GD150HFX170C1S, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C = 95 о C

229

150

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

300

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

815

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

150

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

300

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =150A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.85

2.30

В

Я C =150A,V GE =15В, Т j =125 о C

2.25

Я C =150A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =6.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

5.0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

18.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.44

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

1.41

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =150A, R G =3.3Ω,V GE =±15В, Л С =70 nH , Т j =25 о C

303

nS

т r

Время нарастания

75

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

417

nS

т к

Время спада

352

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

42.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

25.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =150A, R G =3.3Ω,V GE =±15В, Л С =70 nH ,Т j =125 о C

323

nS

т r

Время нарастания

88

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

479

nS

т к

Время спада

509

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

58.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

34.9

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =150A, R G =3.3Ω,V GE =±15В, Л С =70 nH ,Т j =150 о C

327

nS

т r

Время нарастания

90

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

498

nS

т к

Время спада

608

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

65.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

40.2

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =1000V, В СМК ≤1700V

600

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =150A,V GE =0V,T j =25 о C

1.80

2.25

В

Я К =150A,V GE =0V,T j =1 25о C

1.90

Я К =150A,V GE =0V,T j =1 50о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =150A,

-di/dt=1510A/μs,V GE = 15 В Л С =70 nH , Т j =25 о C

26.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

131

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

21.6

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =150A,

-di/dt=1280A/μs,V GE = 15 В Л С =70нГн, T j =125 о C

48.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

140

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

40.1

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =150A,

-di/dt=1240A/μs,V GE = 15 В Л С =70нГн, T j =150 о C

52.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

142

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

42.5

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

30

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.65

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.184 0.368

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.150 0.300 0.050

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

150

g