GD400CLU120C2S, Модуль IGBT, Резак в одном корпусе, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C =60 о C

505

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

800

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =150 о C

2358

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

В

Я К

Диод непрерывно передний арендная плата

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

800

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

150

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, Т j =25 о C

2.90

3.35

В

Я C =400A,V GE =15В, Т j =125 о C

3.60

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =4,0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.0

5.8

6.6

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

26.2

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.68

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

4.18

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R G = 2,4Ω,

В GE =±15В, Т j =25 о C

337

nS

т r

Время нарастания

88

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

460

nS

т к

Время спада

116

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

21.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

19.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R G = 2,4Ω,

В GE =±15В, Т j = 125о C

359

nS

т r

Время нарастания

90

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

492

nS

т к

Время спада

128

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

29.4

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

26.0

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =125 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед

Напряжение

Я К =400A,V GE =0V,T j =25 о C

2.00

2.45

В

Я К =400A,V GE =0V,T j = 125о C

2.10

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15В, Т j =25 о C

27.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

280

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

16.6

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15В, Т j = 125о C

46.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

380

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

30.0

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.053

0.103

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.048

0.094

0.032

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g