GD720HTA120P6HT,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

720

A

Я C

Коллекторный ток @ T К =65 о C

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1440

A

P Г

Максимальное распределение мощности ация @ Т К =75 о C Т vj =175 о C

1204

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющаяся пиковая обратная напряженность gE

1200

В

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

720

A

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1440

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Рабочая температура развязки непрерывная

Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я

-40 до +150 +150 до +175

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

3000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, Т vj =25 о C

1.50

В

Я C =600А,В GE =15В, Т vj =150 о C

1.80

Я C =600А,В GE =15В, Т vj =175 о C

1.85

Я C =720А,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.60

Я C =720А,V GE =15В, Т vj =175 о C

2.05

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 15,6 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

6.0

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.67

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

48.7

нФ

C - Да.

Выходной объем

1.55

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.26

нФ

Q G

Сбор за вход

В СЕ =800В,I C =600A, V GE =-8...+15В

3.52

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =800В,I C =600А,

R Гон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, Л С =24нГн,

В GE =-8V/+15V, Т vj =25 о C

208

nS

т r

Время нарастания

65

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

505

nS

т к

Время спада

104

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

77.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

62.2

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =800В,I C =600А,

R Гон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, Л С =24нГн,

В GE =-8V/+15V, Т vj =150 о C

225

nS

т r

Время нарастания

75

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

567

nS

т к

Время спада

191

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

110

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

83.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =800В,I C =600А,

R Гон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, Л С =24нГн,

В GE =-8V/+15V, Т vj =175 о C

226

nS

т r

Время нарастания

77

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

583

nS

т к

Время спада

203

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

118

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

85.9

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤4мкс, В GE =15В,

Т vj =175 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

2600

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =600А,В GE =0V,T vj =2 5о C

1.95

В

Я К =600А,В GE =0V,T vj =150 о C

1.95

Я К =600А,В GE =0V,T vj =175 о C

1.90

Я К =720А,V GE =0V,T vj =2 5о C

2.05

Я К =720А,V GE =0V,T vj =175 о C

2.05

Q r

Восстановленная зарядка

В R =800В,I К =600А,

-di/dt=8281A/мкс, L С =24n H, В GE =-8V, Т vj =25 о C

44.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

346

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

16.2

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =800В,I К =600А,

-ди/дт=6954A/μс, L С =24n H, В GE =-8V, Т vj =150 о C

73.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

385

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

27.8

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =800В,I К =600А,

-ди/дт=6679A/μс, L С =24n H, В GE =-8V, Т vj =175 о C

80.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

392

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

30.7

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.75

мОм

p

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

Т основание < 40 о C

Т основание 40о C

(относительное давление)

2.5 2.0

штанга

R фНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Жидкость для слияния и охлаждения (на ди (оде) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,Т К =75 о C

0.072 0.104

0.083 0.120

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Вес из Модуль

750

g