Краткое введение
Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER . 1200V 275А.
Особенности
-
Низкий VCE (спутниковая) Технология IGBT траншей
-
VCE(sat) с положительный температура коэффициент
-
Максимальная температура соединения 175 ℃
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
-
Изолированный использование медной подложки Si3 N4 Технология AMB
Типичные применения
Солнечная энергия
3-уровневый- применение
Абсолютное Максимальный Рейтинги T F =25o C если только иначе отмечено
T1-T4 IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
О CN |
Реализован Коллектор C ток |
275 |
А |
О C |
Коллекторный ток @ T C =100o C |
110 |
А |
О CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
450 |
А |
Диод D1/D4
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
V |
О ФН |
Реализован Прямой Ток вход |
275 |
А |
О F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
300 |
А |
О ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
450 |
А |
Диод D2/D3
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
V |
О ФН |
Реализован Прямой Ток вход |
275 |
А |
О F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
225 |
А |
О ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
450 |
А |
Диод D5/D6
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
V |
О ФН |
Реализован Прямой Ток вход |
275 |
А |
О F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
300 |
А |
О ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
450 |
А |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
T jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
o C |
T - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
o C |
T СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
o C |
V ISO |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
3200 |
V |
T1-T4 IGBT Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение
|
О C =225A,V GE =15В, T j =25o C |
|
2.00 |
2.45 |
V
|
О C =225A,V GE =15В, T j =125o C |
|
2.70 |
|
О C =225A,V GE =15В, T j =150o C |
|
2.90 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
О C =9.00mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
О CES |
Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий |
V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
О ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
1.7 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В |
|
38.1 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.66 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
V GE =-15…+15V |
|
2.52 |
|
μC |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =225A, Пруток G =2Ом,В GE =-8/+15В, Л S =36nH ,T j =25o C
|
|
154 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
45 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
340 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
76 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
13.4 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
8.08 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =225A, Пруток G =2Ом,В GE =-8/+15В, Л S =36nH ,T j =125o C
|
|
160 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
49 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
388 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
112 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
17.6 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
11.2 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =225A, Пруток G =2Ом,В GE =-8/+15В, Л S =36nH ,T j =150o C
|
|
163 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
51 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
397 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
114 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
18.7 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
12.0 |
|
mJ |
D1/D4 Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V F
|
Диод вперед Напряжение |
О F = 300 А,В GE =0V,T j =25o C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
О F = 300 А,В GE =0V,T j =125o C |
|
1.60 |
|
О F = 300 А,В GE =0V,T j =150o C |
|
1.60 |
|
Q пруток |
Восстановлено Заряд |
V Пруток = 600 В,I F =225A,
-di/dt=5350А/μс,В GE =-8В Л S =36nH ,T j =25o C
|
|
20.1 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
250 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
6.84 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановлено Заряд |
V Пруток = 600 В,I F =225A,
-di/dt=5080А/μс,В GE =-8В Л S =36nH ,T j =125o C
|
|
32.5 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
277 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
11.5 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановлено Заряд |
V Пруток = 600 В,I F =225A,
-di/dt=4930A/μs,V GE =-8В Л S =36nH ,T j =150o C
|
|
39.0 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
288 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
14.0 |
|
mJ |
D2/D3 Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V F
|
Диод вперед Напряжение |
О F =225A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
О F =225A,V GE =0V,T j =125o C |
|
1.60 |
|
О F =225A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.60 |
|
D5/D6 Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V F
|
Диод вперед Напряжение |
О F = 300 А,В GE =0V,T j =25o C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
О F = 300 А,В GE =0V,T j =125o C |
|
1.60 |
|
О F = 300 А,В GE =0V,T j =150o C |
|
1.60 |
|
Q пруток |
Восстановлено Заряд |
V Пруток = 600 В,I F =225A,
-di/dt=5050А/μс,В GE =-8В Л S =30nH ,T j =25o C
|
|
18.6 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
189 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
5.62 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановлено Заряд |
V Пруток = 600 В,I F =225A,
-di/dt=4720A/μs,V GE =-8В Л S =30nH ,T j =125o C
|
|
34.1 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
250 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
11.4 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановлено Заряд |
V Пруток = 600 В,I F =225A,
-di/dt=4720A/μs,V GE =-8В Л S =30nH ,T j =150o C
|
|
38.9 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
265 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
13.2 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Пруток 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
∆R/R |
Отклонение из Пруток 100 |
T C =100o C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Диссипация мощности |
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
15 |
|
nH |
|
Пруток thJC
|
Соединение вывода с корпусом (по T1 -T4 IGBT) Соединение вывода с корпусом (по D1/D4 D йода) Соединение вывода с корпусом (по D2/D3 D йода) Соединение вывода с корпусом (по D5/D6 D йода) |
|
|
0.070 0.122 0.156 0.122 |
K/W
|
|
Пруток thCH
|
Корпус к радиатору (по T 1-T4 IGBT) Корпус к радиатору (по D1/D4 Диод) Корпус к радиатору (по D2/D3 Диод) Корпус к радиатору (по D5/D6 Диод) |
|
0.043 0.053 0.069 0.053 |
|
K/W
|
М |
Крутящий момент установки, Винт:M5 |
3.0 |
|
5.0 |
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
250 |
|
g |