Все категории
Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Домашняя страница /  Продукция /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1200V

GD400CLU120C2S, Модуль IGBT, Резак в одном корпусе, STARPOWER

1200В 400А; Чоппер в одном корпусе

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400CLU120C2S
  • Введение
  • Основные положения
  • Схема эквивалентной цепи
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , созданный StarPower. 1200 В 400 А.

Особенности

  • Технология NPT IGBT
  • возможность короткого замыкания 10 мкм
  • Низкие потери при переключении
  • Прочный с ультрабыстрыми характеристиками
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типичный Области применения

  • Питание в режиме переключения
  • Индуктивное нагревание
  • Электрический сварщик

Абсолютное Максимальный Рейтинги T C =25o C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C

@ T C =60o C

505

400

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

800

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T j =150o C

2358

Ш

Диод

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

V

О F

Диод непрерывно передний арендная плата

400

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

800

А

Модуль

Символ

Описание

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

150

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

V

IGBT Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

О C =400A,V GE =15В, T j =25o C

2.90

3.35

V

О C =400A,V GE =15В, T j =125o C

3.60

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =4.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.0

5.8

6.6

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

26.2

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.68

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =- 15…+15В

4.18

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =400A, Пруток G = 2,4Ω,

V GE =±15В, T j =25o C

337

nS

t пруток

Время нарастания

88

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

460

nS

t f

Время спада

116

nS

Е по

Включить Переключение

Потеря

21.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

19.4

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =400A, Пруток G = 2,4Ω,

V GE =±15В, T j = 125o C

359

nS

t пруток

Время нарастания

90

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

492

nS

t f

Время спада

128

nS

Е по

Включить Переключение

Потеря

29.4

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

26.0

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =125o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В

2400

А

Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед

Напряжение

О F =400A,V GE =0V,T j =25o C

2.00

2.45

V

О F =400A,V GE =0V,T j = 125o C

2.10

Q пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15В, T j =25o C

27.0

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

280

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

16.6

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15В, T j = 125o C

46.0

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

380

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

30.0

mJ

Модуль Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.053

0.103

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.048

0.094

0.032

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g

Основные положения

image(c3756b8d25).png

Схема эквивалентной цепи

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Сопутствующий товар

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ожидает вашего обращения.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000