Модуль IGBT, 1200В 275А, Корпус: L6
Краткое введение
Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER . 1200V 275А.
Особенности
Типичные применения
Солнечная энергия
3-уровневое применение
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т F =25 о C если только иначе отмечено
T1-T4 IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я CN |
Реализован Коллектор C ток |
275 |
A |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =100 о C |
110 |
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t р =1 мс |
450 |
A |
Диод D1/D4
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
В |
Я ФН |
Реализован Прямой Ток вход |
275 |
A |
Я F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
300 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t р =1 мс |
450 |
A |
Диод D2/D3
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
В |
Я ФН |
Реализован Прямой Ток вход |
275 |
A |
Я F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
225 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t р =1 мс |
450 |
A |
Диод D5/D6
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
В |
Я ФН |
Реализован Прямой Ток вход |
275 |
A |
Я F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
300 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t р =1 мс |
450 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
Т jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
о C |
Т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
Т СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
о C |
В ИСО |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
3200 |
В |
T1-T4 IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
В CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Я C =225A,V GE =15В, Т j =25 о C |
|
2.00 |
2.45 |
В |
Я C =225A,V GE =15В, Т j =125 о C |
|
2.70 |
|
|||
Я C =225A,V GE =15В, Т j =150 о C |
|
2.90 |
|
|||
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =9.00 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C |
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C |
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
1.7 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В |
|
38.1 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.66 |
|
нФ |
|
Q G |
Сбор за вход |
В GE =-15…+15V |
|
2.52 |
|
μC |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =225A, R G =2Ом,В GE =-8/+15В, Л S =36 nH ,Т j =25 о C |
|
154 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
45 |
|
nS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
340 |
|
nS |
|
т f |
Время спада |
|
76 |
|
nS |
|
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
13.4 |
|
mJ |
|
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
8.08 |
|
mJ |
|
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =225A, R G =2Ом,В GE =-8/+15В, Л S =36 nH ,Т j =125 о C |
|
160 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
49 |
|
nS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
388 |
|
nS |
|
т f |
Время спада |
|
112 |
|
nS |
|
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
17.6 |
|
mJ |
|
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
11.2 |
|
mJ |
|
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =225A, R G =2Ом,В GE =-8/+15В, Л S =36 nH ,Т j =150 о C |
|
163 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
51 |
|
nS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
397 |
|
nS |
|
т f |
Время спада |
|
114 |
|
nS |
|
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
18.7 |
|
mJ |
|
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
12.0 |
|
mJ |
D1/D4 Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 о C |
|
1.60 |
2.05 |
В |
Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 25о C |
|
1.60 |
|
|||
Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 50о C |
|
1.60 |
|
|||
Q r |
Восстановлено Заряд |
В R = 600 В,I F =225A, -di/dt=5350А/μс,В GE =-8В Л S =36 nH ,Т j =25 о C |
|
20.1 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
250 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
6.84 |
|
mJ |
|
Q r |
Восстановлено Заряд |
В R = 600 В,I F =225A, -di/dt=5080А/μс,В GE =-8В Л S =36 nH ,Т j =125 о C |
|
32.5 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
277 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
11.5 |
|
mJ |
|
Q r |
Восстановлено Заряд |
В R = 600 В,I F =225A, -di/dt=4930A/μs,V GE =-8В Л S =36 nH ,Т j =150 о C |
|
39.0 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
288 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
14.0 |
|
mJ |
D2/D3 Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F =225A,V GE =0V,T j =25 о C |
|
1.60 |
2.05 |
В |
Я F =225A,V GE =0V,T j =1 25о C |
|
1.60 |
|
|||
Я F =225A,V GE =0V,T j =1 50о C |
|
1.60 |
|
D5/D6 Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 о C |
|
1.60 |
2.05 |
В |
Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 25о C |
|
1.60 |
|
|||
Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 50о C |
|
1.60 |
|
|||
Q r |
Восстановлено Заряд |
В R = 600 В,I F =225A, -di/dt=5050А/μс,В GE =-8В Л S =30 nH ,Т j =25 о C |
|
18.6 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
189 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
5.62 |
|
mJ |
|
Q r |
Восстановлено Заряд |
В R = 600 В,I F =225A, -di/dt=4720A/μs,V GE =-8В Л S =30 nH ,Т j =125 о C |
|
34.1 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
250 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
11.4 |
|
mJ |
|
Q r |
Восстановлено Заряд |
В R = 600 В,I F =225A, -di/dt=4720A/μs,V GE =-8В Л S =30 nH ,Т j =150 о C |
|
38.9 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
265 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
13.2 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
R 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
∆R/R |
Отклонение из R 100 |
Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
Р 25 |
Диссипация мощности |
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
15 |
|
nH |
R thJC |
Соединение вывода с корпусом (по T1 -T4 IGBT) Соединение вывода с корпусом (по D1/D4 D йода) Соединение вывода с корпусом (по D2/D3 D йода) Соединение вывода с корпусом (по D5/D6 D йода) |
|
|
0.070 0.122 0.156 0.122 |
K/W |
R thCH |
Корпус к радиатору (по T 1-T4 IGBT) Корпус к радиатору (по D1/D4 Диод) Корпус к радиатору (по D2/D3 Диод) Корпус к радиатору (по D5/D6 Диод) |
|
0.043 0.053 0.069 0.053 |
|
K/W |
М |
Крутящий момент установки, Винт:M5 |
3.0 |
|
5.0 |
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
250 |
|
g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.