GD225HFX170C6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C

@ T C= 100o C

396

225

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p = 1мс

450

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

1530

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

V

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

225

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

450

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C=225A,V GE =15В, T j =25o C

1.85

2.20

V

Я C=225A,V GE =15В, T j =125o C

2.25

Я C=225A,V GE =15В, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=9.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.8

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

27.1

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

0.66

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =- 15…+15В

2.12

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=225A, Пруток Гон =3,3Ω, Пруток Гофф =6.2Ω, V GE =±15В,

T j =25o C

187

nS

t пруток

Время нарастания

76

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

587

nS

t f

Время спада

350

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

56.1

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

52.3

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=225A, Пруток Гон =3,3Ω, Пруток Гофф =6.2Ω, V GE =±15В,

T j = 125o C

200

nS

t пруток

Время нарастания

85

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

693

nS

t f

Время спада

662

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

75.9

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

80.9

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=225A, Пруток Гон =3,3Ω, Пруток Гофф =6.2Ω, V GE =±15В,

T j = 150o C

208

nS

t пруток

Время нарастания

90

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

704

nS

t f

Время спада

744

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

82.8

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

87.7

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =150o C,V CC = 1000V, V СМК ≤1700V

900

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед

Напряжение

Я F =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Я F =225A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

Я F =225A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15В T j =25o C

63.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

352

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

37.4

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15В T j =125o C

107

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

394

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

71.0

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15В T j =150o C

121

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

385

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

82.8

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из Пруток 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2—

1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2—

1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2—

1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.098

0.158

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.029

0.047

0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

350

г