GD720HTA120P6HT,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О CN

Использование коллектора Cu ренты

720

А

О C

Коллекторный ток @ T F =65o C

600

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1440

А

P D

Максимальное распределение мощности ация @ T F =75o C T vj =175o C

1204

Ш

Символ

Описание

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющаяся пиковая обратная напряженность gE

1200

V

О ФН

Использование коллектора Cu ренты

720

А

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

600

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1440

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Рабочая температура развязки непрерывная

Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я

-40 до +150 +150 до +175

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

3000

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =600А,В GE =15В, T vj =25o C

1.50

V

О C =600А,В GE =15В, T vj =150o C

1.80

О C =600А,В GE =15В, T vj =175o C

1.85

О C =720А,V GE =15В, T vj =25o C

1.60

О C =720А,V GE =15В, T vj =175o C

2.05

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =15.6mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

6.0

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.67

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

48.7

нФ

C - Да.

Выходной объем

1.55

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.26

нФ

Q G

Сбор за вход

V СЕ =800В,I C =600A, V GE =-8...+15В

3.52

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC =800В,I C =600А,

Пруток Гон =3.0Ω, Пруток Гофф =1,0Ω, Л S =24нГн,

V GE =-8V/+15V, T vj =25o C

208

nS

t пруток

Время нарастания

65

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

505

nS

t f

Время спада

104

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

77.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

62.2

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =800В,I C =600А,

Пруток Гон =3.0Ω, Пруток Гофф =1,0Ω, Л S =24нГн,

V GE =-8V/+15V, T vj =150o C

225

nS

t пруток

Время нарастания

75

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

567

nS

t f

Время спада

191

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

110

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

83.4

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =800В,I C =600А,

Пруток Гон =3.0Ω, Пруток Гофф =1,0Ω, Л S =24нГн,

V GE =-8V/+15V, T vj =175o C

226

nS

t пруток

Время нарастания

77

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

583

nS

t f

Время спада

203

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

118

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

85.9

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤4мкс, V GE =15В,

T vj =175o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

2600

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F =600А,В GE =0V,T vj =25o C

1.95

V

О F =600А,В GE =0V,T vj =150o C

1.95

О F =600А,В GE =0V,T vj =175o C

1.90

О F =720А,V GE =0V,T vj =25o C

2.05

О F =720А,V GE =0V,T vj =175o C

2.05

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =800В,I F =600А,

-di/dt=8281A/мкс, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =25o C

44.3

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

346

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

16.2

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =800В,I F =600А,

-ди/дт=6954A/μс, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =150o C

73.4

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

385

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

27.8

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =800В,I F =600А,

-ди/дт=6679A/μс, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =175o C

80.7

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

392

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

30.7

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.75

мОм

p

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

T основание <40o C

T основание 40o C

(относительное давление)

2.5 2.0

пруток

Пруток фНП

Переходный пункт -к -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Жидкость для слияния и охлаждения (на ди (оде) △V/ △t=10,0 дм 3/мин ,T F =75o C

0.072 0.104

0.083 0.120

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Вес из Модуль

750

g