GD150HFX170C1S, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C@ T C=95o C

229

150

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

300

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

815

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

150

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

300

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=150A,V GE =15В, T j =25o C

1.85

2.30

V

Я C=150A,V GE =15В, T j =125o C

2.25

Я C=150A,V GE =15В, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=6.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

5.0

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

18.1

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.44

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

1.41

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=150A, Пруток Г =3.3Ω,V GE =±15В, LС =70nH ,T j =25o C

303

nS

t пруток

Время нарастания

75

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

417

nS

t f

Время спада

352

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

42.3

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

25.3

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=150A, Пруток Г =3.3Ω,V GE =±15В, LС =70nH ,T j =125o C

323

nS

t пруток

Время нарастания

88

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

479

nS

t f

Время спада

509

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

58.9

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

34.9

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=150A, Пруток Г =3.3Ω,V GE =±15В, LС =70nH ,T j =150o C

327

nS

t пруток

Время нарастания

90

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

498

nS

t f

Время спада

608

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

65.6

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

40.2

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T j =150o C,V CC =1000V, V СМК ≤1700V

600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Я F =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

Я F =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V GE = 15 В LС =70nH ,T j =25o C

26.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

131

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

21.6

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V GE = 15 В LС =70нГн, T j =125o C

48.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

140

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

40.1

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V GE = 15 В LС =70нГн, T j =150o C

52.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

142

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

42.5

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

30

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.65

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.184 0.368

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.150 0.300 0.050

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

150

г