Все категории
Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Домашняя страница/Продукция/Модуль IGBT/Модуль IGBT 1200V

GD400CUX120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Модуль IGBT, 1200В 400А, Корпус:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400CUX120C2S
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое описание

Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER .1200V 400А.

Особенности

  • Технология NPT IGBT
  • возможность короткого замыкания 10 мкм
  • Низкие потери при переключении
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типовые области применения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • Источник бесперебойного питания

Абсолютное Максимальный Рейтинги T F =25o C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

636

400

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

800

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

2083

Ш

Диод

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

800

A

МОДУЛЬ

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

2500

V

IGBT Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=400A,V GE =15В, T vj =25o C

1.75

2.20

V

Я C=400A,V GE =15В, T vj =125o C

2.00

Я C=400A,V GE =15В, T vj =150o C

2.05

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=14.4mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

37.3

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

1.04

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

2.80

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=400A, Пруток Г =2.0Ω, L С =50нГн ,V GE =±15В, T vj =25o C

223

nS

t пруток

Время нарастания

49

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

334

nS

t f

Время спада

190

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

17.9

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

28.7

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=400A, Пруток Г =2.0Ω, L С =50нГн ,V GE =±15В, T vj =125o C

230

nS

t пруток

Время нарастания

54

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

385

nS

t f

Время спада

300

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

29.4

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

41.2

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=400A, Пруток Г =2.0Ω, L С =50нГн ,V GE =±15В, T vj =150o C

228

nS

t пруток

Время нарастания

57

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

393

nS

t f

Время спада

315

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

32.3

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

42.9

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

1600

A

Диод Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =400A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Я F =400A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Я F =400A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =400A,

-di/dt=8030A/мкс, L С =50нГн, V GE = 15 В, T vj =25o C

33.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

374

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

13.6

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =400A,

-di/dt=7030A/мкс, L С =50нГн, V GE = 15 В, T vj =125o C

67.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

446

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

28.2

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =400A,

-di/dt=6880A/μс, L С =50нГн, V GE = 15 В, T vj =150o C

75.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

452

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

31.4

mJ

МОДУЛЬ Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт до Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.072 0.113

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.023 0.036 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

300

г

Основные положения

image(c3756b8d25).png

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Связанный продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждёт ваших консультаций.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000