстановлено

Заряд

V Пруток = 600 В,I F =400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE =- 15V, LС =45nH ,T vj =25o C

38.8

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

252

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

11.2

mJ

Qпруток

Восстановлено

Заряд

V Пруток = 600 В,I F =400A,

—ди /dt =3860A/μs, V GE =- 15V, LС =45nH ,T vj =125o C

61.9

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

255

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

18.7

mJ

Qпруток

Восстановлено

Заряд

V Пруток = 600 В,I F =400A,

—ди /dt =3720A/μs, V GE =- 15V, LС =45nH ,T vj =150o C

75.9

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

257

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

20.5

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.066

0.115

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.031

0.055

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g