GD275MJS120L6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Реализован Коллектор C ток

275

A

Я C

Коллекторный ток @ T C =100 о C

110

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

450

A

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я ФН

Реализован Прямой Ток вход

275

A

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

450

A

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я ФН

Реализован Прямой Ток вход

275

A

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

225

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

450

A

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я ФН

Реализован Прямой Ток вход

275

A

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

450

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

3200

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =225A,V GE =15В, Т j =25 о C

2.00

2.45

В

Я C =225A,V GE =15В, Т j =125 о C

2.70

Я C =225A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.90

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =9.00 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.7

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

38.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.66

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

2.52

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =225A, R G =2Ом,В GE =-8/+15В, Л С =36 nH ,Т j =25 о C

154

nS

т r

Время нарастания

45

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

340

nS

т к

Время спада

76

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

13.4

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

8.08

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =225A, R G =2Ом,В GE =-8/+15В, Л С =36 nH ,Т j =125 о C

160

nS

т r

Время нарастания

49

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

388

nS

т к

Время спада

112

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

17.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

11.2

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =225A, R G =2Ом,В GE =-8/+15В, Л С =36 nH ,Т j =150 о C

163

nS

т r

Время нарастания

51

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

397

nS

т к

Время спада

114

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

18.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

12.0

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К = 300 А,В GE =0V,T j =25 о C

1.60

2.05

В

Я К = 300 А,В GE =0V,T j =1 25о C

1.60

Я К = 300 А,В GE =0V,T j =1 50о C

1.60

Q r

Восстановлено Заряд

В R = 600 В,I К =225A,

-di/dt=5350А/μс,В GE =-8В Л С =36 nH ,Т j =25 о C

20.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

250

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

6.84

mJ

Q r

Восстановлено Заряд

В R = 600 В,I К =225A,

-di/dt=5080А/μс,В GE =-8В Л С =36 nH ,Т j =125 о C

32.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

277

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

11.5

mJ

Q r

Восстановлено Заряд

В R = 600 В,I К =225A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8В Л С =36 nH ,Т j =150 о C

39.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

288

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

14.0

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =225A,V GE =0V,T j =25 о C

1.60

2.05

В

Я К =225A,V GE =0V,T j =1 25о C

1.60

Я К =225A,V GE =0V,T j =1 50о C

1.60

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К = 300 А,В GE =0V,T j =25 о C

1.60

2.05

В

Я К = 300 А,В GE =0V,T j =1 25о C

1.60

Я К = 300 А,В GE =0V,T j =1 50о C

1.60

Q r

Восстановлено Заряд

В R = 600 В,I К =225A,

-di/dt=5050А/μс,В GE =-8В Л С =30 nH ,Т j =25 о C

18.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

189

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

5.62

mJ

Q r

Восстановлено Заряд

В R = 600 В,I К =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8В Л С =30 nH ,Т j =125 о C

34.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

250

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

11.4

mJ

Q r

Восстановлено Заряд

В R = 600 В,I К =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8В Л С =30 nH ,Т j =150 о C

38.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

265

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

13.2

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Диссипация мощности

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

15

nH

R thJC

Соединение вывода с корпусом (по T1 -T4 IGBT) Соединение вывода с корпусом (по D1/D4 D йода) Соединение вывода с корпусом (по D2/D3 D йода) Соединение вывода с корпусом (по D5/D6 D йода)

0.070 0.122 0.156 0.122

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (по T 1-T4 IGBT) Корпус к радиатору (по D1/D4 Диод) Корпус к радиатору (по D2/D3 Диод) Корпус к радиатору (по D5/D6 Диод)

0.043 0.053 0.069 0.053

K/W

М

Крутящий момент установки, Винт:M5

3.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

250

g