GD600SGU120C2SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C@ T C=70o C

857

600

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1200

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =150o C

4310

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1200

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

150

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=600А,В GE =15В, T vj =25o C

3.00

3.45

V

Я C=600А,В GE =15В, T vj =125o C

3.80

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=12mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

4.8

5.8

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.31

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

43.6

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

2.72

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15В…+15В

8.32

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=600А, Пруток Г =1.5Ом, В GE =±15В, Лс =50nH ,T vj =25o C

317

nS

t пруток

Время нарастания

76

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

548

nS

t f

Время спада

55

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

20.2

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

34.2

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=600А, Пруток Г =1.5Ом, В GE =±15В, Лс =50nH ,T vj =125o C

325

nS

t пруток

Время нарастания

79

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

595

nS

t f

Время спада

59

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

27.2

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

38.4

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T vj =125o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

3000

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =600А,В GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Я F =600А,В GE =0V,T vj =125o C

1.90

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =600А,

-di/dt=7745A/μs,В GE = 15 В, Лс =50nH ,T vj =25o C

58.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

489

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

28.1

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =600А,

-di/dt=7355A/μs,В GE = 15 В, Лс =50nH ,T vj =25o C

100

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

563

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

48.2

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.35

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.029 0.069

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.014 0.034 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

300

г