Краткое описание
Модуль IGBT , созданный StarPower. 1200 В 400 А.
Особенности
- Технология NPT IGBT
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- Низкие потери при переключении
- Прочный с ультрабыстрыми характеристиками
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типичный Приложения
- Питание в режиме переключения
- Индуктивное нагревание
- Электрический сварщик
Абсолютное Максимальный Рейтинги T C=25o C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
Я C |
Коллекторный ток @ T C=25o C
@ T C=60o C
|
505
400
|
A |
Я См |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
800 |
A |
PD |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =150o C |
2358 |
Ш |
Диод
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1200 |
V |
Я F |
Диод непрерывно передний арендная плата |
400 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
800 |
A |
МОДУЛЬ
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
T jmax |
Максимальная температура стыка |
150 |
o C |
T - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +125 |
o C |
T СТГ |
Температура хранения Дальность действия |
-40 до +125 |
o C |
V ISO |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН |
2500 |
V |
IGBT Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
Я C=400A,V GE =15В, T j =25o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
Я C=400A,V GE =15В, T j =125o C |
|
3.60 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C=4.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C |
5.0 |
5.8 |
6.6 |
V |
Я CES |
Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Текущий
|
V СЕ =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
0.5 |
|
ω |
Cies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25В, f=1МГц,
V GE =0В
|
|
26.2 |
|
нФ |
Cres |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
1.68 |
|
нФ |
В. Г |
Сбор за вход |
V GE =- 15…+15В |
|
4.18 |
|
μC |
t d (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=400A, Пруток Г = 2,4Ω,
V GE =±15В, T j =25o C
|
|
337 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
88 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
460 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
116 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение
Потеря
|
|
21.2 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
19.4 |
|
mJ |
t d (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=400A, Пруток Г = 2,4Ω,
V GE =±15В, T j = 125o C
|
|
359 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
90 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
492 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
128 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение
Потеря
|
|
29.4 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
26.0 |
|
mJ |
|
Я SC
|
Данные SC
|
t P≤ 10 мкс,В GE =15В,
T j =125o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В
|
|
2400
|
|
A
|
Диод Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
V F |
Диод вперед
Напряжение
|
Я F =400A,V GE =0V,T j =25o C |
|
2.00 |
2.45 |
V |
Я F =400A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
2.10 |
|
В. пруток |
Восстановленная зарядка |
V CC = 600 В,I F =400A,
-di/dt=2840A/μs,V GE =±15В, T j =25o C
|
|
27.0 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
280 |
|
A |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
16.6 |
|
mJ |
В. пруток |
Восстановленная зарядка |
V CC = 600 В,I F =400A,
-di/dt=2840A/μs,V GE =±15В, T j = 125o C
|
|
46.0 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
380 |
|
A |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
30.0 |
|
mJ |
МОДУЛЬ Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Пруток thJC |
Соединение с делом (на IGB) T)
Соединение с корпусом (на D) йода)
|
|
|
0.053
0.103
|
K/W |
|
Пруток thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT)
Корпус к радиатору (п ер диод)
Корпус к радиатору (на Модуль)
|
|
0.048
0.094
0.032
|
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
Н.М |
Г |
Вес из МОДУЛЬ |
|
350 |
|
г |