GD1200HFX170C3S, Модуль IGBT, Модуль IGBT высокого тока, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

1965

1200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

2400

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C

6.55

кВт

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

1200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

2400

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =1200A,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.85

2.30

В

Я C =1200A,V GE =15В, Т vj =125 о C

2.25

Я C =1200A,V GE =15В, Т vj =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =48.0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.6

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

142

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

3.57

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

11.8

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =1200A, R Гон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, В GE =-10/ +15В,

Л S =110нГ,T vj =25 о C

700

nS

т r

Время нарастания

420

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

1620

nS

т f

Время спада

231

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

616

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

419

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =1200A, R Гон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, В GE =-10/ +15В,

Л S =110нГ,T vj =125 о C

869

nS

т r

Время нарастания

495

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

1976

nS

т f

Время спада

298

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

898

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

530

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =1200A, R Гон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, В GE =-10/ +15В,

Л S =110нГ,T vj =150 о C

941

nS

т r

Время нарастания

508

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

2128

nS

т f

Время спада

321

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

981

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

557

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C ,В CC =1000V,

В СМК ≤1700V

4800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =1200A,V GE =0V,T vj =25 о C

1.80

2.25

В

Я F =1200A,V GE =0V,T vj =125 о C

1.90

Я F =1200A,V GE =0V,T vj =150 о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/мкс,В GE =-10В, Л S =110нГ,T vj =25 о C

217

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

490

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

108

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =1200A,

-di/dt=2070A/мкс,В GE =-10В, Л S =110нГ,T vj =125 о C

359

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

550

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

165

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =1200A,

-di/dt=1970A/μс,V GE =-10В, Л S =110нГ,T vj =150 о C

423

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

570

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

200

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.37

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

22.9 44.2

К/кВт

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

18.2 35.2 6.0

К/кВт

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Крутящий момент соединения терминала, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Н.М

G

Вес из Модуль

1500

g