GD150HFX170C1S, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =95o C

229

150

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

300

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

815

Ш

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

V

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

150

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

300

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =150A,V GE =15В, T j =25o C

1.85

2.30

V

О C =150A,V GE =15В, T j =125o C

2.25

О C =150A,V GE =15В, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =6.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

5.0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

18.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.44

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

1.41

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =150A, Пруток G =3.3Ω,V GE =±15В, Л S =70nH , T j =25o C

303

nS

t пруток

Время нарастания

75

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

417

nS

t f

Время спада

352

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

42.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

25.3

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =150A, Пруток G =3.3Ω,V GE =±15В, Л S =70nH ,T j =125o C

323

nS

t пруток

Время нарастания

88

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

479

nS

t f

Время спада

509

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

58.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

34.9

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =150A, Пруток G =3.3Ω,V GE =±15В, Л S =70nH ,T j =150o C

327

nS

t пруток

Время нарастания

90

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

498

nS

t f

Время спада

608

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

65.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

40.2

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤10μs, V GE =15В,

T j =150o C,V CC =1000V, V СМК ≤1700V

600

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

О F =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

О F =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V GE = 15 В Л S =70nH , T j =25o C

26.2

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

131

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

21.6

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V GE = 15 В Л S =70нГн, T j =125o C

48.0

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

140

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

40.1

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V GE = 15 В Л S =70нГн, T j =150o C

52.3

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

142

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

42.5

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

30

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.65

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.184 0.368

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.150 0.300 0.050

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

150

g