Все категории
Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Домашняя страница /  Продукция /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1200V

GD275MJS120L6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Модуль IGBT, 1200В 275А, Корпус: L6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD275MJS120L6S
  • Введение
  • Основные положения
  • Схема эквивалентной цепи
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER . 1200V 275А.

Особенности

  • Низкий VCE (спутниковая) Технология IGBT траншей
  • VCE(sat) с положительный температура коэффициент
  • Максимальная температура соединения 175
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированный использование медной подложки Si3 N4 Технология AMB

Типичные применения

Солнечная энергия

3-уровневый- применение

Абсолютное Максимальный Рейтинги T F =25o C если только иначе отмечено

T1-T4 IGBT

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О CN

Реализован Коллектор C ток

275

А

О C

Коллекторный ток @ T C =100o C

110

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

450

А

Диод D1/D4

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

О ФН

Реализован Прямой Ток вход

275

А

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

450

А

Диод D2/D3

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

О ФН

Реализован Прямой Ток вход

275

А

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

225

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

450

А

Диод D5/D6

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

О ФН

Реализован Прямой Ток вход

275

А

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

450

А

Модуль

Символ

Описание

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

3200

V

T1-T4 IGBT Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =225A,V GE =15В, T j =25o C

2.00

2.45

V

О C =225A,V GE =15В, T j =125o C

2.70

О C =225A,V GE =15В, T j =150o C

2.90

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =9.00mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.7

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

38.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.66

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

2.52

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =225A, Пруток G =2Ом,В GE =-8/+15В, Л S =36nH ,T j =25o C

154

nS

t пруток

Время нарастания

45

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

340

nS

t f

Время спада

76

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

13.4

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

8.08

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =225A, Пруток G =2Ом,В GE =-8/+15В, Л S =36nH ,T j =125o C

160

nS

t пруток

Время нарастания

49

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

388

nS

t f

Время спада

112

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

17.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

11.2

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =225A, Пруток G =2Ом,В GE =-8/+15В, Л S =36nH ,T j =150o C

163

nS

t пруток

Время нарастания

51

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

397

nS

t f

Время спада

114

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

18.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

12.0

mJ

D1/D4 Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F = 300 А,В GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

О F = 300 А,В GE =0V,T j =125o C

1.60

О F = 300 А,В GE =0V,T j =150o C

1.60

Q пруток

Восстановлено Заряд

V Пруток = 600 В,I F =225A,

-di/dt=5350А/μс,В GE =-8В Л S =36nH ,T j =25o C

20.1

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

250

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

6.84

mJ

Q пруток

Восстановлено Заряд

V Пруток = 600 В,I F =225A,

-di/dt=5080А/μс,В GE =-8В Л S =36nH ,T j =125o C

32.5

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

277

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

11.5

mJ

Q пруток

Восстановлено Заряд

V Пруток = 600 В,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8В Л S =36nH ,T j =150o C

39.0

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

288

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

14.0

mJ

D2/D3 Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

О F =225A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

О F =225A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

D5/D6 Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F = 300 А,В GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

О F = 300 А,В GE =0V,T j =125o C

1.60

О F = 300 А,В GE =0V,T j =150o C

1.60

Q пруток

Восстановлено Заряд

V Пруток = 600 В,I F =225A,

-di/dt=5050А/μс,В GE =-8В Л S =30nH ,T j =25o C

18.6

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

189

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

5.62

mJ

Q пруток

Восстановлено Заряд

V Пруток = 600 В,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8В Л S =30nH ,T j =125o C

34.1

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

250

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

11.4

mJ

Q пруток

Восстановлено Заряд

V Пруток = 600 В,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8В Л S =30nH ,T j =150o C

38.9

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

265

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

13.2

mJ

НТЦ Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C =100o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Диссипация мощности

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Модуль Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

15

nH

Пруток thJC

Соединение вывода с корпусом (по T1 -T4 IGBT) Соединение вывода с корпусом (по D1/D4 D йода) Соединение вывода с корпусом (по D2/D3 D йода) Соединение вывода с корпусом (по D5/D6 D йода)

0.070 0.122 0.156 0.122

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (по T 1-T4 IGBT) Корпус к радиатору (по D1/D4 Диод) Корпус к радиатору (по D2/D3 Диод) Корпус к радиатору (по D5/D6 Диод)

0.043 0.053 0.069 0.053

K/W

М

Крутящий момент установки, Винт:M5

3.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

250

g

Основные положения

Схема эквивалентной цепи

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Сопутствующий товар

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ожидает вашего обращения.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000