GD1200HFX170C3S, Модуль IGBT, Модуль IGBT высокого тока, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =100o C

1965

1200

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

2400

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

6.55

кВт

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

V

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

1200

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

2400

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =1200A,V GE =15В, T vj =25o C

1.85

2.30

V

О C =1200A,V GE =15В, T vj =125o C

2.25

О C =1200A,V GE =15В, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =48.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.6

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

142

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

3.57

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

11.8

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =1200A, Пруток Гон =1.5Ω, Пруток Гофф =3,3Ω, V GE =-10/ +15В,

Л S =110нГ,T vj =25o C

700

nS

t пруток

Время нарастания

420

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

1620

nS

t f

Время спада

231

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

616

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

419

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =1200A, Пруток Гон =1.5Ω, Пруток Гофф =3,3Ω, V GE =-10/ +15В,

Л S =110нГ,T vj =125o C

869

nS

t пруток

Время нарастания

495

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

1976

nS

t f

Время спада

298

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

898

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

530

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =1200A, Пруток Гон =1.5Ω, Пруток Гофф =3,3Ω, V GE =-10/ +15В,

Л S =110нГ,T vj =150o C

941

nS

t пруток

Время нарастания

508

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

2128

nS

t f

Время спада

321

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

981

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

557

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤10μs, V GE =15В,

T vj =150o C ,V CC =1000V,

V СМК ≤1700V

4800

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F =1200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

О F =1200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

О F =1200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/мкс,В GE =-10В, Л S =110нГ,T vj =25o C

217

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

490

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

108

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =1200A,

-di/dt=2070A/мкс,В GE =-10В, Л S =110нГ,T vj =125o C

359

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

550

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

165

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =1200A,

-di/dt=1970A/μс,V GE =-10В, Л S =110нГ,T vj =150o C

423

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

570

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

200

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.37

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

22.9 44.2

К/кВт

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

18.2 35.2 6.0

К/кВт

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Крутящий момент соединения терминала, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Н.М

G

Вес из Модуль

1500

g